用于光刻设备的方法技术

本发明专利技术提供一种用于光刻设备的方法。在一实施例中，提供一种采用光刻设备至少部分地补偿将要应用到衬底的图案特征的特性中的偏差的方法。所述方法包括获得有关所述特性中的偏差的信息，和确定将要应用到将要用于将所述图案特征应用到所述衬底的辐射束的至少一部分并将至少部分地补偿所述特性中的偏差的所需相变。所需相变的所述确定包括确定相位调制元件的所需配置。所述方法还包括当将所述图案特征应用到所述衬底时，将所需相变应用到所述辐射束的所述部分，所需相变的所述应用包括当所述相位调制元件处于所需配置时用所述辐射束的所述部分照射所述相位调制元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种至少部分地补偿(例如，减小)将要应用到衬底的图案特征的特性中的偏差的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述ic的单层上的电路图案，并且可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上，所述衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)的层。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分，以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。 当图案特征被应用到衬底上，所应用的图案特征并不总是想要的。例如，图案特征的特性会有偏差(即，与想要的或所需的特性有偏差)。例如，所述特性可以是图案特征的最佳焦距、图案特征的形状或尺寸、或衬底上图案特征的位置。将图案特征的最佳焦距作为示例，由于例如图案形成装置的表面的拓扑、抗蚀剂效应、或改变由用来提供图案特征到衬底上的图案形成装置的图案特征引导的辐射的振幅/相的角度分布的另外效应，不同图案特征的最佳焦距可能是不同的。 应用到衬底的图案特征的特性中的一个或更多个偏差(例如由于图案特征应用中的误差，与想要的或所需的特性有偏差)会导致所应用的图案特征作为其一部分的器件的结构不能行使想要的功能，或根本不可用。这是不希望的。 期望提供例如一种至少部分地补偿应用于衬底的图案特征的特性中的偏差的方法。
技术实现思路
根据本专利技术一方面，提供一种至少部分地补偿将要采用光刻设备应用到衬底的图案特征的特性中的偏差的方法，所述方法包括获得有关所述图案特征的特性中的偏差的信息；确定施加在将要用于将所述图案特征应用到所述衬底的辐射束的至少一部分并将至少部分地补偿所述特性中的偏差的所需相变，所需相变的所述确定包括确定相位调制元件的所需配置；和当将所述图案特征应用到所述衬底时将所需相变应用到所述辐射束的所述部分，以至少部分地补偿所述特性中的所述偏差，所需相变的所述应用包括当所述相位调制元件处于所需配置时用所述至少一部分辐射束照射所述相位调制元件。 确定相位调制元件的配置可以包括确定所述相位调制元件的可控区域的配置。 所需相变的确定包括确定用于所述辐射束的至少一部分的相中的改变的图案特征中偏差的敏感性。 所需相变的确定包括确定相的何种改变将导致与所述特性中的偏差相等且相反的所述图案特征的特性中的偏差。 确定相的何种改变将导致与所述特性中的偏差相等且相反的所述图案特征的特性中的偏差可以包括确定将由所述相位调制元件的多个可控区域的每一个提供的相变贡献；和/或确定由所述相位调制元件的多个可控区域的每一个提供的对所述图案特征的特性中偏差的补偿的所述贡献。 获得有关所述图案特征的特性中的所述偏差的信息包括采用模型获取信息和/或从之前应用到衬底中的图案特征中获得信息。 特性可以是用于图案特征的最佳焦距。替换地或附加地，所述特性可以是所述图案特征的形状或尺寸(例如变形)，和/或所述图案特征的位移。 所述方法可以包括至少部分地补偿将要采用光刻设备应用到衬底的至少两个图案特征、或至少两类图案特征的特性中的偏差。 将要采用光刻设备应用到衬底的所述图案特征的特性中的所述偏差可以是光刻误差(例如，由将导致图案特征应用到具有一个或更多个与想要的或所需的特性有偏差的特征的衬底的光刻加工的一个或更多个元件引起的误差或缺陷)。 所述偏差被至少部分地补偿，也就是所述偏差被减小和/或最小化。所述补偿可以是使得所述偏差被消除(例如减小到零)。将要应用到衬底的所述图案特征可以采用任何数量的形式。例如，所述图案特征可以是由掩模、掩模版或其他图案形成装置提供的图案特征。将要应用到衬底的图案特征可以是或包括在某些方面对应于由图案形成装置提供的图案特征的辐射束的一部分。将要应用到衬底的图案特征可以是由图案形成装置提供的图案特征的图像。将要应用到衬底的图案特征可以是将要被提供到设置在衬底上的辐射敏感材料层中或上面的特征。本专利技术的实施例能够至少部分地补偿将要应用到衬底的这种图案特征的一个或更多个特性中的一个或更多个偏差。 相位调制元件包括可控地改变入射到可控区域上的辐射的一部分的相的一个或更多个可控区域。 一个或更多个可控区域可以可控地改变所述一个或更多个可控区域的折射率。所述一个或更多个可控区域可以通过选择性地加热一个或更多个可控区域来控制。通过选择性地控制所述一个或更多个可控区域的形状、位置或取向可以控制所述一个或更多个可控区域。 相位调制元件可以位于光刻设备的光瞳平面上或邻近光瞳平面。相位调制元件可以是可移动的。相位调制元件能够从所述光刻设备的光瞳平面上或邻近的位置移动到位于离开所述光刻设备的光瞳平面的位置。 根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括投影系统，其配置用于将辐射束投影到衬底上；相位调制元件，其配置用于调制所述辐射束和/或来自图案形成装置的图案化的辐射束的至少一部分的相；确定布置，其配置用以接收有关将要采用光刻设备应用到所述衬底的图案特征的特性中的偏差的信息，所述确定布置配置用以确定将要应用到使用时将用于将所述图案特征应用到所述衬底的所述辐射束的至少一部分并且将至少部分地补偿所述特性中的所述偏差的所需相变；和相位调制元件控制器，其配置用于控制所述相位调制元件的配置以实施所需相变。 在适当的情况下，光刻设备可以具有一个或更多个与上述方法有关的特征。附图说明 现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中 图1示意地示出根据本专利技术实施例的光刻设备； 图2是示出根据本专利技术实施例的至少部分地补偿将要应用到衬底的图案特征的特性中的偏差的方法的流程图； 图3示意地示出参照图1和2所示的和/或所述的相位调制元件的实施例的更详细的视图； 图4示意地示出参照图3所示和所述的相位调制元件的所述实施例的另外细节； 图5示意地示出参照图1和2所示和/或所述的相位调制元件的另一实施例。具体实施例方式虽然在本文中详述了光刻设备用于制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语"晶片"或"管芯"分别认为是与更上位的术语"衬底"或"目标部分"同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语"衬底"也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。 这里使用的术语"辐射"和"束"包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用光刻设备至少部分地补偿将要应用到衬底的图案特征的特性中的偏差的方法，所述方法包括步骤：获得有关所述图案特征的特性中的偏差的信息；确定将要应用到将要用于将所述图案特征应用到所述衬底的辐射束的至少一部分并且将至少部分地补偿所述特性中的偏差的所需相变，所需相变的所述确定包括确定相位调制元件的所需配置；和当将所述图案特征应用到所述衬底时将所需相变施加到所述辐射束的所述部分，以至少部分地补偿所述特性中的所述偏差，所需相变的所述施加包括当所述相位调制元件处于所需配置时用所述辐射束的至少一部分照射所述相位调制元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：LA考里娜桑塔玛丽亚，JM芬德尔斯，LC德温特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]