扩大记忆胞操作区间的方法及应用其的非挥发记忆体阵列技术

本发明专利技术是有关于一种扩大记忆胞操作区间的方法及应用其的非挥发记忆体阵列，是在虚拟接地（ｇｒｏｕｎｄ）电荷捕捉记忆体ＥＥＰＲＯＭ阵列中，扩大其电荷捕捉记忆胞的程序化区间的方法。该方法可实质上消除第二位元效应，同时将干扰程序化至相邻的电荷储存记忆胞中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种操作半导体记忆胞的方法，特别是涉及一种程序化氮化物只读记 忆胞的方法。
技术介绍
非挥发半导体记忆装置可用以维持程序化的资讯，纵使在缺乏电力时亦同。只读 记忆体(ROM)即为电子设备中常用的非挥发记忆体，常见于具有微处理器的数字电子装置 与行动电子装置中。典型的装置包含多个记忆胞阵列。各记忆胞阵列可视为包含字线和位线的交叉。 各字线和位线(或位线对)的交叉点可对应于记忆体的一个位元。在遮罩可程序化金属氧 化物半导体装置中，字线和位线交叉点的主动MOS晶体管存在于否，即可代表所储存的逻 辑为0或1。可程序化的只读记忆体(PROM)近似于遮罩可程序化ROM，其差别仅在于使用者可 以利用PROM程序器储存资料数值(即程序化PR0M)。典型的PROM装置，是在所有字线与位 线的交叉点制造可熔连结。此即对应使得所有的位元具有一特定的逻辑值，典型的逻辑值 为1。使用PROM程序器，可将所需的位元设置为相对的逻辑值，其典型是施加高电压来切断 对应于指定位元的可熔连结。典型的PROM装置仅可程序化一次。可擦除与可程序化的只读记忆体(EPROM)即可如PROM般进行程序化，但可同时利 用紫外光的照射来进行擦除(例如，造成所有逻辑均为1的状态)。典型的EPROM装置在字 线与位线的交叉点具有浮动栅极MOS晶体管。各MOS晶体管具有两个栅极一浮动栅极与 一非浮动栅极或控制栅极。浮动栅极并未于任何导体具有电性连接，同时被高阻抗的绝缘 材料所包围。为程序化EPROM装置，可施加高电压至该位于各个位元位置的非浮动栅极，各 个位元位置可储存一逻辑值(例如，逻辑值为0)。由此造成绝缘材料内部的崩溃，同时允许 负电荷在浮动栅极中堆积。当高电压消失时，负电荷仍然位于浮动栅极中。在随后的读取 运作中，负电荷防止MOS晶体管在被选取时(即在沟道被开启时)，在源极位线与漏极位线 之间形成低电阻沟道。EPROM集成电路通常放置于具有石英盖的封装之中，而EPROM的擦除即是将EPROM 于紫外光之下照射，使该紫外光穿越石英盖。在紫外光照射时，包围浮动栅极的绝缘材料会 具有微导电性，因此可以使得堆积在浮动栅极的负电荷发散。典型的电性可擦除可程序化只读记忆体(EEPROM)类似于EPROM装置，其差别在于 个别储存的位元可被电性擦除。EEPROM装置中的浮动栅极被更薄的绝缘层所包围，同时，只 要施加与非浮动栅极上的程序化电压极性相反的电压，即可使堆积在浮动栅极上的负电荷发散。区域化的电荷捕捉装置可亦可做为非挥发记忆胞，亦同时被称为电荷捕捉记忆装置。电荷捕捉记忆装置已知可在每个记忆胞中储存多个位元。依据一种传统的实施方式，电荷可储存在氮化物层的两个区域中，其中各区域形成传统电荷捕捉记忆胞的一部分。 此外，多位元的电荷捕捉记忆胞可利用单一晶体管形成，使得其密度高于利用多个浮动栅 极的传统记忆体。程序化电荷捕捉记忆装置时，可能会引发一些不希望见到到的影响，此等副作用 会损害决定电荷捕捉记忆装置的一区域的程序化状态的能力。这些不希望见到的影响，可 能包含程序化干扰与第二位元效应，其可能大量缩小电荷捕捉记忆装置运作时的程序化区 间。因此产生需求，希望一种程序化电荷捕捉记忆胞的方法，希望在程序化电荷捕捉记忆装置时，可以解决在先前技术中所不希望见到的效应，即例如程序化干扰与第二位元 效应。由此可见，上述现有的记忆胞阵列在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有 不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来 谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适 切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设 一种新的扩大记忆胞操作区间的方法及应用其的非挥发记忆体阵列，实属当前重要研发课 题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的记忆胞操作区间的方法存在的缺陷，而提供一种 新的扩大记忆胞操作区间的方法，所要解决的技术问题是使其消除第二位元效应，同时将 干扰程式程序化至相邻的电荷储存记忆胞中，非常适于实用。