【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led显示，尤其涉及一种micro-led芯片及其制备方法。
技术介绍
1、随着增强现实(ar)和虚拟现实(vr)等新兴技术的出现，显示
对于超高分辨率自发光光源的需求快速增长。micro-led(微型发光二极管)因其在器件可靠性、响应速度和使用寿命等方面的显著优势，逐渐成为显示
研究和开发的热点。
2、在实现本专利技术过程中，专利技术人发现现有技术存在如下问题：
3、micro-led芯片在尺寸上的急剧缩小，带来了rgb(红、绿、蓝)三色led芯片水平排列组装的技术挑战。传统的micro-led显示屏通常采用rgb三色芯片水平排列的方式，但这一方面需要高精度的对位和组装技术，另一方面各个颜色的led芯片分布在水平面上需要占据较大的空间，无法满足小型化和高密度显示的需求。为了解决该问题，堆叠式的micro-led可以将尺寸进一步缩小，可以满足小型化和高密度显示的需求。但是，一方面堆叠式的micro-led的发光效率、成像效果还存在改进的空间，另一方面堆叠式的micro-led的组装和制造过程中存在一定的技术瓶颈，这些问题制约了当前显示技术对高集成度、高分辨率和高亮度的需求。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术问题的至少其一，本专利技术的目的在于提供一种高度集成且显示效果更好的micro-led芯片及其制备方法。
2、为实现上述专利技术目的，本专利技术一实施方式提供一种micro-led芯片，包括沿出光方向依次堆叠设置的
3、作为本专利技术的进一步改进，所述发光层包括第一发光层、第二发光层和第三发光层，所述发光单元芯片包括所述第一发光层的多个第一发光单元芯片、所述第二发光层的多个第二发光单元芯片、所述第三发光层的多个第三发光单元芯片；
4、所述micro-led芯片还包括多个发光单元，每个所述发光单元包括沿所述出光方向对齐设置所述第一发光单元芯片、所述第二发光单元芯片和所述第三发光单元芯片，沿所述出光方向，每个所述发光单元至少部分穿过所述透光孔。
5、作为本专利技术的进一步改进，所述第一发光层还包括第一填平层，所述第二发光层还包括第二填平层，所述第三发光层还包括第三填平层，所述第二填平层和所述第三填平层至少其一包括填平层通孔，所述填平层通孔与所述透光孔对齐设置。
6、作为本专利技术的进一步改进，所述micro-led芯片还包括第一p电极连接线、第二p电极连接线、第三p电极连接线和n电极连接线，所述第一发光单元芯片、所述第二发光单元芯片和所述第三发光单元芯片的n型接触电极均电连接所述n电极连接线，所述第一发光单元芯片的p型接触电极连接所述第一p电极连接线，所述第二p电极连接线通过所述第二填平层的填平层通孔连接所述第二发光单元芯片的p型接触电极，所述第三p电极连接线通过所述第三填平层的填平层通孔连接所述第三发光单元芯片的p型接触电极。
7、作为本专利技术的进一步改进，所述粘结层包括粘结所述第一发光层和所述第二发光层的第一粘结层、粘结所述第二发光层和所述第三发光层的第二粘结层、粘结所述第三发光层和所述基板的第三粘结层；
8、所述第一粘结层、所述第二粘结层和所述第三粘结层均包括多个所述透光孔，所述发光单元芯片的边缘与所述第一粘结层、所述第二粘结层或所述第三粘结层粘结，且所述边缘围绕所述透光孔。
9、作为本专利技术的进一步改进，所述第一发光层的发光波长大于所述第二发光层的发光波长，所述第二发光层的发光波长大于所述第三发光层的发光波长；
10、所述第一发光层朝向所述第二发光层的一侧、或所述第二发光层朝向所述第一发光层的一侧设置第一反射层，所述第一反射层用于反射所述第二发光层和所述第三发光层发出的光、并透过所述第一发光层发出的光；
11、所述第二发光层朝向所述第三发光层的一侧、或所述第三发光层朝向所述第二发光层的一侧设置第二反射层，所述第二反射层用于反射所述第三发光层发出的光、并透过所述第一发光层和所述第二发光层发出的光。
12、作为本专利技术的进一步改进，所述发光单元芯片包括发光区和电极区，所述透光孔与至少部分所述发光区沿所述出光方向对齐设置，所述电极区与所述粘结层粘结。
13、为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施例提供了一种micro-led芯片的制备方法，包括步骤：
14、在将临时基板上的发光单元芯片转移至基板的过程中，堆叠不同发光颜色的发光层，并在相邻发光层之间设置粘结层，其中，所述粘结层通过图形化处理形成多个透光孔，且所述透光孔与所述发光单元芯片的出光方向对齐。
15、作为本专利技术的进一步改进，所述在将临时基板上的发光单元芯片转移至基板的过程中，堆叠不同发光颜色的发光层，并在相邻发光层之间设置粘结层，包括：
16、在同层发光层的相邻发光单元芯片之间填充填平层作为绝缘介质，并预留填平层通孔，所述填平层通孔与所述透光孔对齐；
17、将每层所述发光层的p型接触电极通过所述填平层通孔分别连接各自对应的p电极连接线；
18、将每层所述发光层的n型接触电极通过所述填平层通孔均连接同一n电极连接线。
19、作为本专利技术的进一步改进，所述发光层包括第一发光层、第二发光层和第三发光层，所述第一发光层包括多个第一发光单元芯片，所述第二发光层包括多个第二发光单元芯片，所述第三发光层包括多个第三发光单元芯片，所述填平层包括设置于相邻的所述第一发光单元芯片之间的第一填平层、设置于相邻的所述第二发光单元芯片之间的第二填平层、以及设置于相邻的所述第三发光单元芯片之间的第三填平层；
20、所述制备方法还包括步骤：
21、于衬底外延生长所述发光单元芯片，其中，所述发光单元芯片包括所述第一发光单元芯片、所述第二发光单元芯片和所述第三发光单元芯片；
22、将所述发光单元芯片巨量转移至所述临时基板；
23、所述在将临时基板上的发光单元芯片转移至基板的过程中，堆叠不同发光颜色的发光层，并在相邻发光层之间设置粘结层，包括：
