【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led显示器，具体为一种micro mip器件制备方法。
技术介绍
1、led显示器件，结构主要包含led芯片、电路基底、封装胶层，但随着现有市场需求的点间距越来越小，mini led已渐渐不满足于客户对于小间距产品的需求。逐渐将焦点对准在cob和micro mip产品上。
2、micro mip器件作为新一代显示技术，以其高亮度、高分辨率、低功耗等优点在显示领域具有广阔的应用前景。然而，传统的micro mip器件制备技术存在工艺流程复杂、生产效率低、成本高等问题，难以满足日益增长的市场需求。因此，有必要研发一种新型的micro mip器件制备技术，以解决上述问题。
技术实现思路
1、针对上述存在的技术不足，本专利技术的目的是提供一种micro mip器件制备方法，以解决
技术介绍
中提出的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术提供一种micromip器件制备方法，该方法包括以下步骤：
4、s1.准备基材：选用合适的载板、胶材、cow等制备原料；
5、s2.载板键合：cow与载板在胶材的作用下，通过键合机键合在一起；
6、s3.激光剥离：把键合好的cow和载板通过激光剥离的方式，去掉原载板，单色芯片保留至新载板；
7、s4.巨量转移：将三色led芯片转移到同一个载板上；
8、s5.金属线路制备：在载板上进行mip金属焊盘的制备；
<...【技术保护点】
1.一种Micro MIP器件制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种Micro MIP器件制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括以下步骤：
3.如权利要求1所述的一种Micro LED制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括以下步骤：
4.如权利要求1所述的一种Micro MIP器件制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括以下步骤：
5.如权利要求1所述的一种Micro MIP器件制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括以下步骤：
6.如权利要求1所述的一种Micro MIP器件制备方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括以下步骤：
7.如权利要求1所述的一种Micro MIP器件制备方法，其特征在于，所述步骤S6具体包括以下步骤：
8.如权利要求1所述的一种Micro MIP器件制备方法，其特征在于，所述步骤S7具体包括以下步骤：
9.如权利要求1所述的一种Micro MIP器件制备方法，其特征在于，所述步骤S8具体包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种micro mip器件制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种micro mip器件制备方法，其特征在于，所述步骤s1具体包括以下步骤：
3.如权利要求1所述的一种micro led制备方法，其特征在于，所述步骤s2具体包括以下步骤：
4.如权利要求1所述的一种micro mip器件制备方法，其特征在于，所述步骤s3具体包括以下步骤：
5.如权利要求1所述的一种micro mip器件制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：薄祥，刘阳，颉信忠，
申请(专利权)人：山西高科华烨电子集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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