一种可均匀洗气的单晶炉制造技术

本技术涉及半导体生产设备技术领域，具体公开了一种可均匀洗气的单晶炉，包括腔体，腔体侧边和上端分别设有若干进气口，腔体内部设有圆柱环，圆柱环上设有若干通孔，通孔侧边均设有若干与之固定安装的导向片，通过在腔体的侧边和上端分别设有若干与腔体内部连通用于往腔体内部输送惰性气体的进气口，这样能够使得进气的气体能够快速扩散到腔体内的大部分位置，并且还在腔体内设有圆柱环，且在圆柱环上设有若干通孔，通孔的侧边均设有若干导向片，通过在通孔的侧边设有若干导向片，这样使得进气的气体由于导向片的引导能够更快速精准的到达腔体内部的各个位置，从而能使腔体内快速进行均匀洗气而达到极限真空状态，进而提高相应工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体生产设备，特别涉及了一种可均匀洗气的单晶炉。

技术介绍

1、单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备；

2、在生产过程中，必须要使单晶炉腔体内保持极限真空的状态，目前市场上将单晶炉腔体内实现极限真空的方法是通过利用腔体底部的进气口往腔体内输送氩气或者氮气等惰性气体，然后通过排气孔口排气从而对腔体内的空气进行洗气，进而使腔体内达到极限真空的状态，但是现有技术中的单晶炉虽然能够使腔体达到极限真空的目的，但是由于进气口数量较少导致进气后气体无法扩散到腔体内的大部分位置，因此需要频繁换气才能使腔体内进行均匀洗气，从而达到极限真空状态，这就使的使腔体达到极限真空的时间会大大延长，从而影响工作效率。

3、本申请所要解决的技术问题为：设计一款能够使腔体内快速均匀洗气从而达到极限真空状态、进而提高工作效率的单晶炉。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一款能够使腔体内快速均匀洗气从而达到极限真空状态、进而提高工作效率的单晶炉。

2、本技术所采用的技术方案为：一种可均匀洗气的单晶炉，包括腔体，腔体侧边和上端分别设有若干与腔体内部连通用于往内输送惰性气体的进气口，腔体内部设有圆柱环，圆柱环上设有若干通孔，通孔侧边均设有若干与之固定安装用于引导气体走向的导向片。

3、在一些实施方式中，腔体为圆柱形，进气口在腔体上端呈圆环形分布。

4、在一些实施方式中，同一个通孔上相邻导向片之间开口呈喇叭状且朝向圆柱环外部。

5、在一些实施方式中，腔体内部还设有用于热熔生产的坩埚，坩埚位于圆柱环内部。

6、在一些实施方式中，腔体底部还设有与外界连通用于排气的排气口，排气口位于圆柱环底部。

7、在一些实施方式中，腔体上端还设有与之连通用于生产进料取料的进料口。

8、在一些实施方式中，进气口和排气口均设有与之限位安装的气嘴。

9、在一些实施方式中，导向片可为规则形状或不规则形状的片状物。

10、在一些实施方式中，导向片还设有用于辅助气体扩散的扩散孔。

11、本技术具有如下技术效果：通过在腔体的侧边和上端分别设有若干与腔体内部连通用于往腔体内部输送惰性气体的进气口，这样能够使得进气的气体能够快速扩散到腔体内的大部分位置，并且还在腔体内设有圆柱环，且在圆柱环上设有若干通孔，通孔的侧边均设有若干导向片，通过在通孔的侧边设有若干导向片，这样使得进气的气体由于导向片的引导能够更快速精准的到达腔体内部的各个位置，从而能使腔体内快速进行均匀洗气而达到极限真空状态，进而提高相应工作效率。

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【技术保护点】

1.一种可均匀洗气的单晶炉，包括腔体(1)，其特征在于，所述腔体(1)侧边和上端分别设有若干与腔体(1)内部连通用于往内输送惰性气体的进气口(2)，所述腔体(1)内部设有圆柱环(3)，所述圆柱环(3)上设有若干通孔(30)，所述通孔(30)侧边均设有若干与之固定安装用于引导气体走向的导向片(31)。

2.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述腔体(1)为圆柱形，所述进气口(2)在腔体(1)上端呈圆环形分布。

3.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，同一个所述通孔(30)上相邻导向片(31)之间开口呈喇叭状且朝向圆柱环(3)外部。

4.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述腔体(1)内部还设有用于热熔生产的坩埚，所述坩埚位于圆柱环(3)内部。

5.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述腔体(1)底部还设有与外界连通用于排气的排气口(4)，所述排气口(4)位于圆柱环(3)底部。

6.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述腔体(1)上端还设有与之连通用于生产进料取料的进料口(5)。

7.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述进气口(2)和排气口(4)均设有与之限位安装的气嘴(6)。

8.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述导向片(31)可为规则形状或不规则形状的片状物。

9.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述导向片(31)还设有用于辅助气体扩散的扩散孔(32)。

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【技术特征摘要】

1.一种可均匀洗气的单晶炉，包括腔体(1)，其特征在于，所述腔体(1)侧边和上端分别设有若干与腔体(1)内部连通用于往内输送惰性气体的进气口(2)，所述腔体(1)内部设有圆柱环(3)，所述圆柱环(3)上设有若干通孔(30)，所述通孔(30)侧边均设有若干与之固定安装用于引导气体走向的导向片(31)。

2.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述腔体(1)为圆柱形，所述进气口(2)在腔体(1)上端呈圆环形分布。

3.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，同一个所述通孔(30)上相邻导向片(31)之间开口呈喇叭状且朝向圆柱环(3)外部。

4.根据权利要求1所述的可均匀洗气的单晶炉，其特征在于，所述腔体(1)内部还设有用于热熔生产的坩埚，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄振涛，梁广锋，陈蛟，
申请(专利权)人：广州粤升半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：