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【技术实现步骤摘要】
本公开涉及oled制造的,具体而言,涉及一种金属掩膜板及其制作方法和测试方法、oled封装层的形成方法。
技术介绍
1、在oled薄膜封装技术(thin film encapsulation,tfe)中,使用化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)形成封装层是一种精密的工艺,主要目的是在oled器件表面形成一层或多层保护膜,以防止水分和氧气渗透,从而保护有机发光层不受外界环境影响。
2、在前述tfe工艺中,需要使用一种金属掩膜板,即cvd金属掩膜板(cvd mask)作为掩膜,对所形成的封装层边界进行限制。然而,在生产过程中,发现有tp端子部分封装膜异常增厚的现象,以及封装层边界的阴影区(shadow)较大的现象,且进一步发现上述现象在掩膜板反复使用时会愈发严重。同时观测到,伴随前述现象,掩膜板的绝缘膜层会比预设寿命更早的出现剥离现象。
技术实现思路
1、本公开提供金属掩膜板的制作方法,前述方法形成的金属掩膜板,以及采用该金属掩膜板制作oled封装层的方法,旨在至少改善或者解决前述现有技术中的问题。
2、本公开实施例的第一方面,提供一种金属掩膜板的制作方法,该方法具体包括:
3、提供框架和网面,网面包括多个掩膜条及多个掩膜条围成的多个开口;网面厚度为80μm至250μm;
4、形成半刻槽,对多个掩膜条中的部分或全部进行刻蚀,以形成朝向金属掩膜板背面的半刻槽,刻蚀方向为网面厚度方向,刻蚀深度为所刻蚀掩膜
5、张网,将网面张网并固定于框架内,形成掩膜板基板;
6、镀膜,在掩膜板基板表面形成绝缘膜层,绝缘膜层厚度为1μm至3.5μm。
7、前述技术方案,特别地对于半刻槽的刻蚀深度进行优化,且配合膜层厚度和实材区宽度的限定,能够有效减小封装层边界的阴影区,缓解tp端子部分膜层增厚,并且能够提高绝缘膜层的结合力。
8、在前述刻蚀深度10%至40%的范围内,例如选用150μm基板并刻蚀50μm的半刻槽,刻蚀深度为33.3%,配合特定的成膜气压,使用寿命可达7000half左右,阴影区在200μm左右,优于现有技术中的250μm,tp端子膜厚在1000a以内。在体现膜层结合力的弯折实验中,配合特定的成膜气压,至少在50次弯折中不出现分层。只有在刻蚀深度为50%即75μm左右时有轻微的实材断面出现。
9、可选的,网面公称厚度为150μm,半刻槽的刻蚀深度为15μm至50μm。
10、可选的,半刻槽的刻蚀深度为20μm±5μm。
11、前述可选方案中,半刻槽蚀刻深度对掩膜板的常用厚度规格,150μm进行了特别的优化,在弯折试验中,配合特定的成膜气压,至少经过50次弯折均未出现分层现象,这使得掩膜板具有优良的使用寿命。在使用情景下,阴影区较小、tp端子膜厚得到了有效控制,有助于压缩oled面板边框。
12、特别的,在半刻槽的刻蚀深度为20μm左右时,配合特定的成膜气压,使用寿命可达到9000half,远高于现有产品的寿命4000/5000half,理想状态下可节约将近50%的掩膜板成本
13、此外,在半刻槽的刻蚀深度为20μm左右时,阴影区可以控制在150μm以内,对于oled产品的窄边框贡献约在50-100μm,也就是说,可压缩oled面板边框50-100μm。
14、在tp端子膜厚方面,20μm左右的刻蚀深度,tp端子膜厚在700a(埃)以内,相比于现有技术的1400a左右,优化显著,为oled面板提供更大的工艺余量(margin)。
15、可选的,网面公称厚度为100μm,半刻槽的刻蚀深度为10μm至30μm
16、可选的,绝缘膜层为氧化铝镀层;
17、基板材质选自:invar36合金、super invar32合金、sus304或sus420;
18、在镀膜步骤中,成膜腔室气压设定值在2*10-1~5*10-1mpa范围内。
19、可选的,采用2*10-1~3*10-1mpa的成膜气压。
20、前述可选方案中,成膜腔室气压的设置可以改善绝缘膜层的绕镀质量,膜层质量较优,至少50次弯折实验不会出现折痕处的分层现象以及实材断面、半刻断面。结合前述半刻槽深度的特征,有助于进一步提高产品寿命。
21、可选的,氧化铝层厚度为2.4μm至2.8μm。
22、可选的,氧化铝层公称厚度为2.5μm。
23、可选的,氧化铝层公称厚度为2.7μm。
24、前述镀层厚度的电阻率、均一性以及结合力均满足tfe工艺的要求。
25、优选的,半刻槽侧边与掩膜条侧边距离为0.2mm至4mm。
26、优选的,半刻槽侧边与掩膜条侧边距离为0.2mm至2mm。
27、优选的,半刻槽侧边与掩膜条侧边距离为0.2mm至1.4mm。
28、优选的,半刻槽侧边与掩膜条侧边距离为0.3mm至0.5mm。
29、可选的,半刻槽侧边与掩膜条侧边距离,即实材区宽度,为0.4mm±0.05mm。能够显著降低掩膜板对封装层的划伤。