本专利技术的另一目的在于，克服现有的非挥发记忆体阵列存在的缺陷，而提供一种 新的非挥发记忆体阵列，所要解决的技术问题是使其消除第二位元效应，同时将干扰程式 程序化至相邻的电荷储存记忆胞中，非常适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出 的一种扩大电荷捕捉记忆胞的程序化区间的方法，包含提供具有多个电荷捕捉记忆胞的 一阵列，该阵列包含多个电荷捕捉记忆胞横列；指定该阵列中的一横列；指定该指定横列 中的一第一电荷捕捉记忆胞，该第一电荷捕捉记忆胞具有一第一资料区域与一第二资料区 域；依据该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域与该第二资料区域，接受一第一程序化 指令；当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域时，程序 化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域；以及当该第一程序化指令下令程序化该第一 电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域以及当该第一程序化指令没有下令程序化该第一电荷 捕捉记忆胞的该第二资料区域时，擦除该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的方法，其中该程序化该第一资料区域的步骤包含将具有一第一极性的一电 荷注入该第一资料区域。前述的方法，其中该注入具有该第一极性的该电荷包含注入多个沟道热电子。前述的方法，其中该第二资料区域的该擦除包含注入具有一第二极性的一电荷进 入该第二资料区域。前述的方法，其中该注入具有该第二极性该电荷包含注入多个能带至能带热电洞。前述的方法，其中该擦除在该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域是在该程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域之前进行。前述的方法，其中该擦除在该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域是在该程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域之后进行。前述的方法，还包含依据位于该阵列的该指定横列的一第二电荷捕捉记忆胞，接 受一第二程序化指令，该第二电荷捕捉记忆胞具有第一资料区域与第二资料区域，其中该 第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域与该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域分享 一位线；当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域时，程 序化位于该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域；以及当该第一程序化指令下令程序 化在该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域时及当该第二程序化指令没有下令程序化 该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域时，擦除该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区 域。前述的方法，其中该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域的擦除是在该程序化 该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域之前进行。前述的方法，其中该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域的擦除是在该程序化 该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域之后进行。前述的方法，其中在该第一程序化记忆胞未程序化时，该程序化改变该第一电荷 捕捉记忆胞的至少一资料区域的一临界电压至一数值，其与该至少一资料区域的该临界电 压区隔。前述的方法，其中在该第一程序化记忆胞未程序化时，该程序化改变该第一电荷 捕捉记忆胞的至少一资本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩大电荷捕捉记忆胞的程序化区间的方法，其特征在于包含：提供具有多个电荷捕捉记忆胞的一阵列，该阵列包含多个电荷捕捉记忆胞横列；指定该阵列中的一横列；指定该指定横列中的一第一电荷捕捉记忆胞，该第一电荷捕捉记忆胞具有一第一资料区域与一第二资料区域；依据该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域与该第二资料区域，接受一第一程序化指令；当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域时，程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域；以及当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域以及当该第一程序化指令没有下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域时，擦除该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏舟，杨怡箴，林慧芝，张耀文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]