【技术实现步骤摘要】
本申请涉及多晶硅制备，尤其涉及一种冷氢化设备和多晶硅制备系统。
技术介绍
1、改良西门子方法生产多晶硅方法路线包括：利用氯化氢和工业硅粉在一定温度下反应生成三氯氢硅，同时利用冷氢化反应器，硅粉与还原尾气回收的四氯化硅、氯化氢以及氢气反应生成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行精馏提纯，提纯的三氯氢硅与氢气按照一定混合比例引入多晶硅还原炉，三氯氢硅被氢气还原成元素硅，并沉积在硅芯表面，逐渐生成所需规格的多晶硅棒。
2、冷氢化反应过程中，四氯化硅和氢气连续进入冷氢化反应器内，硅粉通常为间歇进料。相关技术中，一般在冷氢化反应器的底部设置有破泡板，有助于避免设备底部沉积硅粉形成硅粉气流、进而腐蚀设备内壁造成设备安全隐患的问题。而且，设备流化床的气固相上升形成气泡，有助于避免气泡扰动容易造成床层频繁波动影响反应效率的问题。
3、然而，相关技术中，不能较好控制冷氢化反应器内部的流场状态，反应过程不够稳定。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供一种冷氢化设备和多晶硅制备系统，利用差压原理进行床层料位的测量，有效防止堵塞问题，准确控制冷氢化设备内部的流场状态，使反应保持稳定，进而保证冷氢化设备内部的稳定性。
2、为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
3、第一方面，本申请的实施例提供一种冷氢化设备，包括冷氢化装置、测压吹扫装置、破泡装置和控制器，所述冷氢化装置具有反应壳体，所述反应壳体具有反应腔，所述破泡装置设置于所述反应腔中，所述测压吹扫装置设置于所述
4、在一种可能的实现方式中，沿所述反应壳体的高度的延伸方向，所述测压吹扫装置包括至少两条测压吹扫管路；至少两条所述测压吹扫管路的进气端相连通，所述吹扫端为所述测压吹扫管路与所述测压吹扫口相连通的端部；所述压力检测件设置于任意两条所述测压吹扫管路之间。
5、在一种可能的实现方式中，沿所述反应壳体的高度的延伸方向，所述破泡装置包括多个破泡板，所述测压区位于任意两个所述破泡板之间；所述测压吹扫口包括多个，多个所述测压吹扫口一一对应地靠近多个所述破泡板开设，所述压力检测件包括多个，多个所述压力检测检测件一一对应地设置在与多个所述测压吹扫口相连的多个所述测压吹扫管路之间。
6、在一种可能的实现方式中，所述破泡板包括顶部破泡板和底部破泡板，所述顶部破泡板位于靠近所述反应腔顶部的一侧，所述底部破泡板位于靠近所述反应腔底部的一侧；所述测压吹扫口包括顶部吹扫口和底部吹扫口，所述顶部吹扫口开设在位于所述顶部破泡板上方的所述反应壳体上，所述底部吹扫口以及开设在位于所述底部破泡板下方的所述反应壳体上；所述测压吹扫管路包括顶部吹扫管路和底部吹扫管路，所述顶部吹扫管路与所述顶部吹扫口连通，所述底部吹扫管路和所述底部吹扫口连通，所述压力检测件设置在所述顶部吹扫管路和底部吹扫管路之间。
7、在一种可能的实现方式中，所述反应腔的底部设置有分布器，所述分布器用于对进入所述反应壳体内的气体均匀分配。
8、在一种可能的实现方式中，所述反应壳体的底部连通有进气管路，所述进气管路通过所述反应壳体与所述分布器连通；所述压力检测件设置在所述进气管路和底部吹扫管路之间。
9、在一种可能的实现方式中，所述反应壳体上开设有硅粉进口，沿垂直于所述反应壳体高度的延伸方向，所述硅粉进口与所述测压吹扫口相对、且位于所述破泡装置的整体的上方位置或下方位置。
10、在一种可能的实现方式中，所述硅粉进口的数量包括一个，所述测压区包括多个；所述压力检测件被配置为检测多个所述测压区内的压差，并发送压差至所述控制器；所述控制器被配置为当任意所述测压区内的压差高于预设压差时关闭所述硅粉进口以停止向对应的所述反应腔中补充硅粉、以及被配置为当所述压差低于预设压差开启所述硅粉进口并向对应的所述反应腔中补充硅粉。
11、在一种可能的实现方式中，所述测压吹扫管路上设置有流量检测件，所述流量检测件被配置为检测所述测压吹扫管路内吹扫气体的流量。
