【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于投影光刻掩模版制备，涉及一种用于投影光刻的掩模版及其制备方法。
技术介绍
1、光刻工艺之所以能够成功地推动集成电路芯片向更小、更快、更高效的方向发展，应该得益于成像光学这一重要的技术载体。光刻工艺的快速发展使得集成电路芯片变得越来越便宜，这些都需要一块能够重复使用的模板，又称为光掩模版(photomask)。光掩模版是微纳加工技术常用的图形母版，由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩模图形结构，再通过曝光将图形转移到晶圆上。待加工的掩模版由苏打玻璃/石英基片、铬层和光刻胶层构成，其图形结构可通过制版工艺加工获得，常用加工设备为直写式光刻设备。
2、掩模版是芯片制造过程中必不可少的材料，是一种高价值生产耗材，目前国内掩模版行业没有形成完整的产业链，国产化率低。
3、对于nikon i线系列投影式光刻机，掩模版的对版标记共三个，分别位于掩模版的左、右、下侧边缘，图形边缘距离掩模版边缘仅约1mm，直写光刻机以扫描的方式进行曝光，沿y轴方向扫完一列所对应的图形区域称为一个swath，工件台以一定平动速度对每个swath进行扫描曝光时，都要经过一个加速距离以达到设定的扫描速度，这个加速距离称为扫描前距(prescan)，它主要是使工件台从零加速到预定的扫描速度，以使匀胶铬版上的光刻胶在该扫描速度下进行曝光。每个swath扫描曝光后，工件台又经过一定的减速距离即扫描后距(postscan)，从设定的曝光扫描速度减至为零，然后回到扫描起始点，同时步进，进行下一个swath的扫描曝光。在一定的扫描速度下，如果
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于投影光刻的掩模版及其制备方法，以解决现有技术制备的光掩模版容易发生图形错位、线条异常的技术问题。
2、为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：
3、第一方面，本专利技术提供一种用于投影光刻掩模版的制备方法，包括以下步骤：
4、绘制产品版图、frame及投影光刻机所需要的对版标记，得到绘制的掩模版；
5、计算绘制的掩模版的y轴曝光偏移量，并采用激光直写光刻机编写曝光程序，对掩模版进行曝光；
6、对曝光后的掩模版采用显影液及去离子水进行显影及漂洗，再采用腐蚀液及去离子水对掩模版进行腐蚀及漂洗，腐蚀完成后采用去胶液对掩模版进行去胶；
7、使用浓硫酸、过氧化氢及离子水对去胶后的掩模版进行清洗，得到用于投影光刻的掩模版。
8、进一步地，所述产品版图的尺寸根据光刻时所使用的光刻机视场大小确定，当光刻视场最大尺寸为(m×m)μm，投影比例为n：1，则产品版图尺寸不超过(mn×mn)μm。
9、进一步地，所述产品版图中心点为原点坐标(0，0)，掩模版上方的定位线上边缘中心点坐标为(0，y)，其中
10、进一步地，所述对版标记的个数为三个，分别位于掩模版的任意三侧边缘处；三个对版标记的尺寸相同、颜色相同、距原点的距离相同。
11、进一步地，所述掩模版的y轴曝光偏移量的计算公式如下：
12、
13、其中，y为掩模版上方定位线上边缘中心点的纵坐标；a为原点距对版标记的最短距离；b为对版标记的长度。
14、进一步地，所述显影时长为8s～15s，腐蚀时长为50s～80s。
15、进一步地，所述两次漂洗时长均为2s～5s。
16、进一步地，所述去胶时长为5min～10min。
17、进一步地，所述清洗时长为10min～30min。
18、第二方面，本专利技术提供一种用于投影光刻的掩模版，通过上述一种用于投影光刻掩模版的制备方法制备得到。
19、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
20、本专利技术公开了一种用于投影光刻的掩模版及其制备方法，先绘制产品版图、frame及对版标记，并计算掩模版的y轴曝光偏移量；采用激光直写光刻机编写曝光程序，并对掩模版进行曝光；最后通过显影、腐蚀、去胶并清洗得到用于投影光刻的掩模版。本专利技术能够制备出用于nilkon i线投影光刻机的光掩模版，可以应用于集成电路制造中光刻工序曝光工艺所使用的光掩模版，其首次曝光视场偏移量小于0.1μm，层间套刻误差小于0.2μm。本专利技术制备方法理论简单易于理解，成本低廉、过程简便，具有广阔的应用前景。
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1.一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述产品版图的尺寸根据光刻时所使用的光刻机视场大小确定，当光刻视场最大尺寸为(M×M)μm，投影比例为N：1，则产品版图尺寸不超过(MN×MN)μm。
3.根据权利要求2所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述产品版图中心点为原点坐标(0，0)，掩模版上方的定位线上边缘中心点坐标为(0，Y)，其中
4.根据权利要求3所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述对版标记的个数为三个，分别位于掩模版的任意三侧边缘处；三个对版标记的尺寸相同、颜色相同、距原点的距离相同。
5.根据权利要求4所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述掩模版的y轴曝光偏移量的计算公式如下：
6.根据权利要求1所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述显影时长为8s～15s，腐蚀时长为50s～80s。
7.根据权利要求1所述的一种用于投影光刻掩模版的
8.根据权利要求1所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述去胶时长为5min～10min。
9.根据权利要求1所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述清洗时长为10min～30min。
10.一种用于投影光刻的掩模版，其特征在于，通过权利要求1～9任一项所述一种用于投影光刻掩模版的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述产品版图的尺寸根据光刻时所使用的光刻机视场大小确定，当光刻视场最大尺寸为(m×m)μm，投影比例为n：1，则产品版图尺寸不超过(mn×mn)μm。
3.根据权利要求2所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述产品版图中心点为原点坐标(0，0)，掩模版上方的定位线上边缘中心点坐标为(0，y)，其中
4.根据权利要求3所述的一种用于投影光刻掩模版的制备方法，其特征在于，所述对版标记的个数为三个，分别位于掩模版的任意三侧边缘处；三个对版标记的尺寸相同、颜色相同、距原点的距离相同。
5.根据权利要求4所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晨悦，程鹏刚，胡长青，薛丽霞，方娟，苏峰军，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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