【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装基板技术，尤其涉及一种无芯任意层封装基板的加工方法。
技术介绍
1、随着信息技术的不断发展，手机和各种电子产品越来越向轻薄短小的方向发展，电子产品的薄型化催生了无芯封装基板，它不仅比有芯封装基板更薄，且它更加优越的电气性能也为集成度要求越来越高的芯片和器件提供了新的解决方案。由于无芯板能够使得封装尺寸更薄更小，加工效率提升100％，比传统多层封装基板具有难以获得的优势。因此具有广泛的应用前景。
2、常规的无芯任意层封装基板的制备方法需要建立在一张可剥离的搭载超薄铜箔的ccl(dummy覆铜板，仅作为中心板，其上有一张3μm或5μm的超薄铜箔)上，在完成了最外层的压合后再进行分板，得到2张一模一样的任意层封装基板，这种方法虽然可以有效规避线体加工薄板能力不足的问题，同时制造效率提升100％，但同样，因为ccl的超薄铜箔已经作为封装基板的一层导体结构，导致ccl无法多次循环利用，存在材料浪费的问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种无芯任意层封装基板的加工方法，其在加工过程中使用的承载板可以多次循环利用，降低了工艺的制造成本。
2、为了实现上述专利技术目的，采取的技术方案如下：
3、一种无芯任意层封装基板的加工方法，包括如下步骤：
4、s1、在金属片的上面和背面均镀上一层惰性金属层，制成承载板；
5、s2、通过化学沉积的方式在承载板的上面和背面均沉积上铜层，形成中心板，在中心板的上、
6、s3、制作导通孔，以及在所述铜箔层上制作线路层，所述线路层与所述铜层通过所述导通孔电连接；
7、s4、在线路层上依次铺设绝缘层和铜箔层，进行高温真空压合处理，并重复s3的步骤一次；
8、s5、然后重复s4的步骤多次，得到上、下线路层数均为n的基板整体，其中n为大于1的整数；
9、s6、对所述线路层进行阻焊处理形成阻焊层，再在未设有阻焊层的位置镀上保护层；
10、s7、将所述承载板从基板整体中分离，即可以得到两张无芯封装基板和承载板。
11、本专利技术首次采用一块金属片，其上采用溅射或蒸镀等工艺铺设一层惰性金属层，形成承载板，覆上去的惰性金属层与金属片基底的结合力很强，且惰性金属层不会被后面化学沉积(化学沉积过程有酸性物质的参与)的步骤破坏掉，然后在承载板上通过化学沉积的方式覆上铜层，得到基板导体的中心板，再经过若干次压合绝缘材料和铜箔，并制作线路层，形成上、下线路层层数均为n的基板整体，其中n为大于1的整数。最后利用铜层与惰性金属层之间仅为范德华力结合而易分离的特性，很容易进行分板，分离得到承载板和底部含有铜层的无芯封装基板，剥离后的承载板还可以重复循环使用，进一步降低工艺的制造成本，且可以解决固有工艺的分板困难及易翘曲的问题。
12、本专利技术提供的一种无芯任意层封装基板的加工方法为整个封装基板行业提供一种新的制作方法，思路及结构。
13、进一步地，所述金属片的表面粗糙度为0.05μm，所述金属片为铜片或不锈钢片中的一种。
14、本专利技术采用表面粗糙度为0.05μm的金属片，其平整度极佳，有利于镀上惰性金属层，增强惰性金属层与金属片基底的结合力。
15、进一步地，所述惰性金属为钛、铬、钨、银或金中的一种。
16、在本专利技术中，选择钛、铬、钨、银、金等惰性金属通过溅射得到惰性金属层，其与基板的结合力且得到惰性金属金属层耐腐蚀高，不会被后续化学沉积(化学沉积过程有酸性物质的参与)腐蚀掉，从而有利于形成可以循环使用的承载板。
17、进一步地，所述惰性金属层的厚度为50nm-2μm。
18、一般情况下，通过使用磁控溅射技术形成基底膜层时，其基底膜层的厚度在0.1～0.15μm之间。膜层的作用主要是提供金属化层和阳极氧化绝缘层之间足够的结合力。使用磁控溅射技术，这种结合力可以达到1000n/c㎡，使得两层之间的连接更加牢固稳定。此外，惰性金属层还有很好的高温热阻属性，当温度高于320℃/10s时能保证不存在泡沫和剥落现象。因此，完全适用于后续封装基板制作的无铅焊接技术
19、且在本专利技术中，首先，本专利技术溅射上去的惰性金属都很贵，越厚则成本越高；其次，加工的效率本身就是很低的，越厚则产能越低，因此，本专利技术的惰性金属层的厚度选择50nm-2μm，既可以提供惰性金属层和基底的足够的结合力，又不至于成本太高。
20、进一步地，所述铜层的厚度为0.4-2μm，在封装基板行业，常见铜层的厚度都是0.4-2μm，因为只是启动导通的作用就可以，所以没必要太厚，越厚其产能越低，成本越高，而且不利于精细线路的制作。
21、进一步地，所述铜箔层是厚度不超过15μm的铜箔层。
22、进一步地，所述保护层为镍金层、镍银层、镍银金或锡层中的一种，所述保护层的厚度为3-15μm。
23、进一步地，所述高温压合处理的温度为150-240℃，所述真空度≤30mbar。
24、进一步地，所述阻焊层为阻焊油墨层，所述阻焊油墨层的厚度为10-40μm。
25、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
26、(1)本专利技术首次采用一块金属片，并在其上、背面采用溅射或蒸镀等工艺铺设一层惰性金属层，形成承载板，覆上去的惰性金属层与金属片基底的结合力很强，且惰性金属层不会被后面化学沉积(化学沉积过程有酸性物质的参与)的步骤破坏掉，然后在承载板上通过化学沉积的方式覆上铜层，得到基板导体的中心板，再经过若干次压合绝缘材料和铜箔，并制作线路层，形成上、下线路层层数均为n的基板，其中n为大于1的整数。最后利用铜层与惰性金属层之间仅为范德华力结合而易分离的特性，很容易进行分板，分离了承载板和底部含有铜层的无芯封装基板，剥离的承载板可以重复循环使用，进一步降低工艺的制造成本，且可以解决固有工艺的分板困难及易翘曲的问题。
27、(2)本专利技术提供的方法为整个封装基板行业提供一种新的制作方法，思路及结构。
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1.一种无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述金属片(11)表面粗糙度为0.05μm，所述金属片为铜片或不锈钢片中的一种。
3.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述惰性性金属为钛、铬、钨、银或金中的一种。
4.根据权利要求3所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述惰性金属层(12)的厚度为50nm-2μm。
5.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述步骤S2中的铜层(21)的厚度为0.4-2μm。
6.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述铜箔层(4)是厚度不超过15μm的铜箔。
7.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述保护层(9)为镍金层、镍银层、镍银金或锡层中的一种。
8.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述高温真空压合处理的温度为150-240℃，
9.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述阻焊层(8)为阻焊油墨层。
...【技术特征摘要】
1.一种无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述金属片(11)表面粗糙度为0.05μm，所述金属片为铜片或不锈钢片中的一种。
3.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述惰性性金属为钛、铬、钨、银或金中的一种。
4.根据权利要求3所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述惰性金属层(12)的厚度为50nm-2μm。
5.根据权利要求1所述的无芯任意层封装基板的加工方法，其特征在于，所述步骤s...
【专利技术属性】
技术研发人员：康孝恒，蔡克林，
申请(专利权)人：美琪电路江门有限公司，
类型：发明
国别省市：
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