【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及相变材料，尤其涉及一种显示器件。
技术介绍
1、目前反射式彩色显示器主要分为两种，一种基于在可见光的特定波长范围内具有完美吸收的等离子体结构。等离子体结构主要采用三层金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，mim)薄膜堆叠，其中顶层是纳米图案化的金属表面，并通过介电层与底部的金属膜分离。要制造这种滤光器，必须使用复杂的光刻程序，这限制了它们在大规模应用中的使用。第二种反射式彩色滤光器由基于法布里-珀罗(fabry-perot，f–p)腔共振的金属-介质多层薄膜组成。通常，这种f–p谐振器由无损核心介质、部分反射的顶层金属层和光学上厚且反射率高的镜子组成。f–p谐振器中的完美吸收与电磁波在谐振器中的多次往返相位延迟密切相关。
2、与等离子体彩色滤光器相比，基于f–p腔的彩色滤光器不涉及100纳米量级的贵金属纳米结构，因此可以采用更灵活的工艺在实际应用中制造光与纳米结构之间的共振相互作用产生的结构颜色，最近因其在各个领域潜在的应用而受到越来越多的关注，这些领域包括彩色打印、显示/成像等。与现有的利用化学颜料或有机染料的彩色滤光片相比，结构色滤光片提供了无毒、不褪色、薄厚度、高可扩展性、高分辨率和易于调节等独特的优势。
3、然而，现有技术主要通过超表面和光栅或者通过引入半导体吸收介质来获取高反射率和高颜色饱和度，需要引入额外的吸收金属层，结构复杂，成本高，而且此种结构对于颜色具有不可调谐性。
技术实现思路
1、本专利技术提供一
2、本专利技术提供一种显示器件，包括：
3、防反射层，包括具有折射率梯度的多层介质，所述多层介质的折射率从上到下逐渐增大，所述多层介质的k值小于第一预设阈值，所述防反射层的总厚度和等效折射率在红绿蓝三原色时满足一定条件，使得所述防反射层下方的相变层所处位置的上下电场为0；
4、所述相变层，所述相变层使用的相变材料的光学损耗大于第二预设阈值且折射率大于第三预设阈值，所述相变材料的n值在可见光区域大于1且k值在可见光区域大于1，所述相变层位于所述防反射层之下；
5、介质层，位于所述相变层之下；
6、金属层，用于构成fp腔。
7、根据本专利技术提供的一种显示器件，在所述显示器件产生的颜色为红色或蓝色时，所述防反射层的总厚度为λ0/(4n)；
8、在所述显示器件产生的颜色为绿色时，所述防反射层的总厚度为λ0/(8n)；
9、其中，λ0为所述防反射层要抑制的波长，n为所述防反射层的有效折射率。
10、根据本专利技术提供的一种显示器件，所述介质层的厚度为λc/(2n1)，λc为所述显示器件产生颜色的目标波长，n1为所述介质层的折射率。
11、根据本专利技术提供的一种显示器件，所述相变材料的厚度小于λc/(4n2π)，λc为所述显示器件产生颜色的目标波长，n2为所述相变材料的折射率。
12、根据本专利技术提供的一种显示器件，所述相变层为一层或多层，每层相变层包括相变材料和沉积于所述相变材料下侧的电极层，每层相变层中相变材料的电压阈值不同。
13、根据本专利技术提供的一种显示器件，所述相变材料为第vi主族元素与第iii至v主族元素组成的合金化合物，所述合金化合物中掺杂ib主族元素。
14、根据本专利技术提供的一种显示器件，所述相变材料包括aginsbte、insbte、gete、sbte、bite、insb、inse、gesb、sbse、gasb、gesbte、aginsbte、insbte、agsbte、site、snte、snsb中的一种或多种；其中，各相变材料的原子百分比可调。
15、根据本专利技术提供的一种显示器件，所述介质层包括光学损耗小于第四预设阈值的介质。
16、根据本专利技术提供的一种显示器件，所述金属层为第iii至v主族元素中的一种元素形成的单质或多种元素组成的化合物。
17、根据本专利技术提供的一种显示器件，所述金属层中底层作为反射层的金属层的厚度大于50nm。
18、本专利技术提供的显示器件，通过基于高损耗且高折射率的相变材料来实现高反射率、高颜色饱和度以及角度不敏感的显示结构，具有高反射率、高颜色饱和度、角度不敏感性、动态可调、结构简单的特性，可以很好地应用在微纳显示器、防伪措施、反射式彩色滤光片和装饰等各种领域；这种结构不需要引入额外的吸收金属层，克服了现有结构的固有局限性，具有重大的技术进步意义，为相变显示技术的进一步发展打开了新的可能。
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1.一种显示器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，在所述显示器件产生的颜色为红色或蓝色时，所述防反射层的总厚度为λ0/(4n)；
3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述介质层的厚度为λc/(2n1)，λc为所述显示器件产生颜色的目标波长，n1为所述介质层的折射率。
4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述相变材料的厚度小于λc/(4n2π)，λc为所述显示器件产生颜色的目标波长，n2为所述相变材料的折射率。
5.根据权利要求1-4任一所述的显示器件，其特征在于，所述相变层为一层或多层，每层相变层包括相变材料和沉积于所述相变材料下侧的电极层，每层相变层中相变材料的电压阈值不同。
6.根据权利要求1-4任一所述的显示器件，其特征在于，所述相变材料为第VI主族元素与第III至V主族元素组成的合金化合物，所述合金化合物中掺杂Ib主族元素。
7.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述相变材料包括AgInSbTe和/或InSbTe，所述相变材料中各原子的百分
8.根据权利要求1-4任一所述的显示器件，其特征在于，所述介质层包括光学损耗小于第四预设阈值的介质。
9.根据权利要求1-4任一所述的显示器件，其特征在于，所述金属层为第III至V主族元素中的一种元素形成的单质或多种元素组成的化合物。
10.根据权利要求1-4任一所述的显示器件，其特征在于，所述金属层中底层作为反射层的金属层的厚度大于50nm。
...【技术特征摘要】
1.一种显示器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，在所述显示器件产生的颜色为红色或蓝色时，所述防反射层的总厚度为λ0/(4n)；
3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述介质层的厚度为λc/(2n1)，λc为所述显示器件产生颜色的目标波长，n1为所述介质层的折射率。
4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述相变材料的厚度小于λc/(4n2π)，λc为所述显示器件产生颜色的目标波长，n2为所述相变材料的折射率。
5.根据权利要求1-4任一所述的显示器件，其特征在于，所述相变层为一层或多层，每层相变层包括相变材料和沉积于所述相变材料下侧的电极层，每层相变层中相变材料的电压阈值不同。
...【专利技术属性】
技术研发人员：童浩，谭青山，周启沛，刘芮含，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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