System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 音箱制造技术_技高网

音箱制造技术

技术编号:42962262 阅读:4 留言:0更新日期:2024-10-15 13:10
本发明专利技术属于音箱领域,涉及一种音箱。该音箱包括音箱主体以及多个声学超结构单元,所述音箱主体包括箱体以及扬声器,所述箱体内设置有共振腔,所述箱体还设置有与所述共振腔连通的安装孔,所述扬声器安装在所述安装孔处形成对所述安装孔的封堵,以封闭所述共振腔。每个所述声学超结构单元内形成有背腔,且每个声学超结构单元上开设有与所述背腔连通的通孔,所述通孔还与所述共振腔连通。该音箱可在不增加所述音箱主体共振腔的物理体积条件下,利用所述多个声学超结构单元降低所述音箱的谐振频率,进而实现增强所述音箱低音的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于音箱低音增强,特别是涉及一种音箱。


技术介绍

1、随着音箱向小型化和轻薄化发展,一方面,扬声器振动系统刚度会提高,降低音箱的低频灵敏度,另一方面,预留给音箱共振腔的空间十分有限,小共振腔会提高音箱的共振频率,进一步降低音箱的低频灵敏度,使音质听起来缺少低频成分。而随着人们对音乐、电影和游戏等娱乐体验的追求,对音箱低音的需求越来越高。因此,如何对小共振腔的结构进行设计,使其体现出大共振腔的声学效果,是一个亟待解决的问题。

2、为了解决上述技术问题,现有技术有倒相管、被动辐射器、迷宫式箱体结构。其中,倒相管将扬声器振膜背面所辐射的声波进行适当的相位变化,使其与扬声器振膜正面所辐射的声波在主要频段内的相位接近同相,能够有效地增加音箱的低频下限,但倒相管的设计和调整需要精确,否则可能引入相位失真,如果倒相管设计或制造不良,也易产生气流杂音问题,且要求扬声器的总体q值不超过0.6。被动辐射器可以用来替代倒相管增强音箱的低音,同时可以消除气流杂音,但被动辐射器的可靠性低、成本也较高。迷宫式箱体结构笨重复杂,体积庞大,同时对箱体密闭性等要求较高,也易产生气流杂音。此外,以上三种低音增强技术都易产生声音拖尾。


技术实现思路

1、本专利技术实施方式的目的在于提供一种音箱,旨在解决易产生声音拖尾、成本高、易产生气流杂音、对扬声器的总体q值要求高等的现有低音增强技术的问题。

2、为解决上述技术问题,一方面,本专利技术实施例提供了一种音箱,所述音箱包括音箱主体以及多个声学超结构单元,所述音箱主体包括箱体以及扬声器,所述箱体内形成有共振腔,所述箱体上开设有与所述共振腔连通的安装孔,所述扬声器安装在所述安装孔处形成对所述安装孔的封堵,以封闭所述共振腔;

3、每个所述声学超结构单元内形成有背腔,且每个声学超结构单元上开设有与所述背腔连通的通孔,所述通孔还与所述共振腔连通,所述多个声学超结构单元,用于降低所述音腔的谐振频率。

4、根据本专利技术实施例的音箱,将声学超结构设置在音箱主体的共振腔腔壁或者共振腔内,通过调整所述声学超结构的吸声性能,以在不增加音箱整体尺寸的条件下,虚拟扩大共振腔的体积,降低所述音箱的谐振频率,从而增强音箱低音。与现有的倒相管音箱和迷宫式音箱相比,可以有效降低音箱主体内部的杂音,降低气流杂音风险,避免声音拖尾,且比倒相管音箱对扬声器的总体q值要求更低。与现有的被动辐射器音箱相比,可避免声音拖尾,提高可靠性,降低成本。

5、可选地,所述多个声学超结构单元设置在同一平面上,或者,所述多个声学超结构单元沿同一方向堆叠设置。

6、可选地,所述声学超材料单元还设置有延长管,所述延长管位于所述背腔内,且所述延长管的一端经由所述通孔与所述共振腔连通,所述延长管的另一端与所述背腔连通。

7、可选地,所述延长管的至少部分沿直线延伸,或者,所述延长管的至少部分沿曲线延伸。

8、可选地,所述背腔设置有分隔板,所述分隔板在所述背腔内呈螺旋状延伸以在所述背腔内形成螺旋通道,所述螺旋通道的一端与所述通孔连通。

9、可选地,所述背腔内还设置有分层板,所述分层板与所述分隔板垂直设置,并将所述螺旋通道分隔为第一通道与第二通道,所述第一通道的一端与所述通孔连通,所述分层板留有缺口而使所述第一通道的另一端与所述第二通道的一端连通。

