【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路封装领域，具体为一种mosfet的封装结构。
技术介绍
1、工业应用对mosfet 的需求越来越高。从机械解决方案和更苛刻的应用条件都要求半导体制造商开发出新的封装方案和实施技术以改进热性能、电性能和机械性能。
2、如图1所示，现有的mosfet器件装在电路板上时其散热通过焊锡和pcb板焊接形成标准的散热结构。在标准散热方案中散热器通常安装在 pcb 下方，这种解决方案的缺点是热性能降低，具体取决于 pcb 和导热膏的导热参数。这些组件的导热性不佳则可能会导致过热和应用功率降低，还可能意味着需要更高的散热成本。此外，电路板需要承受更高的温度，这就需要使用更昂贵的 pcb。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种散热效果好的功率mosfet的封装结构。
2、本专利技术实施例中，提供了一种mosfet的封装结构，其包括：mosfet芯片、包覆所述mosfet芯片的塑封体、设置于所述塑封体顶部的散热片、从所述塑封体顶部一侧引出且与所述散热片相连接的漏极引脚、设置于所述漏极引脚对侧且从所述塑封体顶部引出的栅极引脚和源极引脚，所述漏极引脚、所述栅极引脚和所述源极引脚都向所述塑封体底部方向延伸并弯折成鸥翼形状。
3、本专利技术实施例中，所述漏极引脚有四个，所述栅极引脚有三个和所述源极引脚有一个，一共八个引脚均匀分布于所述塑封体两侧。
4、本专利技术实施例中，所述漏极引脚有两个，通过第一间隙分割开，所述漏极引脚的宽度大
5、本专利技术实施例中，所述鸥翼形状包括相互平行的翼顶、翼底以及连接所述翼顶和所述翼底的翼中，所述翼顶设置于所述塑封体顶部，所述翼底与所述塑封体的底部齐平。
6、本专利技术实施例中，所述漏极引脚、所述栅极引脚、所述源极引脚分别通过内部引线与所述mosfet芯片相连接。
7、与现有技术相比较，本专利技术的mosfet的封装结构，封装后的mosfet器件具有如下有益效果：
8、1.mosfet器件可以正装在电路板上，也可以反装在电路板上，实现了一种mosfet器件多种安装方式；
9、2. 当mosfet器件反装在电路板上时其散热片朝上，形成了顶部散热的结构，得益于顶部散热方案，热路径可以显著缩短：通过消除热路径中的 pcb 和焊料互连来减少热路径对 mosfet性能有巨大的影响；
10、3. 当mosfet器件正装在电路板上时其应用和主要散热途径和现有常规的相同，但是此时鸥翼引脚向上和空气接触换热，形成了新的第二有效散热途径，提升了mosfet器件散热能力。
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1.一种MOSFET的封装结构，其特征在于，包括：MOSFET芯片、包覆所述MOSFET芯片的塑封体、设置于所述塑封体顶部的散热片、从所述塑封体顶部一侧引出且与所述散热片相连接的漏极引脚、设置于所述漏极引脚对侧且从所述塑封体顶部引出的栅极引脚和源极引脚，所述漏极引脚、所述栅极引脚和所述源极引脚都向所述塑封体底部方向延伸并弯折成鸥翼形状。
2.如权利要求1所述的MOSFET的封装结构，其特征在于，所述漏极引脚有四个，所述栅极引脚有三个和所述源极引脚有一个，一共八个引脚，均匀分布于所述塑封体两侧。
3.如权利要求1所述的MOSFET的封装结构，其特征在于，所述漏极引脚有两个，通过第一间隙分割开，所述漏极引脚的宽度大于所述第一间隙，且所述两个漏极引脚和所述第一间隙的宽度之和与所述散热片的宽度相当；所述源极引脚为一个，所述栅极引脚为一个，所述源极引脚与所述栅极引脚通过第二间隙分隔开，所述源极引脚的宽度大于所述第二间隙的宽度，且所述源极引脚、所述栅极引脚与所述第二间隙的宽度之和与所述散热片的宽度相当。
4.如权利要求1所述的MOSFET的封装结构，其特征
5.如权利要求1所述的MOSFET的封装结构，其特征在于，所述漏极引脚、所述栅极引脚、所述源极引脚分别通过内部引线与所述MOSFET芯片相连接。
...【技术特征摘要】
1.一种mosfet的封装结构，其特征在于，包括：mosfet芯片、包覆所述mosfet芯片的塑封体、设置于所述塑封体顶部的散热片、从所述塑封体顶部一侧引出且与所述散热片相连接的漏极引脚、设置于所述漏极引脚对侧且从所述塑封体顶部引出的栅极引脚和源极引脚，所述漏极引脚、所述栅极引脚和所述源极引脚都向所述塑封体底部方向延伸并弯折成鸥翼形状。
2.如权利要求1所述的mosfet的封装结构，其特征在于，所述漏极引脚有四个，所述栅极引脚有三个和所述源极引脚有一个，一共八个引脚，均匀分布于所述塑封体两侧。
3.如权利要求1所述的mosfet的封装结构，其特征在于，所述漏极引脚有两个，通过第一间隙分割开，所述漏极引脚的宽度大于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，朱成昆，蔡择贤，李凤珍，饶锡林，杨振，陶诗雄，刘欣，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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