【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光掩模结构的设计方法，且特别是涉及一种具有辅助图案(assist pattern)的光掩模结构的设计方法。
技术介绍
1、在目前光掩模结构的设计方法中，会加入辅助图案来提升分辨率。然而，在对布局图案进行光学邻近修正(optical proximity correction，opc)之后，若辅助图案与布局图案之间的距离太近，在光刻制作工艺中会导致辅助图案被转印至光致抗蚀剂层，而产生非预期的图案。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种光掩模结构的设计方法，其可在光刻制作工艺中防止辅助图案被转印至光致抗蚀剂层。
2、本专利技术提出一种光掩模结构的设计方法，包括以下步骤。提供第一布局图案。在第一布局图案旁加入辅助图案。进行光学邻近修正，而将第一布局图案转变成第二布局图案，其中辅助图案具有邻近于第二布局图案的相邻部，相邻部与第二布局图案之间的第一距离小于安全距离，且安全距离为在光刻制作工艺中防止辅助图案被转印至光致抗蚀剂层的距离。在进行光学邻近修正之后，将相邻部进行偏移，而将第一距离加大至第二距离，其中第二距离大于或等于安全距离。
3、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，辅助图案例如是次分辨率辅助特征(sub-resolution assist feature，sraf)。
4、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，安全距离可大于或等于光掩模规则检查(mask rule check，mrc)所
5、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，辅助图案与第一布局图案之间的初始距离(initial distance)可小于光掩模规则检查所规定的最小距离。
6、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，辅助图案与第一布局图案之间的初始距离可等于光掩模规则检查所规定的最小距离。
7、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，辅助图案与第一布局图案之间的初始距离可大于光掩模规则检查所规定的最小距离。
8、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，还可包括以下步骤。提供第三布局图案。辅助图案可位于第一布局图案与第三布局图案之间。
9、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，光学邻近修正可将第三布局图案转变成第四布局图案。
10、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，辅助图案与第四布局图案之间的第三距离可大于或等于安全距离。
11、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，在将相邻部进行偏移之后，相邻部与第四布局图案之间的第四距离可大于或等于安全距离。
12、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，安全距离可大于或等于光掩模规则检查所规定的最小距离。
13、依照本专利技术的一实施例所述，在上述光掩模结构的设计方法中，光掩模结构可为二元光掩模(binary mask)或相移光掩模(phase shift mask，psm)。
14、基于上述，在本专利技术所提出的光掩模结构的设计方法中，在第一布局图案旁加入辅助图案。进行光学邻近修正，而将第一布局图案转变成第二布局图案。辅助图案具有邻近于第二布局图案的相邻部。相邻部与第二布局图案之间的第一距离小于安全距离。安全距离为在光刻制作工艺中防止辅助图案被转印至光致抗蚀剂层的距离。在进行光学邻近修正之后，将相邻部进行偏移，而将第一距离加大至第二距离。第二距离大于或等于安全距离。如此一来，在利用本专利技术所提出的光掩模结构的设计方法所设计的光掩模结构进行光刻制作工艺时，可在防止辅助图案被转印至光致抗蚀剂层，进而防止产生非预期的图案。此外，本专利技术所提出的光掩模结构的设计方法可具有较大的制作工艺裕度且可提升制作工艺分辨率(process resolution)。另外，在利用本专利技术所提出的光掩模结构的设计方法所设计的光掩模结构进行光刻制作工艺之后，所获得的光致抗蚀剂图案的关键尺寸可达到目标。
15、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
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1.一种光掩模结构的设计方法，包括：
2.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案包括次分辨率辅助特征。
3.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述安全距离大于或等于光掩模规则检查所规定的最小距离。
4.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案与所述第一布局图案之间的初始距离小于光掩模规则检查所规定的最小距离。
5.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案与所述第一布局图案之间的初始距离等于光掩模规则检查所规定的最小距离。
6.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案与所述第一布局图案之间的初始距离大于光掩模规则检查所规定的最小距离。
7.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，还包括：
8.如权利要求7所述的光掩模结构的设计方法，其中所述光学邻近修正将所述第三布局图案转变成第四布局图案。
9.如权利要求8所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案与所述第四布局图案之间的第三距离大于或等于所述安全距离。
...【技术特征摘要】
1.一种光掩模结构的设计方法，包括：
2.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案包括次分辨率辅助特征。
3.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述安全距离大于或等于光掩模规则检查所规定的最小距离。
4.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案与所述第一布局图案之间的初始距离小于光掩模规则检查所规定的最小距离。
5.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案与所述第一布局图案之间的初始距离等于光掩模规则检查所规定的最小距离。
6.如权利要求1所述的光掩模结构的设计方法，其中所述辅助图案与所述第一布局图案之间的初始距离大于光掩模规则检查所规定的最小距离。
【专利技术属性】
技术研发人员：钱奎羽，麦永庆，叶信杏，林嘉祺，赖俊丞，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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