【技术实现步骤摘要】
本申请涉及mems传感器，具体而言，涉及一种小型化mems压力传感器及其制备方法。
技术介绍
1、mems压力传感器通常用si的薄膜作为感应压力的膜片，在受到应力作用的膜片上注入压阻条，其阻值随着应力的大小改变。再通过惠斯通电桥的结构将压阻条电阻的变化反映到输出电压的大小。一般性的是背腔是通过湿法的微加工刻蚀工艺得到。湿法的加工工艺是各向异性的且通常会刻蚀成一个斜的面，此会加大芯片的尺寸。尤为典型的应用是mems岛式压力传感器。
技术实现思路
1、本申请为了克服现有技术中的至少一个不足，提供一种小型化mems压力传感器及其制备方法。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种小型化mems压力传感器，包括：
3、基底，具有第一表面和第二表面；
4、压敏电阻，设置于所述第一表面；
5、凹槽，设置于所述第二表面，以形成应变膜和支撑应变膜的基座；
6、其中，所述应变膜和所述基座的内侧面的夹角为90°。
7、在上述技术方案中，应变膜和基座的内侧面的夹角为90°，也即是，基座的内侧面为直面，相比于基座的内侧面为斜面的设置方式，这样能够在保证应变膜尺寸的情况下尽可能地减小基底的尺寸，从而能够减小mems压力传感器的结构尺寸，有利于实现传感器的小型化设计。
8、在一种可选的实施方式中，采用干法刻蚀的工艺形成所述凹槽。
9、在一种可选的实施方式中，所述应变膜的背面设置有岛梁，所述岛梁的侧面和所述应变膜之间的夹
10、在一种可选的实施方式中，所述岛梁为单岛或双岛。
11、在一种可选的实施方式中，所述岛梁为十字梁结构或者半岛梁膜结构。
12、第二方面，本申请实施例还提供一种小型化mems压力传感器的制备方法，包括：
13、提供基底，所述基底具有第一表面和第二表面；
14、在所述基底的第一表面形成压敏电阻；
15、在所述基底的第二表面形成刻蚀窗口；
16、在所述基底的第二表面形成凹槽，以形成应变膜和支撑应变膜的基座，其中，所述应变膜和所述基座的内侧面的夹角为90°。
17、在上述技术方案中，应变膜和基座的内侧面的夹角为90°，也即是，基座的内侧面为直面，相比于基座的内侧面为斜面的设置方式，这样能够在保证应变膜尺寸的情况下尽可能地减小基底的尺寸，从而能够减小mems压力传感器的结构尺寸，有利于实现传感器的小型化设计。
18、在一种可选的实施方式中，采用干法刻蚀的工艺形成所述凹槽。
19、在一种可选的实施方式中，在所述基底的第二表面形成凹槽时，还在所述应变膜的背面形成岛梁，所述岛梁的侧面和所述应变膜之间的夹角为90°。
20、在一种可选的实施方式中，所述岛梁为单岛或双岛。
21、在一种可选的实施方式中，所述岛梁为十字梁结构或者半岛梁膜结构。
22、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种小型化MEMS压力传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的小型化MEMS压力传感器，其特征在于，采用干法刻蚀的工艺形成所述凹槽。
3.根据权利要求1所述的小型化MEMS压力传感器，其特征在于，所述应变膜的背面设置有岛梁，所述岛梁的侧面和所述应变膜之间的夹角为90°。
4.根据权利要求3所述的小型化MEMS压力传感器，其特征在于，所述岛梁为单岛或双岛。
5.根据权利要求3所述的小型化MEMS压力传感器，其特征在于，所述岛梁为十字梁结构或者半岛梁膜结构。
6.一种小型化MEMS压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀的工艺形成所述凹槽。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述基底的第二表面形成凹槽时，还在所述应变膜的背面形成岛梁，所述岛梁的侧面和所述应变膜之间的夹角为90°。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述岛梁为单岛或双岛。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述岛梁
...【技术特征摘要】
1.一种小型化mems压力传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的小型化mems压力传感器，其特征在于，采用干法刻蚀的工艺形成所述凹槽。
3.根据权利要求1所述的小型化mems压力传感器，其特征在于，所述应变膜的背面设置有岛梁，所述岛梁的侧面和所述应变膜之间的夹角为90°。
4.根据权利要求3所述的小型化mems压力传感器，其特征在于，所述岛梁为单岛或双岛。
5.根据权利要求3所述的小型化mems压力传感器，其特征在于，所述岛梁为十字梁结构或者半岛...
【专利技术属性】
技术研发人员：许森，
申请(专利权)人：上海芯绒科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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