12、第二方面，本申请的实施例提供一种多晶硅制备系统，至少包括精馏设备、还原设备和冷氢化设备，所述精馏设备连通于所述冷氢化设备和所述还原设备之间。
13、本申请提供的冷氢化设备和多晶硅制备系统，冷氢化设备包括冷氢化装置、测压吹扫装置、破泡装置和控制器。这样，测压吹扫装置能够对测压区进行吹扫，有益于避免硅粉堵塞的问题。同时，测压吹扫装置上设置有压力检测件，压力检测件能够对测压区内的压差进行实时检测，从而有助于及时向反应腔补充硅粉或停止补充硅粉，准确控制冷氢化设备内部的流场状态，使反应保持稳定，进而保证冷氢化设备内部的稳定性。
14、本申请的构造以及它的其他申请目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
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1.一种冷氢化设备，其特征在于，包括冷氢化装置、测压吹扫装置、破泡装置和控制器，所述冷氢化装置具有反应壳体，所述反应壳体具有反应腔，所述破泡装置设置于所述反应腔中，所述测压吹扫装置设置于所述反应腔的外部；
2.根据权利要求1所述的冷氢化设备，其特征在于，所述测压吹扫装置包括至少两条测压吹扫管路；
3.根据权利要求2所述的冷氢化设备，其特征在于，沿所述反应壳体的高度的延伸方向，所述破泡装置包括多层破泡板，所述测压区位于任意两个所述破泡板之间；
4.根据权利要求3所述的冷氢化设备，其特征在于，所述破泡板包括顶部破泡板和底部破泡板，所述顶部破泡板位于靠近所述反应腔顶部的一侧，所述底部破泡板位于靠近所述反应腔底部的一侧；
5.根据权利要求1-4中任一项所述的冷氢化设备，其特征在于，所述反应腔的底部设置有分布器，所述分布器用于对进入所述反应壳体内的气体均匀分配。
6.根据权利要求5所述的冷氢化设备，其特征在于，所述反应壳体的底部连通有进气管路，所述进气管路通过所述反应壳体与所述分布器连通；所述压力检测件设置在所述进气管路和底部吹扫
7.根据权利要求6所述的冷氢化设备，其特征在于，所述反应壳体上开设有硅粉进口，沿垂直于所述反应壳体高度的延伸方向，所述硅粉进口与所述测压吹扫口相对、且位于所述破泡装置的整体的上方位置或下方位置。
8.根据权利要求7所述的冷氢化设备，其特征在于，所述硅粉进口的数量包括一个，所述测压区包括多个；
9.根据权利要求2-4中任一项所述的冷氢化设备，其特征在于，所述测压吹扫管路上设置有流量检测件，所述流量检测件被配置为检测所述测压吹扫管路内吹扫气体的流量。
10.一种多晶硅制备系统，其特征在于，至少包括精馏设备、还原设备和权利要求1-9中任一项所述的冷氢化设备，所述精馏设备连通于所述冷氢化设备和所述还原设备之间。
...【技术特征摘要】
1.一种冷氢化设备，其特征在于，包括冷氢化装置、测压吹扫装置、破泡装置和控制器，所述冷氢化装置具有反应壳体，所述反应壳体具有反应腔，所述破泡装置设置于所述反应腔中，所述测压吹扫装置设置于所述反应腔的外部；
2.根据权利要求1所述的冷氢化设备，其特征在于，所述测压吹扫装置包括至少两条测压吹扫管路；
3.根据权利要求2所述的冷氢化设备，其特征在于，沿所述反应壳体的高度的延伸方向，所述破泡装置包括多层破泡板，所述测压区位于任意两个所述破泡板之间；
4.根据权利要求3所述的冷氢化设备，其特征在于，所述破泡板包括顶部破泡板和底部破泡板，所述顶部破泡板位于靠近所述反应腔顶部的一侧，所述底部破泡板位于靠近所述反应腔底部的一侧；
5.根据权利要求1-4中任一项所述的冷氢化设备，其特征在于，所述反应腔的底部设置有分布器，所述分布器用于对进入所述反应壳体内的气体均匀分配。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：李丹，姚又省，刘继三，刘明霞，武晓倩，何振江，
申请(专利权)人：华陆工程科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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