30、可选的,所述多个掩膜条,具体包括多个第一掩膜条和多个第二掩膜条;第一掩膜条垂直于第二掩膜条,且宽度大于第二掩膜条;半刻槽形成于第一掩膜条和/或第二掩膜条;半刻槽为分段槽或贯通槽。
31、可选的,第一掩膜条宽度为20mm±0.05mm,第二掩膜条宽度小于等于10mm。
32、本公开实施例的第二方面,提供一种金属掩膜板,其中,该金属掩膜板是采用如第一方面技术方案及其任一项可选方案中的制作方法制作的。
33、本公开实施例的第三方面提供前述金属掩膜板的膜层结合力的测试方法,包括:
34、在金属掩膜板的镀膜步骤中,设置陪镀片;
35、周期性弯折所述陪镀片的两端,直至陪镀片出现膜层分层、实材断面或半刻断面,记录所述周期性弯折的次数;
36、陪镀片与掩膜板基板材质相同,并且设置有相同深度的半刻槽。
37、本公开实施例的第四方面,提供一种oled封装层的形成方法,该方法采用根据前述第二方面技术方案记载的金属掩膜板作为掩膜,利用化学气相沉积方法在目标器件表面形成一层或多层封装层。该方法形成的封装层,阴影区较小,tp端子膜厚较薄,具备很好的工艺余量(margin),膜层质量好,单位面积内的划伤数较少。
38、综上所述,本公开实施例提供的金属掩膜板制作方法,及其形成的掩膜板,能够显著优化使用寿命,降低了使用成本,改善所形成的封装层的质量,为oled面板提供更大的工艺余量和更可靠的封装质量。
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1.一种金属掩膜板的制作方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述网面公称厚度为150μm,所述半刻槽的刻蚀深度为15μm至50μm。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述半刻槽的刻蚀深度为20μm±5μm。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述网面公称厚度为100μm,所述半刻槽的刻蚀深度为10μm至30μm。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
6.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述氧化铝层厚度为2.4μm至2.8μm。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述半刻槽侧边与掩膜条侧边距离为0.4mm±0.05mm。
8.根据权利要求1至7任一项所述的制作方法,其特征在于,所述多个掩膜条,包括多个第一掩膜条和多个第二掩膜条;所述第一掩膜条垂直于第二掩膜条,且宽度大于第二掩膜条;
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述第一掩膜条宽度为20mm±0.05mm,所述第二掩膜条宽度小于
10.一种金属掩膜板,其特征在于,所述金属掩膜板是采用如权利要求1至9任一项所述的制作方法制作的。
11.一种如权利要求10所述金属掩膜板的膜层结合力的测试方法,其特征在于,包括:
12.一种OLED封装层的形成方法,其特征在于,采用根据权利要求10所述的金属掩膜板作为掩膜,利用化学气相沉积方法在目标器件表面形成一层或多层封装层。
...【技术特征摘要】
1.一种金属掩膜板的制作方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述网面公称厚度为150μm,所述半刻槽的刻蚀深度为15μm至50μm。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述半刻槽的刻蚀深度为20μm±5μm。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述网面公称厚度为100μm,所述半刻槽的刻蚀深度为10μm至30μm。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
6.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述氧化铝层厚度为2.4μm至2.8μm。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述半刻槽侧边与掩膜条侧边距离为0.4mm±0.05mm...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱超,余强根,余洋,
申请(专利权)人:江苏高光半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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