【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例总体涉及具有隔离结构的场效应晶体管及相关方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)行业经历了指数级增长。ic材料和设计的技术进步已经产生了一代又一代的ic，其中每一代的电路都比上一代更小且更复杂。在ic发展的过程中，功能密度(即，单位芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线路))却减小。这种按比例缩小的过程通常可以通过提高生产效率和降低相关成本来带来好处。这种按比例缩小也增加了处理和制造集成电路的复杂性。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成第一半导体沟道堆叠和第二半导体沟道堆叠，所述第一半导体沟道堆叠与所述第二半导体沟道堆叠相邻，过渡区域与所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠的相邻突出拐角重叠；在所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠之上形成多个牺牲栅极，所述多个牺牲栅极在第一方向上延伸并且基于沿着第二方向的第一节距沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置，所述多个牺牲栅极中的每一个牺牲栅极具有第一宽度；在形成所述多个牺牲栅极的同时，在所述过渡区域之上并邻近所述多个牺牲栅极形成条结构，所述条结构具有超过所述第一节距和所述第一宽度之和的第二宽度；在所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠的被所述多个牺牲栅极和所述条结构暴露的区域中形成多个源极/漏极开口；在所述多个源极/漏极开口中形成多个源极/漏极区域；用环绕所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半
2、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成具有第一宽度的第一牺牲栅极结构；形成具有所述第一宽度并与所述第一牺牲栅极结构偏移开一节距的第二牺牲栅极结构；形成具有超过所述节距和所述第一宽度之和的第二宽度的条结构，所述条结构由所述第一牺牲栅极结构和所述第二牺牲栅极结构形成；通过使所述第一牺牲栅极和所述第二牺牲栅极以及所述条结构下方的纳米结构堆叠凹陷来形成多个源极/漏极开口，在形成多个源极/漏极开口期间，使纳米结构堆叠的过渡区域被所述条结构保护；以及在所述多个源极/漏极开口中形成多个源极/漏极区域。
3、根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一纳米结构沟道堆叠，沿着第一方向具有第一宽度；第二纳米结构沟道堆叠，沿着所述第一方向具有超过所述第一宽度的第二宽度，所述第二纳米结构沟道堆叠沿着垂直于所述第一方向的第二方向从所述第一纳米结构沟道堆叠偏移；第一源极/漏极，与所述第一纳米结构沟道堆叠接触；第二源极/漏极，与所述第二纳米结构沟道堆叠接触；第一栅极结构，位于所述第一纳米结构沟道堆叠的纳米结构沟道之上并环绕所述第一纳米结构沟道堆叠的纳米结构沟道；第二栅极结构，位于所述第二纳米结构沟道堆叠的纳米结构沟道之上并环绕所述第二纳米结构沟道堆叠的纳米结构沟道；以及隔离结构，位于所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极之间，所述隔离结构从低于所述第一纳米结构沟道堆叠和所述第二纳米结构沟道堆叠的第一水平延伸到高于所述第一纳米结构沟道堆叠和所述第二纳米结构沟道堆叠的第二水平。
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1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：在N型扩散区域和P型扩散区域之间的边界之上形成所述条结构，所述边界包括圆角点动。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：在所述衬底的第一区域与所述衬底的第二区域之间的边界之上形成所述条结构，在所述第一区域中，所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠包括第一数量的半导体沟道，在所述第二区域中，所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠包括第二数量的半导体沟道，所述第一数量超过所述第二数量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括形成以下条结构：该条结构部分地覆盖所述过渡区域中的所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠，同时暴露所述过渡区域中的所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成第二条结构包括：形成具有所述第二宽度的第二条结构，所述第二宽度至少为两个所述第一节距和一个所述第一宽
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：形成具有在约30纳米至约90纳米范围内的所述第一宽度的所述条结构。
8.一种形成半导体器件的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
10.一种半导体器件，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：在n型扩散区域和p型扩散区域之间的边界之上形成所述条结构，所述边界包括圆角点动。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：在所述衬底的第一区域与所述衬底的第二区域之间的边界之上形成所述条结构，在所述第一区域中，所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠包括第一数量的半导体沟道，在所述第二区域中，所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠包括第二数量的半导体沟道，所述第一数量超过所述第二数量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括形成以下条结构：该条结构部分地覆盖所述过渡区域中...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭志雄，傅士奇，陈桂顺，陈德宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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