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具有多孔塞的静电夹盘制造技术

技术编号:42983202 阅读:17 留言:0更新日期:2024-10-15 13:17
于此描述了静电夹盘及其形成方法。静电夹盘包括背侧气体通道,背侧气体通道具有陶瓷多孔塞,陶瓷多孔塞通过具有陶瓷对陶瓷主体的夹盘的陶瓷主体固定在其中。在一个示例中,陶瓷多孔塞与陶瓷主体一起烧结。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

于此描述的实施方式总体涉及基板支撑组件,且更特别地涉及具有接合的多孔塞的基板支撑组件以及将多孔塞与基板支撑组件接合的方法。


技术介绍

1、基板支撑组件广泛用以在处理期间支撑半导体处理系统内的基板。一种特定类型的基板支撑组件包括安装在冷却底座上的陶瓷静电夹盘。静电夹盘通常在处理期间将基板保持在固定位置。静电夹盘在陶瓷主体内含有一个或多个嵌入式电极。当在电极和设置在陶瓷主体上的基板之间施加电位时,产生静电吸引力,其将基板保持抵住陶瓷主体的支撑表面。由于在基板和电极之间的电位差,所产生的力可具有电容效应,或者在陶瓷主体由具有相对低电阻率的半导体材料组成的情况下(该情况允许陶瓷主体内的电荷迁移到与基板接近的表面),所产生的力可具有johnsen-rahbeck效应。利用电容和johnsen-rahbeck吸引力的静电夹盘可从许多来源购买。

2、为了在处理期间控制基板温度,背侧气体通过形成在陶瓷主体中的气体通道被提供到基板下方的陶瓷主体的支撑表面。背侧气体填充在陶瓷主体和基板之间的间隙区域,因而提供提高在基板和基板支撑件之间的热传递速率的热传递介质。多孔陶瓷塞位于气体通道中,以防止流过陶瓷主体内的气体通道的背侧气体被点燃。使用黏着剂将多孔塞固定到陶瓷主体。

3、然而,将塞插入陶瓷主体是不可预测的。塞插入的质量的变化会导致在静电夹盘的使用寿命期间将塞固定到陶瓷主体的黏着剂受到侵蚀,并促进过早的电弧放电故障和基板的二次颗粒污染。手动施加用以固定塞的黏着剂会加剧变化。此外,当暴露于升高的温度时,由于等离子体、cte失配和在陶瓷主体、多孔塞及/或基板之间的摩擦摩擦,接合黏着可能进一步减弱。一旦黏着剂受到损害,基板的污染就不可避免,因为从黏着剂层侵蚀的材料会变成处理污染物,从而产生缺陷并降低产品产量。此外,受损的多孔塞与陶瓷主体的接合进一步允许处理气体和其他气体侵蚀将静电夹盘固定到冷却底座的接合层,从而显著降低静电夹盘的使用寿命。

4、因此,存在有对改进的静电夹盘及其制造方法的需求。


技术实现思路

1、于此描述了静电夹盘及其形成方法。静电夹盘包括具有背侧气体通道的陶瓷主体,陶瓷多孔塞使用陶瓷对陶瓷的接合(ceramic-to-ceramic bond)固定在背侧气体通道中。在一个示例中,陶瓷多孔塞与陶瓷主体一起烧结。尽管将陶瓷多孔塞与陶瓷主体烧结在一起作为主要示例被描述为形成静电夹盘,但是于此描述的方法也可用以将陶瓷多孔塞与除静电夹盘之外的陶瓷结构连接以形成单个烧制的陶瓷主体,其中整体烧结的多孔塞设置在陶瓷结构的通道内。

2、在另一个示例中,静电夹盘包括陶瓷主体和设置在陶瓷主体的气体通道中的陶瓷多孔塞。陶瓷主体包括基板支撑表面和底表面。陶瓷主体包括电极和在基板支撑表面和底表面之间延伸的气体通道。陶瓷多孔塞通过陶瓷对陶瓷的接合固定在气体通道中。

