【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据处理，尤其涉及一种基于sram的数据读改写方法、电路、芯片及车载终端。
技术介绍
1、静态随机存取存储器(static random access memory，sram)是一种随机存取存储器。sram在保持通电时，其所存储的数据可以恒常保持。从而，sram在数据处理中得到广泛使用。
2、但是，sram在进行数据处理时，如进行小位宽数据改写时，需要进行安全看护编码。如果将新数据直接写入sram的原始数据中进行替换更新，会导致安全看护编码异常。因此，在实际使用sram进行数据更新时，需要先将原始数据从sram中读出，将新数据替换原始数据中的部分数据，并进行重新编码，将编码后的数据重新写回sram。
3、由于上述处理流程比直接进行sram数据写入，多消耗了从sram进行原始数据读取的时间，降低了访问存储速度，无法满足高性能存储时的快速访存需求。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种基于sram的数据读改写方法、电路、芯片及车载终端，以节省在sram进行数据读取的时间开销，提升sram数据读改写访问速度。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种基于sram的数据读改写方法，该方法包括：
3、获取数据读改写请求，并确定所述数据读改写请求中的数据访问地址以及对应的目标数据；
4、当数据缓存区中存在所述数据访问地址时，读取所述数据缓存区中与所述数据访问地址对应的第一原始数据；
5、根据所述目标数据对所述
6、将所述第一更新数据更新至sram以及数据缓存区中与所述数据访问地址对应的数据区。
7、根据本专利技术的另一方面，提供了一种基于sram的数据读改写电路，该电路包括：数据缓存区、sram接口控制器、sram、数据更新器、以及判断器；其中：
8、所述判断器与所述数据缓存区以及sram接口控制器连接；所述数据更新器与所述数据缓存区以及sram接口控制器连接；sram接口控制器与sram连接；
9、所述判断器，用于获取总线传输的数据读改写请求，确定所述数据读改写请求中的数据访问地址；并判断数据缓存区中是否存在所述数据访问地址；
10、所述数据更新器，用于当数据缓存区中存在所述数据访问地址时，读取所述数据缓存区中与所述数据访问地址对应的第一原始数据；获取总线传输的数据读写请求中的目标数据；根据所述目标数据对所述第一原始数据进行改写，生成第一更新数据；并将所述第一更新数据传输至所述数据缓存区以及sram接口控制器；
11、所述sram接口控制器，用于对sram进行写控制，将所述第一更新数据更新至sram；
12、所述数据缓存区，用于在与所述数据访问地址对应的数据区缓存所述第一更新数据。
13、根据本专利技术的另一方面，提供了一种芯片，该芯片包括如本专利技术任一实施例所提供的基于sram的数据读改写电路。
14、根据本专利技术的另一方面，提供了一种芯片，该芯片包括：
15、sram、数据缓存区、至少一个处理器；以及
16、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
17、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本专利技术任一实施例所提供的基于sram的数据读改写方法。
18、根据本专利技术的另一方面，提供了一种车载终端，该车载终端包括如本专利技术任一实施例所提供的芯片。
19、根据本专利技术的另一方面，提供了一种基于sram的数据读改写装置，该装置包括：
20、访问信息确定模块，用于获取数据读改写请求，并确定所述数据读改写请求中的数据访问地址以及对应的目标数据；
21、缓存区数据读取模块，用于当数据缓存区中存在所述数据访问地址时，读取所述数据缓存区中与所述数据访问地址对应的第一原始数据；
22、数据改写模块，用于根据所述目标数据对所述第一原始数据进行改写，生成第一更新数据；
23、数据更新模块，用于将所述第一更新数据更新至sram以及数据缓存区中与所述数据访问地址对应的数据区。
24、根据本专利技术的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本专利技术任一实施例所述的基于sram的数据读改写方法。
25、根据本专利技术的另一方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实现本专利技术任一实施例所述的基于sram的数据读改写方法。
26、本专利技术实施例的技术方案，通过获取数据读改写请求，并确定数据读改写请求中的数据访问地址以及对应的目标数据；当数据缓存区中存在数据访问地址时，读取数据缓存区中与数据访问地址对应的第一原始数据；根据目标数据对第一原始数据进行改写，生成第一更新数据；将第一更新数据更新至sram以及数据缓存区中与数据访问地址对应的数据区，解决了sram数据读改写中由于在sram中进行数据读取带来时间消耗的问题，可以从数据缓存区中读取原始数据，可节省在sram进行数据读取的时间开销，提升sram数据读改写访问速度。
27、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于SRAM的数据读改写方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述第二更新数据以及对应的所述数据访问地址更新至所述数据缓存区中，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据对所述数据缓存区的缓存请求，在所述数据缓存区中确定目标缓存位置，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述目标数据对所述第一原始数据进行改写，生成第一更新数据之前，还包括：
6.一种基于SRAM的数据读改写电路，其特征在于，所述电路，包括：数据缓存区、SRAM接口控制器、SRAM、数据更新器、以及判断器；其中：
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，
8.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求6或7所述的基于SRAM的数据读改写电路。
9.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：
10.一种车载终端，其特征在于，所述车载终端包括如权利要求8或9所述的芯片。
【技术特征摘要】
1.一种基于sram的数据读改写方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述第二更新数据以及对应的所述数据访问地址更新至所述数据缓存区中，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据对所述数据缓存区的缓存请求，在所述数据缓存区中确定目标缓存位置，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述目标数据对所述第一原始数据进行改写，生...
【专利技术属性】
技术研发人员：李汶芯，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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