【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路，尤其涉及一种电压调节电路、芯片和电子设备。
技术介绍
1、由于集成电路在制造过程中不可避免地产生一些工艺偏差和/或结构偏差，运算放大器的两个输入端的电压出现不相等的情况，从而运算放大器发生失调，导致其输出端无法输出恒定的电压。为了使运算放大器的输出端输出恒定的电压，可以通过在运算放大器的任一输入端叠加失调电压vos，使得运算放大器的两个输入端的电压相等，其中失调电压也可称为失调量。由于失调电压会影响运算放大器的性能，例如影响运算放大器输出电压的稳定性，因此为了消除失调电压，通常采用自动调零技术，构建一个自动调零电路，在采样周期采集运算放大器的失调量，并将运算放大器的失调电压存储在自动调零电路的电容上，并在输出周期将失调电压消除。
2、运算放大器的失调电压可以分为系统失调电压和随机失调电压，但是上述自动调零电路在输出周期更多地是将随机失调电压消除，系统失调电压仍然存在，该系统失调电压会影响运算放大器的性能。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种电压调节电路、芯片和电子设备，用于解决系统失调电压影响运算放大器的性能的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种电压调节电路，包括：第一调零模块、第二调零模块和电压调节模块，
3、第一调零模块与电压调节模块连接，第二调零模块与电压调节模块连接；电压调节模块用于将第一电压和第二电压的差值调整在第一差值区间内，以及将第三电压和第二电压的差值调整在第二差值区间内，还用于减小电压调节电路的系统失调电
4、在第一方面一些可选的实施例中，第一差值区间和所述第二差值区间为同一差值区间。
5、在第一方面一些可选的实施例中，电压调节模块包括：金属氧化物半导体晶体管和电流子模块；金属氧化物半导体晶体管分别与第一调零模块、第二调零模块、电流子模块连接；电流子模块用于向金属氧化物半导体晶体管输入偏置电流。
6、在第一方面一些可选的实施例中，金属氧化物半导体晶体管包括p型金属氧化物半导体晶体管和n型金属氧化物半导体晶体管，电流子模块包括电阻、电流源、电流镜。
7、在第一方面一些可选的实施例中，电压调节模块包括：负反馈运算放大器，负反馈运算放大器的输出端与第一调零模块连接，负反馈运算放大器的输出端与第二调零模块连接，负反馈运算放大器的负输入端与负反馈运算放大器的输出端连接，负反馈运算放大器的正输入端与电压调节电路的输出端连接。
8、在第一方面一些可选的实施例中，第一调零模块包括第一输出级运算放大器、第一辅助级运算放大器、第一电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关和第五开关；第一输出级运算放大器的正输入端与第一开关的第一端连接，第二开关的第一端与第一输出级运算放大器的正输入端连接，第二开关第二端与第一输出级运算放大器的负输入端连接，第一输出级运算放大器的输出端与第三开关的第一端连接，第三开关的第二端与电压调节电路的输出端连接，第一输出级运算放大器的输出端与第一辅助级运算放大器的输出端连接，第一辅助级运算放大器的负输入端与第四开关的第一端连接，第四开关的第二端与第三开关的第一端连接，第一电容的正极与第一辅助级运算放大器的负输入端连接，第一电容的负极与第一辅助级运算放大器的正输入端连接。
9、在第一方面一些可选的实施例中，第二调零模块包括第二输出级运算放大器、第二辅助级运算放大器、第二电容、第六开关、第七开关、第八开关、第九开关和第十开关；第二输出级运算放大器的正输入端与第六开关的第一端连接，第七开关的第一端与第二输出级运算放大器的正输入端连接，第七开关第二端与第二输出级运算放大器的负输入端连接，第二输出级运算放大器的输出端与第八开关的第一端连接，第八开关的第二端与所述电压调节电路的输出端连接，第二输出级运算放大器的输出端与第二辅助级运算放大器的输出端连接，第二辅助级运算放大器的负输入端与第九开关的第一端连接，第九开关的第二端与第八开关的第一端连接，第二电容的正极与所述第二辅助级运算放大器的负输入端连接，第二电容的负极与第二辅助级运算放大器的正输入端连接；第一开关的第二端与第六开关的第二端连接，第二开关的第二端与第七开关的第二端连接。
10、在第一方面一些可选的实施例中，电压调节模块包括n型金属氧化物半导体晶体管和电流源，n型金属氧化物半导体晶体管的栅极与电压调节电路的输出端连接，n型金属氧化物半导体晶体管的源极与第一辅助级运算放大器的正输入端连接，n型金属氧化物半导体晶体管的栅极与电流源连接。
11、在第一方面一些可选的实施例中，电压调节电路包括逻辑模块，当逻辑模块基于预设周期向电压调节电路发送第一信号，第一信号用于指示第一调零模块处于第一周期，第二调零模块处于第二周期，第二开关、第四开关、第五开关、第七开关、第九开关和第十开关处于闭合状态，第一开关、第三开关、第六开关和第八开关处于断开状态；
12、当所述逻辑模块基于所述预设周期向所述电压调节电路发送第二信号，第二信号用于指示第一调零模块处于所述第二周期，第二调零模块处于第一周期，第二开关、第四开关、第五开关、第七开关、第九开关和第十开关处于断开状态，第一开关、第三开关、第六开关和第八开关处于闭合状态。
