System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种金属化基板结构及其制备方法技术_技高网

一种金属化基板结构及其制备方法技术

技术编号:42974281 阅读:3 留言:0更新日期:2024-10-15 13:14
本发明专利技术涉及半导体技术领域,具体涉及一种金属化基板结构及其制备方法。其中,金属化基板结构包括:基板,基板具有沿厚度方向贯穿的通孔,通孔的孔壁设有导电环,导电环的内孔设有导电填充柱,导电填充柱由填充于导电环的内孔内的金属浆料经烧结而成,导电环和导电填充柱构成导电柱;第一线路层,位于基板沿厚度方向的两面并与导电柱连接,第一线路层与导电柱的两端面平齐;基板包括多个玻璃板,多个玻璃板沿厚度方向垂直堆叠,相邻两个玻璃板之间设有第二线路层,第二线路层延伸至通孔处并与导电柱的外周连接。本发明专利技术可以解决现有技术中的通孔两端电镀不满的技术问题,并且后续线路增层时省去了制作盖帽的步骤,简化了金属化基板结构的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,具体涉及一种金属化基板结构及其制备方法


技术介绍

1、目前,芯片双面扇出封装结构的常规制作工艺为:先提供载板,在载板的表面压制介电层,然后在介电层上贴装芯片并对芯片进行塑封,拆键合后对塑封层开通孔处理,然后同时在通孔内电镀制作导电柱以及在塑封层和介电层表面分别电镀制得线路层,从而实现将芯片口双面电性引出。

2、现有技术存在以下问题:

3、当通孔的深径比比较大时,电镀制备导电柱时会出现通孔两端电镀不满的现象,芯片双面电性引出时会出现电连接稳定性差的问题,影响产品良率。

4、通孔处电镀不满时需要填充树脂,然后在树脂两端再次制作盖帽用于连接增层,工艺复杂。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种金属化基板结构及其制备方法,可以解决现有技术中的通孔两端电镀不满的技术问题,并且后续线路增层时省去了制作盖帽的步骤。

2、一方面,提供一种金属化基板结构,包括:

3、基板,所述基板具有沿厚度方向贯穿的通孔,所述通孔的孔壁设有导电环,所述导电环的内孔设有导电填充柱,所述导电填充柱由填充于所述导电环的内孔内的金属浆料经烧结而成,所述导电环和所述导电填充柱构成导电柱;

4、第一线路层,位于所述基板沿厚度方向的两面,并与所述导电柱连接,所述第一线路层与所述导电柱的两端面平齐;

5、所述基板包括多个玻璃板,多个所述玻璃板沿厚度方向垂直堆叠,相邻两个所述玻璃板之间设有第二线路层,所述第二线路层延伸至所述通孔处并与所述导电柱的外周连接。

6、本专利技术针对通孔处制作导电柱填充不满的情况,采用填充的金属浆料经烧结后形成导电填充柱,导电填充柱的两端会凸出于基板沿厚度方向的两面,通过研磨即可使导电填充柱两端满足平整度要求,可以有效解决现有技术中出现的通孔两端电镀不满的技术问题,从而在后续的芯片双面电性引出时,有效提高双面电连接结构的稳定性。同时,金属浆料烧结固化后具有导电性,可用于后续线路增层,与现有技术相比,省去了填充树脂后制作盖帽的步骤。

7、另一方面,提供一种所述的金属化基板结构的制备方法,包括:

8、s10、提供基板,对所述基板进行开孔处理,形成沿厚度方向贯穿所述基板的通孔;

9、s20、在所述通孔的孔壁制作导电环以及在所述基板的表面制作与所述到导电环连接的第一线路层;

10、s30、提供金属浆料,将所述金属浆料填充于所述导电环的内孔内并进行烧结处理,使所述金属浆料固化形成导电填充柱;

11、s40、对所述导电填充柱的两端研磨处理,使第一线路层与所述导电柱的两端面平齐,制得金属化基板结构。

12、与现有技术相比,本专利技术的有益效果如下:

13、本专利技术针对通孔处制作导电柱填充不满的情况,采用填充的金属浆料经烧结后形成导电填充柱,导电填充柱的两端会凸出于基板沿厚度方向的两面,通过研磨即可使导电填充柱两端满足平整度要求,可以有效解决现有技术中出现的通孔两端电镀不满的技术问题,从而在后续的芯片双面电性引出时,有效提高双面电连接结构的稳定性。同时,金属浆料烧结固化后具有导电性,可用于后续线路增层,与现有技术相比,省去了填充树脂后制作盖帽的步骤。

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【技术保护点】

1.一种金属化基板结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的金属化基板结构,其特征在于,所述第一线路层包括种子层一和第一重布线层,所述种子层一附着于所述基板沿厚度方向的两面,所述第一重布线层附着于所述种子层一的表面,且所述第一重布线层的表面与所述导电柱的两端面平齐;

3.根据权利要求1所述的金属化基板结构,所述导电环的厚度为所述通孔的直径的0.01%-49%。

4.一种权利要求1-3任一项所述的金属化基板结构的制备方法,其特征在于,包括:

5.根据权利要求4所述的金属化基板结构的制备方法,其特征在于,所述金属浆料由纳米金属粉末与有机物混合而成。

6.根据权利要求5所述的金属化基板结构的制备方法,其特征在于,所述纳米金属粉末选自纳米铜粉、纳米银粉、纳米银包铜粉、纳米银铜混合粉、纳米金粉、纳米铂粉、纳米锡粉中的任一种或至少两种的混合物;

7.根据权利要求6所述的金属化基板结构的制备方法,其特征在于,所述纳米金属粉末与有机物的质量比为1%-99%。

8.根据权利要求4至7任一项所述的金属化基板结构的制备方法,其特征在于,所述基板采用以下制备方法制得:

9.根据权利要求4至7任一项所述的金属化基板结构的制备方法,其特征在于,步骤S20包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种金属化基板结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的金属化基板结构,其特征在于,所述第一线路层包括种子层一和第一重布线层,所述种子层一附着于所述基板沿厚度方向的两面,所述第一重布线层附着于所述种子层一的表面,且所述第一重布线层的表面与所述导电柱的两端面平齐;

3.根据权利要求1所述的金属化基板结构,所述导电环的厚度为所述通孔的直径的0.01%-49%。

4.一种权利要求1-3任一项所述的金属化基板结构的制备方法,其特征在于,包括:

5.根据权利要求4所述的金属化基板结构的制备方法,其特征在于,所述金属浆料由...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨斌邹其昱何健豪曾铭
申请(专利权)人:广东佛智芯微电子技术研究有限公司
类型:发明
国别省市:

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