【技术实现步骤摘要】
本技术涉及多晶硅生产，尤其涉及一种排渣系统。
技术介绍
1、多晶硅工艺中氯氢化流化床反应生产三氯氢硅的过程中会形成大量细粉，大量细粉从流化床顶部被带入后续的急冷塔中冷却洗涤，被洗涤下来的细粉会在急冷塔底部沉积引起急冷塔塔釜温度升高，此时需通过急冷系统排渣来降低塔釜温度，保证三氯氢硅产品品质。
2、目前的排渣方式主要以现场手动排渣为主，且只有当接渣罐内的液位满足一定条件时才能排渣，等待接渣罐内的液位满足排渣条件的过程使得排渣时间增长，增加了急冷塔负荷，影响氯硅烷采出量，降低了生产效率，因此，亟需一种排渣系统以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种排渣系统，解决因等待接渣罐内的液位满足排渣条件的过程使得排渣时间增长，增加急冷塔负荷，影响氯硅烷采出量，降低生产效率的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本技术提供了一种排渣系统，包括：
3、通过排渣管道连接的急冷塔和接渣罐、布置于所述排渣管道内的排渣阀、布置于所述接渣罐内的传感器及控制所述排渣阀开闭的控制模块，所述排渣阀、传感器及控制模块信号连接；
4、所述传感器采集液位信号传输给所述控制模块，所述控制模块控制所述排渣阀启闭实现所述急冷塔排渣的启停。
5、进一步地，还包括清洗阀，所述清洗阀的控制输入端连接所述控制模块。
6、进一步地，所述急冷塔与所述接渣罐之间还布置有流量计，所述流量计的信号输出端连接所述控制模块。
<...【技术保护点】
1.一种排渣系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的排渣系统，其特征在于，还包括清洗阀（6），所述清洗阀（6）的控制输入端连接所述控制模块。
3.根据权利要求1所述的排渣系统，其特征在于，所述急冷塔（1）与所述接渣罐（2）之间还布置有流量计（7），所述流量计（7）的信号输出端连接所述控制模块。
4.根据权利要求1所述的排渣系统，其特征在于，还包括与所述接渣罐（2）依次连接的转鼓过滤件（8）、反应釜（9）、进料罐（10）及粗分塔（11）；
5.根据权利要求4所述的排渣系统，其特征在于，所述急冷塔（1）与所述进料罐（10）连接用于输送所述急冷塔（1）中的氯硅烷。
6.根据权利要求4所述的排渣系统，其特征在于，还包括与所述转鼓过滤件（8）连接的水解罐（12），所述水解罐（12）用于将经过转鼓过滤出的硅粉排出。
7.根据权利要求4所述的排渣系统，其特征在于，所述粗分塔（11）的输出端布置有用于冷却三氯氢硅的塔顶冷凝罐（13）。
【技术特征摘要】
1.一种排渣系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的排渣系统，其特征在于，还包括清洗阀（6），所述清洗阀（6）的控制输入端连接所述控制模块。
3.根据权利要求1所述的排渣系统，其特征在于，所述急冷塔（1）与所述接渣罐（2）之间还布置有流量计（7），所述流量计（7）的信号输出端连接所述控制模块。
4.根据权利要求1所述的排渣系统，其特征在于，还包括与所述接渣罐（2）依次连接的转鼓过滤件（8）、反应釜（9）、进...
【专利技术属性】
技术研发人员：张孝彬，孙凡超，常露露，黄猛，吴燕，
申请(专利权)人：江苏中能硅业科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：
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