System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 吡啶并[3,4-b]吡嗪-5-胺类化合物的合成方法技术_技高网

吡啶并[3,4-b]吡嗪-5-胺类化合物的合成方法技术

技术编号:43004104 阅读:10 留言:0更新日期:2024-10-18 17:12
本发明专利技术涉及可用于合成吡啶并[3,4‑b]吡嗪‑5‑胺类化合物的中间体的合成方法。本发明专利技术属于药物化学领域和医药中间体领域。更具体而言,本发明专利技术涉及可用于合成吡啶并[3,4‑b]吡嗪‑5‑胺类化合物的中间体的新合成方法,还涉及一些新的中间体化合物及其合成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于药物化学领域和医药中间体领域。更具体而言,本专利技术涉及可用于合成吡啶并[3,4-b]吡嗪-5-胺类化合物的中间体的新合成方法,并且还涉及一些新的中间体化合物及其合成方法。


技术介绍

1、式(2-i)化合物是一类重要的医药中间体,可用于制备多种药用物质,例如,可用于制备wo2012167733a1中所公开的用于治疗自身免疫性疾病、炎症性疾病或癌症的吡啶并[3,4-b]吡嗪类化合物。

2、

3、式(2-i)化合物的合成已有相关报道。例如,这类医药中间体可以根据专利申请wo2012167733a1中记载的合成方法(例如路线i)进行合成。

4、路线i:

5、

6、wo2012167733a1的实施例1公开了以上路线i中的关键中间体式(1)化合物的合成,例如5,7-二氯吡啶并[3,4-b]吡嗪(中间体1)的合成路线如下:

7、

8、在该合成路线中,由起始原料2,6-二氯吡啶-4-胺(sm-a)依次通过硝化、转位、还原和合环得到5,7-二氯吡啶并[3,4-b]吡嗪(中间体1)。其过程中间体sm-b、sm-c、sm-d和中间体1均有致敏性,并且合成sm-c的硝化反应具有潜在的安全性问题;而且,起始原料sm-a本身的合成需要用到氧化和硝化这样不安全的操作,不利于大规模工业化生产;另外,该工艺路线长,生产成本较高。

9、因此,需要新的合成方法来改善现有技术的上述缺陷。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种全新的可用于合成吡啶并[3,4-b]吡嗪-5-胺类化合物的中间体的合成方法,改善了现有技术的上述缺陷,满足了上述需求。具体而言,本专利技术的方法不涉及上述具有致敏性的中间体,也不涉及硝化反应,能有效避免制备过程中的致敏性和潜在的硝化反应安全性;同时减少了合成步骤,降低了生产成本,更有利于大规模工业化生产。

2、在第一个方面,本专利技术涉及式(1-i)化合物或其盐、互变异构体、立体异构体、同位素衍生物或溶剂合物,

3、

4、其中,

5、cy1是3-8元杂环基(例如3-8元杂环烷基),其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:卤素、-cn、-oh、-sh、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c1-6卤代烷基、c1-6羟基烷基、-co(c1-6烷基)、-co(c1-6卤代烷基)、-conh2、-conh(c1-6烷基)、-con(c1-6烷基)2、-n(c1-6烷基)co(c1-6烷基)、-so2(c1-6烷基)、-so2nh(c1-6烷基)、-so2n(c1-6烷基)2、-co(c3-8环烃基)、-co(3-8元杂环基)、-so2(c3-8环烃基)、-so2(3-8元杂环基);优选地,cy1是5-6元杂环基(例如5-6元杂环烷基),其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:卤素、-oh、c1-6烷基、c1-6羟基烷基、-co(c1-6烷基)、-co(c1-6卤代烷基)、-conh2、-con(c1-6烷基)2、-n(c1-6烷基)co(c1-6烷基)、-so2(c1-6烷基)、-so2nh(c1-6烷基);更优选地,cy1选自吡咯烷基、哌啶基、哌嗪基、吗啉基和硫代吗啉基,其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:卤素、-oh、c1-4烷基、c1-4羟基烷基、-co(c1-4烷基)、-co(c1-4卤代烷基)、-conh2、-con(c1-4烷基)2、-n(c1-4烷基)co(c1-4烷基)、-so2(c1-4烷基)、-so2nh(c1-4烷基);进一步优选地,cy1是哌啶基,其任选地被一个或多个独立地选自-so2(c1-6烷基)、优选选自-so2(c1-4烷基)的取代基取代;还进一步优选地,cy1是哌啶基,其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:-so2(ch3)。