10、可选地,所述多个声学超结构单元在f1~5f0频段内的最小吸声系数不低于0.5,其中,0<f1<f0,f0为音箱主体的谐振频率。

11、可选地,每个所述声学超材料单元的吸声系数根据所述通孔的尺寸与所述背腔的尺寸确定。

12、可选地,至少两个所述声学超材料单元在所述通孔的深度、所述通孔的直径、所述背腔的深度与所述背腔的横截面积中的至少一者保持不同。

13、可选地,所述声学超结构单元的表面和/或背腔可设置多孔吸声材料。

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【技术保护点】

1.一种音箱,其特征在于,所述音箱包括音箱主体以及多个声学超结构单元,所述音箱主体包括箱体以及扬声器,所述箱体内形成有共振腔,所述箱体上开设有与所述共振腔连通的安装孔,所述扬声器安装在所述安装孔处形成对所述安装孔的封堵,以封闭所述共振腔;

2.根据权利要求1所述的音箱,其特征在于,所述多个声学超结构单元设置在同一平面上,或者,所述多个声学超结构单元沿同一方向依次堆叠设置。

3.根据权利要求1所述的音箱,其特征在于,所述声学超材料单元还设置有延长管,所述延长管位于所述背腔内,且所述延长管的一端经由所述通孔与所述共振腔连通,所述延长管的另一端与所述背腔连通。

4.根据权利要求3所述的音箱,其特征在于,所述延长管的至少部分沿直线延伸,或者,所述延长管的至少部分沿曲线延伸。

5.根据权利要求1所述的音箱,其特征在于,所述背腔内设置有分隔板,所述分隔板在所述背腔内呈螺旋状延伸以在所述背腔内形成螺旋通道,所述螺旋通道的一端与所述通孔连通。

6.根据权利要求5所述的音箱,其特征在于,所述背腔内还设置有分层板,所述分层板与所述分隔板垂直设置,并将所述螺旋通道分隔为第一通道与第二通道,所述第一通道的一端与所述通孔连通,所述分层板留有缺口而使所述第一通道的另一端与所述第二通道的一端连通。

7.根据权利要求1至6任一项所述的音箱,其特征在于,所述多个声学超结构单元在f1~5f0频段内的最小吸声系数不低于0.5,其中,0<f1<f0,f0为音箱主体的谐振频率。

8.根据权利要求7所述的音箱,其特征在于,每个所述声学超结构单元的吸声系数根据所述通孔的尺寸与所述背腔的尺寸确定。

9.根据权利要求1所述的音箱,其特征在于,至少两个所述声学超结构单元在所述通孔的深度、所述通孔的直径、所述背腔的深度与所述背腔的横截面积中的至少一者保持不同。

10.根据权利要求1所述的音箱,其特征在于,所述声学超结构单元的表面和/或所述背腔内设置有多孔吸声材料。

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【技术特征摘要】

1.一种音箱,其特征在于,所述音箱包括音箱主体以及多个声学超结构单元,所述音箱主体包括箱体以及扬声器,所述箱体内形成有共振腔,所述箱体上开设有与所述共振腔连通的安装孔,所述扬声器安装在所述安装孔处形成对所述安装孔的封堵,以封闭所述共振腔;

2.根据权利要求1所述的音箱,其特征在于,所述多个声学超结构单元设置在同一平面上,或者,所述多个声学超结构单元沿同一方向依次堆叠设置。

3.根据权利要求1所述的音箱,其特征在于,所述声学超材料单元还设置有延长管,所述延长管位于所述背腔内,且所述延长管的一端经由所述通孔与所述共振腔连通,所述延长管的另一端与所述背腔连通。

4.根据权利要求3所述的音箱,其特征在于,所述延长管的至少部分沿直线延伸,或者,所述延长管的至少部分沿曲线延伸。

5.根据权利要求1所述的音箱,其特征在于,所述背腔内设置有分隔板,所述分隔板在所述背腔内呈螺旋状延伸以在所述背腔内形成螺旋通道,所述螺旋通道的一端与所述通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟庭生孙伟王志刚
申请(专利权)人:华勤技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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