3、在另一个示例中,提供了一种适合用于在半导体处理腔室中使用的静电夹盘。静电夹盘包括陶瓷主体和陶瓷多孔塞。陶瓷主体具有基板支撑表面和底表面、电极和在基板支撑表面和底表面之间延伸的气体通道。陶瓷多孔塞设置在气体通道中并烧结到陶瓷主体。温度控制底座通过黏着剂层固定到陶瓷主体的底表面。温度控制底座包括与陶瓷主体中形成的气体通道对准的气体输送孔。对准的气体输送孔和气体通道被配置为使背侧气体流到陶瓷主体的支撑表面。

4、在又一示例中,提供了一种用于制造静电夹盘的方法。方法包括以下步骤:将陶瓷多孔塞至少部分地设置在形成于陶瓷结构中的孔中,该孔被配置为成为流体通道;及烧结陶瓷结构和陶瓷多孔塞以在其间形成陶瓷对陶瓷的接合。

5、在一个示例中,陶瓷结构是静电夹盘的陶瓷主体。在其他示例中,陶瓷结构可为板、屏蔽件、衬里、主体、过滤器、容器或气体分配板,以及其他结构。

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【技术保护点】

1.一种静电夹盘,包含:

2.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞被烧结到所述陶瓷主体。

3.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞作为晶粒尺寸类似于与接触所述陶瓷多孔塞的所述陶瓷主体的一部分的晶粒尺寸。

4.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞作为晶粒尺寸不同于接触所述陶瓷多孔塞的所述陶瓷主体的一部分的晶粒尺寸。

5.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞作为晶粒尺寸大于接触所述陶瓷多孔塞的所述陶瓷主体的一部分的晶粒尺寸。

6.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面与所述陶瓷主体的所述底表面齐平。

7.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面从所述陶瓷主体的所述底表面凹入。

8.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面从所述陶瓷主体的所述底表面突出。

9.如权利要求8所述的静电夹盘,进一步包含:

10.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞进一步包含:

11.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞由复合材料形成。

12.一种静电夹盘,包含:

13.如权利要求12所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞作为晶粒尺寸大于接触所述陶瓷多孔塞的所述陶瓷主体的一部分的晶粒尺寸。

14.如权利要求12所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面与所述陶瓷主体的所述底表面齐平。

15.如权利要求12所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面从所述陶瓷主体的所述底表面凹入。

16.如权利要求12所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面从所述陶瓷主体的所述底表面突出。

17.如权利要求16所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的所述底表面延伸到所述温度控制底座的所述气体输送孔中,使得所述陶瓷多孔塞将所述黏着剂层与所述气体输送孔和所述气体通道屏蔽开。

18.如权利要求12所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞进一步包含:

19.如权利要求12所述的静电夹盘,其中所述陶瓷主体具有不同晶粒尺寸的多个堆叠区域。

20.一种用于制造静电夹盘的方法,所述方法包含:

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种静电夹盘,包含:

2.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞被烧结到所述陶瓷主体。

3.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞作为晶粒尺寸类似于与接触所述陶瓷多孔塞的所述陶瓷主体的一部分的晶粒尺寸。

4.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞作为晶粒尺寸不同于接触所述陶瓷多孔塞的所述陶瓷主体的一部分的晶粒尺寸。

5.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞作为晶粒尺寸大于接触所述陶瓷多孔塞的所述陶瓷主体的一部分的晶粒尺寸。

6.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面与所述陶瓷主体的所述底表面齐平。

7.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面从所述陶瓷主体的所述底表面凹入。

8.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞的底表面从所述陶瓷主体的所述底表面突出。

9.如权利要求8所述的静电夹盘,进一步包含:

10.如权利要求1所述的静电夹盘,其中所述陶瓷多孔塞进一步包含:

11.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:阿文德·查达神津智章
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:

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