24、在所述基板上设置第三粘结层，且所述第三粘结层通过图形化的方式设置多个透光孔；
25、将所述第三发光单元芯片转移至所述第三粘结层，所述第三发光单元芯片沿所述出光方向与所述透光孔对齐；
26、将所述第三填平层填充于相邻的所述第三发光单元芯片之间；
27、在所述第三填平层上设置第二粘结层，且所述第二粘结层通过图形化的方式设置多个透光孔；
28、将所述第二发光单元芯片转移至所述第二粘结层，所述第二发光单元芯片沿所述出光方向与所述透光孔对齐；
29、将所述第二填平层填充于相邻的所述第二发光单元芯片之间；
30、在所述第二填平层上设置本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种Micro-LED芯片，其特征在于，包括沿出光方向依次堆叠设置的多层发光层和基板，以及粘结于各层所述发光层之间、所述发光层与所述基板之间的粘结层，至少其中一层所述粘结层包括多个透光孔，所述发光层的发光单元芯片的出光方向与所述透光孔对齐。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述发光层包括第一发光层、第二发光层和第三发光层，所述发光单元芯片包括所述第一发光层的多个第一发光单元芯片、所述第二发光层的多个第二发光单元芯片、所述第三发光层的多个第三发光单元芯片；
3.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述第一发光层还包括第一填平层，所述第二发光层还包括第二填平层，所述第三发光层还包括第三填平层，所述第二填平层和所述第三填平层至少其一包括填平层通孔，所述填平层通孔与所述透光孔对齐设置。
4.根据权利要求3所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片还包括第一p电极连接线、第二p电极连接线、第三p电极连接线和n电极连接线，所述第一发光单元芯片、所述第二发光单元芯片和所述第三发光单
5.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述粘结层包括粘结所述第一发光层和所述第二发光层的第一粘结层、粘结所述第二发光层和所述第三发光层的第二粘结层、粘结所述第三发光层和所述基板的第三粘结层；
6.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述第一发光层的发光波长大于所述第二发光层的发光波长，所述第二发光层的发光波长大于所述第三发光层的发光波长；
7.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述发光单元芯片包括发光区和电极区，所述透光孔与至少部分所述发光区沿所述出光方向对齐设置，所述电极区与所述粘结层粘结。
8.一种Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤：
9.根据权利要求8所述的Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在将临时基板上的发光单元芯片转移至基板的过程中，堆叠不同发光颜色的发光层，并在相邻发光层之间设置粘结层，包括：
10.根据权利要求9所述的Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述发光层包括第一发光层、第二发光层和第三发光层，所述第一发光层包括多个第一发光单元芯片，所述第二发光层包括多个第二发光单元芯片，所述第三发光层包括多个第三发光单元芯片，所述填平层包括设置于相邻的所述第一发光单元芯片之间的第一填平层、设置于相邻的所述第二发光单元芯片之间的第二填平层、以及设置于相邻的所述第三发光单元芯片之间的第三填平层；
11.根据权利要求10所述的Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述第三填平层上设置第二粘结层，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种micro-led芯片，其特征在于，包括沿出光方向依次堆叠设置的多层发光层和基板，以及粘结于各层所述发光层之间、所述发光层与所述基板之间的粘结层，至少其中一层所述粘结层包括多个透光孔，所述发光层的发光单元芯片的出光方向与所述透光孔对齐。
2.根据权利要求1所述的micro-led芯片，其特征在于，所述发光层包括第一发光层、第二发光层和第三发光层，所述发光单元芯片包括所述第一发光层的多个第一发光单元芯片、所述第二发光层的多个第二发光单元芯片、所述第三发光层的多个第三发光单元芯片；
3.根据权利要求2所述的micro-led芯片，其特征在于，所述第一发光层还包括第一填平层，所述第二发光层还包括第二填平层，所述第三发光层还包括第三填平层，所述第二填平层和所述第三填平层至少其一包括填平层通孔，所述填平层通孔与所述透光孔对齐设置。
4.根据权利要求3所述的micro-led芯片，其特征在于，所述micro-led芯片还包括第一p电极连接线、第二p电极连接线、第三p电极连接线和n电极连接线，所述第一发光单元芯片、所述第二发光单元芯片和所述第三发光单元芯片的n型接触电极均电连接所述n电极连接线，所述第一发光单元芯片的p型接触电极连接所述第一p电极连接线，所述第二p电极连接线通过所述第二填平层的填平层通孔连接所述第二发光单元芯片的p型接触电极，所述第三p电极连接线通过所述第三填平层的填平层通孔连接所述第三发光单元芯片的p型接触电极。
5.根据权利要求2所述的micro-led芯片，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳擎，李庆，岳晗，张威，张广庚，
申请(专利权)人：苏州芯聚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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