6、在第一个方面的一个优选实施方案中,本专利技术涉及上述式(1-i)化合物,其中,cy1是哌啶基,其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:卤素、-oh、c1-4烷基、c1-4羟基烷基、-co(c1-4烷基)、-co(c1-4卤代烷基)、-conh2、-con(c1-4烷基)2、-n(c1-4烷基)co(c1-4烷基)、-so2(c1-4烷基)、-so2nh(c1-4烷基)。

7、在第一个方面的一个更优选的实施方案中,本专利技术涉及上述式(1-i)化合物,其中cy1是更优选是

8、在第二个方面,本专利技术涉及制备式(1-i)化合物或其盐、互变异构体、立体异构体、同位素衍生物或溶剂合物的方法,

9、

10、其中,

11、cy1是3-8元杂环基(例如3-8元杂环烷基),其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:卤素、-cn、-oh、-sh、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c1-6卤代烷基、c1-6羟基烷基、-co(c1-6烷基)、-co(c1-6卤代烷基)、-conh2、-conh(c1-6烷基)、-con(c1-6烷基)2、-n(c1-6烷基)co(c1-6烷基)、-so2(c1-6烷基)、-so2nh(c1-6烷基)、-so2n(c1-6烷基)2、-co(c3-8环烃基)、-co(3-8元杂环基)、-so2(c3-8环烃基)、-so2(3-8元杂环基);优选地,cy1是5-6元杂环基(例如5-6元杂环烷基),其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:卤素、-oh、c1-6烷基、c1-6羟基烷基、-co(c1-6烷基)、-co(c1-6卤代烷基)、-conh2、-con(c1-6烷基)2、-n(c1-6烷基)co(c1-6烷基)、-so2(c1-6烷基)、-so2nh(c1-6烷基);更优选地,cy1选自吡咯烷基、哌啶基、哌嗪基、吗啉基和硫代吗啉基,其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:卤素、-oh、c1-4烷基、c1-4羟基烷基、-co(c1-4烷基)、-co(c1-4卤代烷基)、-conh2、-con(c1-4烷基)2、-n(c1-4烷基)co(c1-4烷基)、-so2(c1-4烷基)、-so2nh(c1-4烷基);进一步优选地,cy1是哌啶基,其任选地被一个或多个独立地选自-so2(c1-6烷基)、优选选自-so2(c1-4烷基)的取代基取代;还进一步优选地,cy1是哌啶基,其任选地被一个或多个独立地选自以下的取代基取代:-so2(ch3),

12、该方法包括如下步骤:

13、(i)使式(1-1)化合物

14、

15、其中,cy1如上文所定义;x1是离去基,例如选自卤素、对甲苯磺酰氧基和甲磺酰氧基;优选地,x1是卤素;更优选地,x1是溴;

16、与式(1-2)化合物进行sonogashira反应,

17、

18、其中,prt是炔基保护基,优选选自(c1-6烷基)3硅基和羟基异丙基,例如选自(c1-4烷基)3硅基和羟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.制备式(2-i)化合物或其盐、互变异构体、立体异构体、同位素衍生物或溶剂合物的方法,

2.根据权利要求1所述的方法,其中,Cy1是

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,R1是优选是

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,步骤(i)中所述的胺解反应在助剂存在下、在溶剂中于40℃-140℃的温度下进行;

6.制备式(2-i)化合物或其盐、互变异构体、立体异构体、同位素衍生物或溶剂合物的方法,

7.根据权利要求6所述的方法,其中,Cy1是

8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,R1是优选是

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法,其中,X4均是溴。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法,其中,

11.根据权利要求6至10中任一项所述的方法,其中,步骤(ii)中所述的胺解反应在助剂存在下、在溶剂中于40℃-140℃的温度下进行;

12.根据权利要求6至11中任一项所述的方法,其中,步骤(i)中所述的与卤素发生加成反应在溶剂中于10℃-50℃的温度下进行;

...

【技术特征摘要】

1.制备式(2-i)化合物或其盐、互变异构体、立体异构体、同位素衍生物或溶剂合物的方法,

2.根据权利要求1所述的方法,其中,cy1是

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,r1是优选是

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,步骤(i)中所述的胺解反应在助剂存在下、在溶剂中于40℃-140℃的温度下进行;

6.制备式(2-i)化合物或其盐、互变异构体、立体异构体、同位素衍生物或溶剂合物的方法,

7...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚启孙葛崇峰张斌刘波
申请(专利权)人:和记黄埔医药上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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