【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，特别地具有熔丝部的mim电容器，及其制造方法。
技术介绍
1、已知作为半导体电容器的具有金属绝缘体金属(metal insulator metal，mim)结构的半导体器件。在具有mim结构的半导体器件中，形成有复数个金属层，并且在金属层之间形成有绝缘层(例如，专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本未审查专利申请公开第2007-208190号
技术实现思路
1、技术问题
2、在具有包含复数个金属层的mim结构的半导体器件中，在复数个金属层中靠近基底的位置处所形成的第一金属层与形成作为第一金属层上的上层的第二金属层之间形成有聚酰亚胺膜。当对布线部中的第二金属层进行蚀刻时，在聚酰亚胺膜上发生膜变薄。此外，在蚀刻之后由于灰化和有机物去除而在第二金属层的下部中的聚酰亚胺膜上引起侧蚀。因此，当在第二金属层上形成sio2膜时，存在覆盖变得不足的问题，导致第三金属层的覆盖差以及阶梯式断开(step disconnection)的产生。
3、此外，存在这样的问题：由于在形成sio2膜的步骤中进行高温处理，因此在聚酰亚胺膜中产生余气气体，并且余气气体的应力导致第二金属层的层离(金属层离)。
4、本专利技术是考虑到上述问题而进行的并且其目的是提供这样的半导体器件：在具有mim结构的半导体器件中可以减少在布线层中发生的阶梯式断开和金属层离的产生。
5、技术方案>
6、根据本专利技术的半导体器件包括：半导体基底，所述半导体基底具有其上形成有沟槽部的一个主表面；形成在沟槽部中的复数个熔丝布线；金属布线，所述金属布线设置在与一个主表面的沟槽部隔开的位置处并在一个主表面上暴露；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成为覆盖一个主表面并且具有使复数个熔丝布线暴露的第一开口和使金属布线暴露的第二开口；聚合物绝缘膜，所述聚合物绝缘膜形成在第一开口中以掩埋沟槽部中的复数个熔丝布线；第一金属部，所述第一金属部形成为覆盖聚合物绝缘膜；第二金属部，所述第二金属部延伸为覆盖金属布线的在第二开口中暴露的表面和第一绝缘膜的在第二开口的外围边缘的表面；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜掩埋聚合物绝缘膜的上表面上的第一金属部并覆盖第二金属部以使第二金属部的上表面部分地暴露；以及第三金属部，所述第三金属部处于从第二金属部的由第二绝缘膜暴露的上表面至第二绝缘膜的上表面。
7、根据本专利技术的半导体器件的制造方法包括：第一步骤，准备具有形成在一个主表面上的沟槽部的半导体基底；第二步骤，在半导体基底的一个主表面上形成第一金属层以在沟槽部中形成由第一金属层构成的复数个熔丝布线，以及在一个主表面上的与一个主表面的沟槽部隔开的位置形成由第一金属层构成的金属布线；第三步骤，形成第一绝缘膜以覆盖一个主表面并且具有使复数个熔丝布线暴露的第一开口和使金属布线暴露的第二开口；第四步骤，在第一开口中形成聚合物绝缘膜以掩埋沟槽部中的复数个熔丝布线；第五步骤，通过将第二金属层形成为延伸成覆盖使聚合物绝缘膜被覆盖的第一金属部、金属布线的在第二开口中暴露的表面和第一绝缘膜的在第二开口的外围边缘的表面来形成第二金属部；第六步骤，形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜掩埋聚合物绝缘膜的上表面上的第一金属部并覆盖第二金属部以使第二金属部的上表面部分地暴露；以及第七步骤，通过形成第三金属层来形成第三金属部，第三金属部的范围从第二金属部的由第二绝缘膜暴露的上表面至第二绝缘膜的上表面。
8、有益效果
9、在本专利技术的半导体器件的情况下，在具有mim结构的半导体器件中可以减少在布线层中发生的阶梯式断开和金属层离的产生。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中
5.一种半导体器件的制造方法，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中
4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：矢野零士，足利欣哉，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：
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