【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器领域，尤其涉及一种传感器及电子设备。
技术介绍
1、将传感器安装至整机上后，传感器的灵敏度下降。
2、鉴于此，有必要提供一种新的传感器及电子设备，以解决或至少缓解上述技术缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种传感器及电子设备，旨在解决现有技术中传感器安装至整机上后，灵敏度下降技术问题。
2、为实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种传感器，包括：
3、基板；
4、mems芯片，安装于所述基板；
5、压电材料层，安装于所述基板，所述压电材料层能够在所述基板的变形下发生形变并输出电压信息；
6、asic芯片，分别与所述压电材料层和所述mems芯片信号连接，所述asic芯片用于接收所述电压信息，并根据所述电压信息调节所述mems芯片的偏置电压。
7、在一些实施例中，所述电压信息由所述压电材料层变形后两表面极化产生，所述电压信息包括电压大小和电压方向；所述asic芯片通过调节所述mems芯片的偏置电压来调节所述mems芯片的振膜的应力，以减小或抵消由所述基板变形造成的mems芯片的振膜应力的变化。
8、在一些实施例中，所述压电材料层包括压电陶瓷片，或，所述压电材料层包括石英。
9、在一些实施例中，所述基板内设置有空腔，所述压电材料层嵌设于所述空腔内。
10、在一些实施例中，所述传感器还包括导电件，所述导电件的一端与所
11、在一些实施例中，所述基板为玻璃基板。
12、在一些实施例中，所述传感器为麦克风，所述基板上设置有声孔，所述mems芯片面向所述声孔设置。
13、根据本专利技术的另一方面，本专利技术还提供一种调节方法，应用于上述所述的传感器，所述调节方法包括以下步骤：
14、获取压电材料层的电压信息；
15、根据所述电压信息调节mems芯片的偏置电压。
16、在一些实施例中，所述电压信息包括电压方向和电压大小，所述根据所述电压信息调节mems芯片的偏置电压的步骤包括：
17、根据所述电压方向确定增大或减小所述偏置电压，并根据所述电压大小确定增大或减小所述偏置电压的数值大小。
18、在一些实施例中，所述获取压电材料层的电压信息的步骤之后，还包括步骤：
19、若所述电压大小超过预设阈值时，则发出警报。
20、根据本专利技术的另一方面，本专利技术还提供一种传感器，包括：
21、基板；
22、mems芯片，安装于所述基板；
23、检测件，所述检测件用于获取所述基板的变形程度信息；
24、asic芯片，分别与所述检测件和所述mems芯片信号连接，所述asic芯片用于接收所述变形程度信息，并根据所述变形程度信息调节所述mems芯片的偏置电压。
25、根据本专利技术的另一方面，本专利技术还提供一种调节方法，应用于上述所述的传感器，所述调节方法包括以下步骤：
26、获取基板的变形程度信息；
27、根据所述变形程度信息调节mems芯片的偏置电压。
28、根据本专利技术的另一方面，本专利技术还提供一种电子设备，包括上述所述的传感器，或所述电子设备应用了上述所述的调节方法。
29、上述方案中，压电材料层安装于基板，可以随着基板的形变也发生形变，这样就可以通过压电材料层的形变反应基板的形变。压电材料层在外部应力的作用下，如将传感器安装于整机过程中螺栓拧紧产生的应力作用下，引起内部正负电荷中心相对位移而发生极化，导致压电材料层的上下表面端部出现符号相反的束缚电荷，这里的符号相反指正负电荷的符号相反，这样就在压电材料层发生形变后就产生了电压信息，也即通过压电材料层的电压信息反应了基板的变形程度和变形方向。这里的电压信息包括电压大小和电压方向；电压信息传递到与压电材料层信号连接的asic芯片，asic芯片根据电压信息经过计算处理后对供给mems芯片的偏置电压进行调节，通过偏置电压的调节来调节mems芯片的振膜的应力，以此来减小或抵消由于基板变形造成的mems芯片的振膜应力的变化，使得振膜的应力变化减小或者不变化，以此来确保传感器的灵敏度。
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1.一种传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述电压信息由所述压电材料层变形后两表面极化产生，所述电压信息包括电压大小和电压方向；所述ASIC芯片通过调节所述MEMS芯片的偏置电压来调节所述MEMS芯片的振膜的应力，以减小或抵消由所述基板变形造成的MEMS芯片的振膜应力的变化。
3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述基板内设置有空腔，所述压电材料层嵌设于所述空腔内。
4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述压电材料层包括压电陶瓷片，或，所述压电材料层包括石英。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的传感器，其特征在于，所述传感器还包括导电件，所述导电件的一端与所述压电材料层电连接，所述导电件的另一端伸出所述基板，所述ASIC芯片与所述导电件的另一端电连接。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的传感器，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的传感器，其特征在于，所述传感器为麦克风，所述基板上设置有声孔，所述MEMS芯片面向所述声孔
8.一种调节方法，应用于权利要求1～7中任一项所述的传感器，其特征在于，所述调节方法包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的调节方法，其特征在于，所述电压信息包括电压方向和电压大小，所述根据所述电压信息调节MEMS芯片的偏置电压的步骤包括：
10.根据权利要求9所述的调节方法，其特征在于，所述获取压电材料层的电压信息的步骤之后，还包括步骤：
11.一种传感器，其特征在于，包括：
12.一种调节方法，应用于权利要求11所述的传感器，其特征在于，所述调节方法包括以下步骤：
13.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～7或11中任一项所述的传感器，或所述电子设备应用了权利要求8～10或12中任一项所述的调节方法。
...【技术特征摘要】
1.一种传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述电压信息由所述压电材料层变形后两表面极化产生，所述电压信息包括电压大小和电压方向；所述asic芯片通过调节所述mems芯片的偏置电压来调节所述mems芯片的振膜的应力，以减小或抵消由所述基板变形造成的mems芯片的振膜应力的变化。
3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述基板内设置有空腔，所述压电材料层嵌设于所述空腔内。
4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述压电材料层包括压电陶瓷片，或，所述压电材料层包括石英。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的传感器，其特征在于，所述传感器还包括导电件，所述导电件的一端与所述压电材料层电连接，所述导电件的另一端伸出所述基板，所述asic芯片与所述导电件的另一端电连接。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的传感器，其特征在于，所述基板为玻...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵聪聪，王顺，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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