【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示,尤其涉及一种像素电路、显示面板、显示屏及头戴显示设备。
技术介绍
1、目前,现有的有源矩阵显示装置中,其它位置的电压波动会通过电源线传输至像素电路中,造成像素电路中的储能电容上极板电位变化,若此时下极板的充电电压不变,则储能电容两端电压会发生改变,进而导致有机发光二极管实际发光强度与目标发光强度存在偏差,引起显示装置的显示异常,用户体验较差。
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于提供一种像素电路、显示面板、显示屏及头戴显示设备,旨在解决现有技术中电压波动通过电源线传输至像素电路的储能电容时,容易引起显示装置的显示异常,用户体验较差的技术问题。
2、为实现上述目的,本技术提出一种像素电路,所述像素电路包括:显示单元以及带有储能电容的滤波单元;
3、其中,所述滤波单元分别与电源线和所述显示单元连接;
4、所述滤波单元,用于对所述电源线提供的电压信号进行滤波,并通过滤波后的电压信号对所述储能电容进行充电;
5、所述储能电容,用于对所述显示单元进行供电。
6、可选地,所述滤波单元还包括:滤波电阻;
7、其中,所述滤波电阻的第一端与所述电源线连接,所述滤波电阻的第二端与所述储能电容的第一端连接,所述储能电容的第二端与所述显示单元连接。
8、可选地,所述滤波电阻为金属导线;
9、其中,所述金属导线的第一端与所述电源线连接,所述金属导线的第二端与所述储能电容的第一端连接。
11、其中,所述金属电阻的第一端与所述电源线连接,所述金属电阻的第二端与所述储能电容连接。
12、可选地,所述滤波电阻为半导体电阻;
13、其中,所述半导体电阻通过第一端的通孔与所述电源线连接,所述半导体电阻还通过第二端的通孔与所述储能电容连接。
14、可选地,所述半导体电阻为多晶硅电阻。
15、可选地,所述半导体电阻为阱电阻。
16、可选地,所述滤波电阻的走线为蛇形走线。
17、此外,为实现上述目的,本技术还提出一种显示面板,所述显示面板包括:若干像素;
18、其中,各所述像素均包括如上文所述的像素电路,各所述像素电路中的滤波单元均连接于同一电源线;
19、可选地,所述滤波单元包括:滤波电阻;
20、其中,各所述滤波电阻的第一端均连接于同一所述电源线,各所述滤波电阻的第二端与对应的储能电容的第一端连接,各所述储能电容的第二端与对应的显示单元连接;
21、可选地,所述滤波单元为金属导线;
22、其中,各所述金属导线的第一端均连接于同一所述电源线,各所述金属导线的第二端与对应的所述储能电容的第一端连接。
23、此外,为实现上述目的,本技术还提出一种显示屏,所述显示屏包括如上文所述的显示面板。
24、可选地,为实现上述目的,本技术还提出一种头戴显示设备,所述头戴显示设备包括:光学元件和如上文所述的显示面板;
25、其中,所述光学元件设置于所述显示面板的出光路径上。
26、本技术提出一种像素电路、显示面板、显示屏及头戴显示设备,该像素电路包括:显示单元以及带有储能电容的滤波单元;其中,所述滤波单元分别与电源线和所述显示单元连接;所述滤波单元,用于对所述电源线提供的电压信号进行滤波,并通过滤波后的电压信号对所述储能电容进行充电;所述储能电容,用于对所述显示单元进行供电。由于本技术在电源线与显示单元之间设置有滤波单元,通过滤波单元对电源线提供的电压信号进行滤波,并将滤波后的电压信号传输至储能电容进行充电。相比于现有的电源线会将电压波动传输至储能电容上,本技术可将电源线上的电压波动滤除,进而降低显示装置的显示异常的概率,提升了用户体验。
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1.一种像素电路,其特征在于,所述像素电路包括:显示单元以及带有储能电容的滤波单元;
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述滤波单元还包括:滤波电阻;
3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述滤波电阻为金属导线;
4.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述滤波电阻为金属电阻;
5.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述滤波电阻为半导体电阻;
6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述半导体电阻为多晶硅电阻。
7.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述半导体电阻为阱电阻。
8.如权利要求3至7中任一项所述的像素电路,其特征在于,所述滤波电阻的走线为蛇形走线。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:若干像素;
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述滤波单元包括:滤波电阻;
11.如权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述滤波单元为金属导线;
12.一种显示屏,其特征在于,所述显示屏包括如
13.一种头戴显示设备,其特征在于,所述头戴显示设备包括:光学元件和如权利要求9至11中任一项所述的显示面板;
...【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,所述像素电路包括:显示单元以及带有储能电容的滤波单元;
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述滤波单元还包括:滤波电阻;
3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述滤波电阻为金属导线;
4.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述滤波电阻为金属电阻;
5.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述滤波电阻为半导体电阻;
6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述半导体电阻为多晶硅电阻。
7.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述半导体电阻为...
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