13、在第一方面一些可选的实施例中，第一周期和第二周期包括采样周期和输出周期，并且第一周期和所述第二周期不同。
14、在第一方面一些可选的实施例中，第一电压为第一辅助级运算放大器的正输入端电压，第三电压为第二辅助级运算放大器的正输入端电压；n型金属氧化物半导体晶体管的栅极电压、第一电压和第三电压相等，n型金属氧化物半导体晶体管的源极电压与第二电压相等，n型金属氧化物半导体晶体管处于饱和区；n型金属氧化物半导体晶体管的栅源电压为第一电压和第二电压的差值，或者n型金属氧化物半导体晶体管的栅源电压为第三电压和第二电压的差值。
15、第二方面，本申请提供了一种芯片，芯片包括如上述第一方面提及的电压调节电路。
16、第三方面，本申请提供一种电子设备，包括上述第二方面提及的芯片。
17、本申请的有益效果为：利用电压调节模块调节输出电压vout，将输出电压vout控制在vref附近，实现vin可以减小至较小的量，从而使得在电压调节电路中，当输出电压vout工作点变化时，系统失调电压vin不会随之变化，实现较大范围内减弱系统失调电压，从而可以在全范围内保证较小的系统失调电压。
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1.一种电压调节电路，其特征在于，所述电压调节电路包括：第一调零模块、第二调零模块和电压调节模块，
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一差值区间和所述第二差值区间为同一差值区间。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压调节模块包括：金属氧化物半导体晶体管和电流子模块；
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体晶体管包括P型金属氧化物半导体晶体管和N型金属氧化物半导体晶体管，
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压调节模块包括：负反馈运算放大器，
6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一调零模块包括第一输出级运算放大器、第一辅助级运算放大器、第一电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关和第五开关；
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第二调零模块包括第二输出级运算放大器、第二辅助级运算放大器、第二电容、第六开关、第七开关、第八开关、第九开关和第十开关；
8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述电压调节模块包括所
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，包括逻辑模块，
10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述第一周期和所述第二周期包括采样周期和输出周期，并且所述第一周期和所述第二周期不同。
11.根据权利要求10所述的电路，其特征在于，
12.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括权利要求1至11中任一项所述电压调节电路。
13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求12所述的芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种电压调节电路，其特征在于，所述电压调节电路包括：第一调零模块、第二调零模块和电压调节模块，
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一差值区间和所述第二差值区间为同一差值区间。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压调节模块包括：金属氧化物半导体晶体管和电流子模块；
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体晶体管包括p型金属氧化物半导体晶体管和n型金属氧化物半导体晶体管，
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压调节模块包括：负反馈运算放大器，
6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一调零模块包括第一输出级运算放大器、第一辅助级运算放大器、第一电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关和第五开关；
...【专利技术属性】
技术研发人员：温馨，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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