【技术实现步骤摘要】
本文公开的主题的实施方案涉及用于成像系统(例如，x射线成像系统)的阴极。
技术介绍
1、在x射线管中，电离辐射通过在真空中经由电场将电子从阴极加速到阳极而产生。电子源自具有流过其中的电流的阴极的长丝。长丝可以由流过它的电流加热以从阴极释放电子，并使电子朝向阳极加速。由不同电压的电流加热的附加长丝可以用于将电子束朝向阳极聚焦，并且影响x射线发射点的大小和位置。阴极可被构造成在外表面上具有屏蔽元件，例如电抛光的屏蔽件，以维持高电压稳定性。
技术实现思路
1、在一个实施方案中，一种用于阴极的屏蔽件包括阴极掩模，该阴极掩模包括被构造成接纳阴极杯的u形中心开口，其中该u形中心开口的周边包括翻卷边缘。
2、应当理解，提供上面的简要描述来以简化的形式介绍在具体实施方式中进一步描述的精选概念。这并不意味着确定所要求保护的主题的关键或必要特征，该主题的范围由具体实施方式后的权利要求书唯一地限定。此外，所要求保护的主题不限于解决上文或本公开的任何部分中提到的任何缺点的具体实施。
【技术保护点】
1.一种用于阴极的屏蔽件，所述屏蔽件包括：
2.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述u形中心开口在多条卷绕长丝中的每条卷绕长丝与所述翻卷边缘之间保持相似距离。
3.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述u形中心开口包括具有第一弯曲半径的第一弯曲特征部和具有第二弯曲半径的第二弯曲特征部，所述第一弯曲半径和所述第二弯曲半径是不同尺寸。
4.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述翻卷边缘包括朝向所述u形中心开口的中心线的竖直弯曲部。
5.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述翻卷边缘包括具有第一弯曲半径的第一弯曲部和具有第二弯曲半径的第二弯曲部，所述第一弯曲半径和所述第二弯曲半径是不同尺寸。
6.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述翻卷边缘包括具有第一弯曲半径的第一弯曲部和具有第二弯曲半径的第二弯曲部，所述第一弯曲半径和所述第二弯曲半径是相似尺寸。
7.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述翻卷边缘包括弯曲角度，所述弯曲角度在所述u形中心开口的所述周边的每一侧上相似。
8.一种用于x射线设备的阴极组件，所述阴极
9.根据权利要求8所述的阴极组件，其中所述聚焦元件是u形的。
10.根据权利要求8所述的阴极组件，所述阴极掩模还包括矩形延伸部，所述矩形延伸部框住所述聚焦元件。
11.根据权利要求8所述的阴极组件，其中所述聚焦元件包括多于一条卷绕长丝，每条卷绕长丝布置在距与所述阴极掩模的所述翻卷边缘平行的平面的阈值深度内。
12.根据权利要求8所述的阴极组件，其中所述阴极掩模焊接到所述阴极杯的基座。
13.根据权利要求8所述的阴极组件，其中所述阴极掩模由电抛光的镍形成。
14.根据权利要求8所述的阴极组件，其中所述u形中心开口包括具有第一弯曲半径的第一弯曲特征部和具有第二弯曲半径的第二弯曲特征部，所述第一弯曲半径和所述第二弯曲半径是不同尺寸。
15.根据权利要求8所述的阴极组件，其中所述翻卷边缘包括朝向所述u形中心开口的中心线的竖直弯曲部。
...【技术特征摘要】
1.一种用于阴极的屏蔽件，所述屏蔽件包括：
2.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述u形中心开口在多条卷绕长丝中的每条卷绕长丝与所述翻卷边缘之间保持相似距离。
3.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述u形中心开口包括具有第一弯曲半径的第一弯曲特征部和具有第二弯曲半径的第二弯曲特征部，所述第一弯曲半径和所述第二弯曲半径是不同尺寸。
4.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述翻卷边缘包括朝向所述u形中心开口的中心线的竖直弯曲部。
5.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述翻卷边缘包括具有第一弯曲半径的第一弯曲部和具有第二弯曲半径的第二弯曲部，所述第一弯曲半径和所述第二弯曲半径是不同尺寸。
6.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述翻卷边缘包括具有第一弯曲半径的第一弯曲部和具有第二弯曲半径的第二弯曲部，所述第一弯曲半径和所述第二弯曲半径是相似尺寸。
7.根据权利要求1所述的屏蔽件，其中所述翻卷边缘包括弯曲角度，所述弯曲角度在所述u形中心开口...
【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·S·克鲁泽，S·勒迈特，
申请(专利权)人：通用电气精准医疗有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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