封装结构制造技术

本技术提供了一种封装结构，包括：上封装基板；下封装基板；芯片，所述芯片设置于所述上封装基板和所述下封装基板之间；多个导电柱，设置于所述上封装基板和所述下封装基板之间，且设置在所述芯片的外围，相邻的所述导电柱之间的距离在自所述下封装基板至所述上封装基板的方向上均相等。本技术将所述上封装基板及所述下封装基板用导电柱连接，相邻导电柱之间的距离在自所述下封装基板至所述上封装基板的方向上均相等，能够降低相邻的导电柱粘连的概率，从而避免短路的风险，最大限度地提高封装良率，且本技术封装结构相邻的导电柱之间具有更窄的间距，进而能够在不改变封装结构横向尺寸的情况下增加导电柱数量，满足高I/O数量的要求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片领域，尤其涉及一种封装结构。

技术介绍

1、hbpop结构(high bandwidth package on package，高带宽叠层封装结构)用于可以集成到智能手机、平板电脑和其他家电产品的处理器。主要优点是高带宽和高性能计算。最近，市场为了最大限度地提高芯片性能，要求提高i/o数量，降低封装高度。然而，现行hbpop结构在设计中，在增加i/o数量和降低封装高度方面存在局限性。hbpop结构由于ccsb(cu core solid ball，铜芯焊球)间距窄，导致ccsb短路，降低了封装良率。此外，在相同的封装体积下，高i/o数量的需求也越来越大。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是，提供一种封装结构，能够减小上封装基板和下封装基板间的相邻导电柱粘连的概率，避免短路的风险，最大限度地提高封装良率，且本技术封装结构能够满足高i/o数量的要求。

2、为了解决上述问题，本技术提供了一种封装结构，包括：上封装基板；下封装基板；芯片，所述芯片设置于所述上封装基板和所述下封装基板之间；多个导电柱，设置于所述上封装基板和所述下封装基板之间，且设置在所述芯片的外围，相邻的所述导电柱之间的距离在自所述下封装基板至所述上封装基板的方向上均相等。

3、在一些实施例中，所述上封装基板的下表面具有第一凹槽，所述芯片与所述第一凹槽对应设置，所述导电柱设置在所述第一凹槽的外围区域。

4、在一些实施例中，所述芯片的部分区域位于所述第一凹槽内。>

5、在一些实施例中，所述下封装基板的上表面具有第二凹槽，所述芯片与所述第二凹槽对应设置，所述导电柱设置在所述第二凹槽的外围区域。

6、在一些实施例中，所述芯片的部分区域位于所述第二凹槽内。

7、在一些实施例中，所述上封装基板的下表面具有所述第一凹槽，所述下封装基板的上表面具有所述第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的位置相对应，且所述芯片与所述第一凹槽及所述第二凹槽对应，所述导电柱设置在所述第一凹槽以及所述第二凹槽的外围区域。

8、在一些实施例中，所述芯片的部分区域位于所述第一凹槽内，且所述芯片的部分区域位于所述第二凹槽内。

9、在一些实施例中，所述上封装基板和所述下封装基板之间填充有塑封料，所述塑封料包覆所述芯片与所述导电柱。

10、在一些实施例中，所述芯片倒装设置在所述下封装基板的表面。

11、在一些实施例中，所述芯片和所述下封装基板之间具有填充料。

12、本技术将所述上封装基板及所述下封装基板用导电柱连接，相邻的导电柱之间的距离在自所述下封装基板至所述上封装基板的方向上均相等，能够降低相邻的导电柱粘连的概率，从而避免短路的风险，最大限度地提高封装良率，且本技术封装结构相邻的导电柱之间具有更窄的间距，进而能够在不改变封装结构横向尺寸的情况下增加导电柱的数量，满足高i/o数量的要求。

13、此外，本技术还通过在封装基板内部挖凹槽以容纳芯片，在减薄了封装高度的同时增大了芯片顶部与封装基板的间隙，减小了芯片顶部的塑封料产生气泡孔的概率。

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【技术保护点】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述上封装基板的下表面具有第一凹槽，所述芯片与所述第一凹槽对应设置，所述导电柱设置在所述第一凹槽的外围区域。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述芯片的部分区域位于所述第一凹槽内。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述下封装基板的上表面具有第二凹槽，所述芯片与所述第二凹槽对应设置，所述导电柱设置在所述第二凹槽的外围区域。

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述芯片的部分区域位于所述第二凹槽内。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述上封装基板的下表面具有第一凹槽，所述下封装基板的上表面具有第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的位置相对应，且所述芯片与所述第一凹槽及所述第二凹槽对应，所述导电柱设置在所述第一凹槽以及所述第二凹槽的外围区域。

7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述芯片的部分区域位于所述第一凹槽内，且所述芯片的部分区域位于所述第二凹槽内。

8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述上封装基板和所述下封装基板之间填充有塑封料，所述塑封料包覆所述芯片与所述导电柱。

9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述芯片倒装设置在所述下封装基板的表面。

10.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述芯片和所述下封装基板之间具有填充料。

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【技术特征摘要】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述上封装基板的下表面具有第一凹槽，所述芯片与所述第一凹槽对应设置，所述导电柱设置在所述第一凹槽的外围区域。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述芯片的部分区域位于所述第一凹槽内。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述下封装基板的上表面具有第二凹槽，所述芯片与所述第二凹槽对应设置，所述导电柱设置在所述第二凹槽的外围区域。

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述芯片的部分区域位于所述第二凹槽内。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述上封装基板的下表面具有第一凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：金政汉，李铢元，徐健，闵炯一，
申请(专利权)人：星科金朋半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：