【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体而言，涉及一种电磁屏蔽结构制作方法和封装结构。
技术介绍
1、随着半导体行业的快速发展，系统级封装模组结构广泛应用于半导体行业中。它将不同功能芯片封装后，进行堆叠。主要优势为高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等。随着电子产品运用于通信领域高频信号，故需求产品具备分区电磁屏蔽结构，防止各种芯片和元器件互相产生的电磁干扰影响。现有的分区屏蔽技术主要采用打线形成笼状屏蔽结构。
2、笼状屏蔽结构为在衬底中布线并在衬底表面形成接地焊盘，接地焊盘位于需要屏蔽的芯片或元器件的四周，在接地焊盘上打垂直金属线，垂直金属线将需要屏蔽的芯片或元器件的包围，从而形成笼状屏蔽结构。
3、由于现有打垂直金属线的机台采用金属丝焊线进行打线，垂直金属线的长径比较大，在后续塑封模流的冲击下容易变形或冲断，从而导致相邻垂直金属线之间的间距不均匀，容易导致杂波穿行，降低屏蔽效果。此外，现有垂直金属线与塑封体的热膨胀系数差异较大，容易存在结构分层现象。
技术实现思路
1、本专利技术的目的包括，例如，提供了一种电磁屏蔽结构制作方法和封装结构，其能够提高打线效率和打线质量，提高电磁屏蔽可靠性。
2、本专利技术的实施例可以这样实现：
3、第一方面，本专利技术提供一种电磁屏蔽结构制作方法，包括：
4、提供具有第一元件的衬底；
5、利用3d打印技术在所述衬底上形成屏蔽部；其中，所述屏蔽部设于所述第一元件的外围
6、在所述衬底上注入塑封料形成包封所述第一元件和所述屏蔽部的塑封体；其中，所述塑封料与所述打印材料产生交联反应；
7、研磨所述塑封体，以使所述屏蔽部从所述塑封体表面露出；
8、在所述塑封体表面形成与所述屏蔽部电连的金属层；所述金属层和所述屏蔽部中至少一者具有接地属性。
9、在可选的实施方式中，依据所述三维模型在所述目标位置处铺设打印材料预成型所述屏蔽部的步骤中：预成型温度为100℃至200℃；
10、在所述衬底上注入塑封料形成包封所述第一元件和所述屏蔽部的塑封体的步骤中：所述塑封料的固化温度为250℃至350℃。
11、在可选的实施方式中，所述打印材料采用纳米金属导电银浆。
12、在可选的实施方式中，所述衬底的表面设有绿漆层；利用3d打印技术在所述衬底上形成屏蔽部的步骤中：在所述绿漆层上直接形成所述屏蔽部。
13、在可选的实施方式中，所述衬底的表面设有绿漆层；所述衬底具有露出所述绿漆层表面的焊盘；
14、利用3d打印技术在所述衬底上形成屏蔽部的步骤中：在所述焊盘上直接形成所述屏蔽部。
15、在可选的实施方式中，所述屏蔽部具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端连接于所述衬底上，所述第二端的截面积小于所述第一端的截面积。
16、在可选的实施方式中，所述第二端呈z形连续折弯、波浪状或阶梯状。
17、在可选的实施方式中，所述第二端的截面呈圆弧形、扇形或多边形，所述第二端的截面在远离所述衬底的方向上逐渐减小。
18、在可选的实施方式中，所述第二端具有通孔和/或凹槽。
19、在可选的实施方式中，利用3d打印技术在所述衬底上形成屏蔽部的步骤包括：
20、利用3d打印技术在所述衬底上形成具有第一端的主体部；
21、利用3d打印技术在所述主体部远离所述第一端的端部形成所述第二端；其中，所述通孔和/或所述凹槽在利用3d打印形成所述第二端的步骤中一体成型。
22、在可选的实施方式中，所述屏蔽部包括多个间隔设置的屏蔽柱；和/或，所述屏蔽部包括具有连续表面的屏蔽墙。
23、在可选的实施方式中，所述屏蔽部在所述衬底上的投影形状呈封闭形状或具有至少一个开口。
24、在可选的实施方式中，所述衬底上还具有第二元件，所述屏蔽部将所述第一元件和所述第二元件隔离。
25、第二方面，本专利技术提供一种封装结构，采用如前述实施方式中任一项所述的电磁屏蔽结构制作方法制备而成。
26、本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
27、本专利技术实施例提供的电磁屏蔽结构制作方法和封装结构，用于对第一元件进行屏蔽隔离的屏蔽部采用3d打印技术形成。可先预成型屏蔽部，在塑封时，塑封料和屏蔽部的打印材料发生交联反应，可进一步对屏蔽部起到固定和强化作用，防止屏蔽部倾斜或变形。并且有利于提高屏蔽部和塑封体的结合力，有助于提高电磁屏蔽可靠性。
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1.一种电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，依据所述三维模型在所述目标位置处铺设打印材料预成型所述屏蔽部的步骤中：预成型温度为100℃至200℃；
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述打印材料采用纳米金属导电银浆。
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述衬底的表面设有绿漆层；利用3D打印技术在所述衬底上形成屏蔽部的步骤中：在所述绿漆层上直接形成所述屏蔽部。
5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述衬底的表面设有绿漆层；所述衬底具有露出所述绿漆层表面的焊盘；
6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述屏蔽部具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端连接于所述衬底上，所述第二端的截面积小于所述第一端的截面积。
7.根据权利要求6所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述第二端呈Z形连续折弯、波浪状或阶梯状。
8.根据权利要求6所述的电磁屏蔽结构制作
9.根据权利要求6所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述第二端具有通孔和/或凹槽。
10.根据权利要求9所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，利用3D打印技术在所述衬底上形成屏蔽部的步骤包括：
11.根据权利要求6所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述屏蔽部包括多个间隔设置的屏蔽柱；和/或，所述屏蔽部包括具有连续表面的屏蔽墙。
12.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述屏蔽部在所述衬底上的投影形状呈封闭形状或具有至少一个开口。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述衬底上还具有第二元件，所述屏蔽部将所述第一元件和所述第二元件隔离。
14.一种封装结构，其特征在于，采用如权利要求1至13中任一项所述的电磁屏蔽结构制作方法制备而成。
...【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，依据所述三维模型在所述目标位置处铺设打印材料预成型所述屏蔽部的步骤中：预成型温度为100℃至200℃；
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述打印材料采用纳米金属导电银浆。
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述衬底的表面设有绿漆层；利用3d打印技术在所述衬底上形成屏蔽部的步骤中：在所述绿漆层上直接形成所述屏蔽部。
5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述衬底的表面设有绿漆层；所述衬底具有露出所述绿漆层表面的焊盘；
6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述屏蔽部具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端连接于所述衬底上，所述第二端的截面积小于所述第一端的截面积。
7.根据权利要求6所述的电磁屏蔽结构制作方法，其特征在于，所述第二端呈z形连续折弯、波浪状或阶梯状。
【专利技术属性】
技术研发人员：钟磊，徐玉鹏，李利，何正鸿，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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