【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学元件加工领域，具体为纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺。
技术介绍
1、在现代生物分析领域，纳米流式细胞仪凭借其能够对单个细胞或微粒进行高精度、高灵敏度的多参数定量分析，已成为不可或缺的关键工具，这种先进仪器的卓越性能在极大程度上依赖于其内部光学元件的质量。
2、光学元件的表面粗糙度、平整度以及光学透过率等关键参数，直接决定了纳米流式细胞仪在检测和分析过程中的准确性与可靠性，例如，极小的表面粗糙度能够减少光的散射和反射损失，确保光信号的精准传输和接收；出色的平整度有助于保持光路的稳定性，避免光的扭曲和偏差；高光学透过率则能让更多的有效光信号被仪器捕捉，从而提高检测的灵敏度和精度；然而，要实现这些理想的参数指标绝非易事。传统的抛光工艺在处理纳米流式细胞仪用光学元件时，面临着诸多严峻的挑战。一方面，传统工艺往往难以将表面粗糙度控制在纳米级别以下，无法满足纳米流式细胞仪对光学元件极高的表面光洁度要求。另一方面，在平整度的把控上，传统方法可能导致微小的凹凸不平，影响光路的一致性和准确性；此外，传统抛光工艺在提高光学透过率方面也表现欠佳。由于无法有效去除表面的微小瑕疵和缺陷，光在通过光学元件时会发生不必要的散射和吸收，从而降低了光学透过率。这一系列问题不仅限制了纳米流式细胞仪的性能发挥，也阻碍了其在生物医学研究、临床诊断等领域的更广泛应用。
3、因此，研发一种创新且高效的抛光工艺，以满足纳米流式细胞仪用光学元件的苛刻要求，成为当前光学元件制造领域亟待解决的重要难题。
技
1、基于此，本专利技术的目的是提供纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，以解决上述
技术介绍
中提到的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，包括以下步骤：
3、首先进行预处理，借助超声波清洗技术对光学元件进行深度清洁，控制清洗液温度在30-40摄氏度，清洗时间为15-20分钟，超声波频率设定在40-60khz，为后续抛光操作清除表面杂质和油污；
4、然后进行粗抛，选用粒径2-4微米的抛光磨料，压力0.6-0.8mpa，转速600-800转/分钟，使用硬度在邵氏a60-70度的聚氨酯材质抛光垫，去除明显划痕和凹凸不平，将表面粗糙度降低至10纳米；
5、接着进行精抛，选用粒径0.2-0.8微米的抛光磨料，压力提升至1.2-1.8mpa，转速增加到1200-1800转/分钟，更换为绒毛长度0.5-1毫米的绒布材质抛光垫，将表面粗糙度降至1纳米以下；
6、之后进行化学机械抛光，采用含特定化学试剂的抛光液，机械作用压力控制在0.2-0.4mpa，抛光液流速50-80毫升/分钟，实现表面原子级平滑；
7、最后进行后处理，用去离子水清洗10-15分钟，再用氮气吹干，气体流速10-15立方米/小时，彻底清除残留抛光液和杂质。
8、在整个抛光过程中，抛光液包含浓度3％-7％的氧化剂过氧化氢、1％-3％的络合剂乙二胺四乙酸以及0.3％-0.7％的表面活性剂十二烷基硫酸钠；
9、粗抛和精抛时，抛光设备工作台保持水平，水平度误差不超过0.05毫米/米，实时监测光学元件表面粗糙度并根据结果调整参数；
10、同时，整个过程环境温度保持在20-25摄氏度，相对湿度50％-60％，后处理干燥时环境相对湿度控制在30％-40％。
11、综上所述，本专利技术主要具有以下有益效果：
12、1、本专利技术通过多步骤的抛光处理，包括预处理、粗抛、精抛和化学机械抛光，能够有效地去除光学元件表面的划痕、凹凸不平和杂质，将表面粗糙度降低至1纳米以下，实现表面的原子级平滑，从而显著提高光学元件的光学性能和成像质量。
13、2、本专利技术在粗抛和精抛过程中，对抛光磨料的粒径、压力、转速等参数进行精确控制，并实时监测表面粗糙度进行调整，同时保持抛光设备工作台的水平度，能够确保每个光学元件都能达到高度一致的抛光效果，提高产品的质量稳定性。
14、3、本专利技术的抛光液中包含特定浓度的氧化剂、络合剂和表面活性剂，有助于提高抛光效率，减少表面损伤，并且能够实现更加均匀和精细的抛光效果。
15、4、本专利技术利用合理的工艺流程和参数设置，能够缩短抛光时间，减少重复加工的可能性，使光学元件能够快速、高效地完成抛光过程，提高生产效率。
16、5、本专利技术整个抛光工艺对环境温度、相对湿度、清洗和干燥等环节都进行了严格的控制和规范，使得工艺具有良好的可控性和可重复性，能够在不同的生产条件下获得稳定的高质量产品。
17、6、本专利技术通过精细的抛光处理，减少了表面缺陷和应力集中，从而有效延长了光学元件在纳米流式细胞仪中的使用寿命，降低了设备的维护成本。
18、7、本专利技术适用范围广，本抛光工艺适用于各种类型和规格的纳米流式细胞仪用光学元件，具有较强的通用性和实用性。
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1.纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：所述抛光液包含浓度在3％-7％范围的氧化剂过氧化氢、1％-3％的络合剂乙二胺四乙酸以及0.3％-0.7％的表面活性剂十二烷基硫酸钠。
3.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：在预处理步骤中，超声波的频率设定在40-60kHz。
4.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：在粗抛和精抛步骤中，抛光设备的工作台保持水平，其水平度误差不超过0.05毫米/米。
5.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：所述化学机械抛光所用的抛光头为软质橡胶材质，其邵氏硬度在A30-40度。
6.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：在后处理的干燥步骤中，干燥环境的相对湿度控制在30％-40％。
7.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：在整个抛光过
8.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：在粗抛和精抛步骤中，实时监测光学元件的表面粗糙度，并根据监测结果调整抛光参数。
9.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：所述化学机械抛光中使用的机械设备为CMP抛光机(1)，所述CMP抛光机(1)内安装有便拆式抛光头(2)，且CMP抛光机(1)内设有与便拆式抛光头(2)对应的螺纹连接头(3)，并且便拆式抛光头(2)端部转动安装有与螺纹连接头(3)螺纹连接的螺母(4)。
10.根据权利要求9所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：所述便拆式抛光头(2)端部固定安装有位于螺母(4)内的连接板(5)，且连接板(5)的宽度小于螺母(4)的内径，并且连接板(5)端部突出螺母(4)，所述螺纹连接头(3)端部开设有与连接板(5)对应的对接槽(6)。
...【技术特征摘要】
1.纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：所述抛光液包含浓度在3％-7％范围的氧化剂过氧化氢、1％-3％的络合剂乙二胺四乙酸以及0.3％-0.7％的表面活性剂十二烷基硫酸钠。
3.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：在预处理步骤中，超声波的频率设定在40-60khz。
4.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：在粗抛和精抛步骤中，抛光设备的工作台保持水平，其水平度误差不超过0.05毫米/米。
5.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：所述化学机械抛光所用的抛光头为软质橡胶材质，其邵氏硬度在a30-40度。
6.根据权利要求1所述的纳米流式细胞仪用光学元件的抛光工艺，其特征在于：在后处理的干燥步骤中，干燥环境的相对湿度控制在30％-40％。
7.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖志宏，
申请(专利权)人：日禺光学科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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