【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于碳化硅加工领域，特别涉及一种先晶片倒角，后晶片减薄的加工顺序，为保证晶片在减薄后上、下幅宽一致的加工方法；避免了二次倒角，提高了加工效率，节约了加工成本。
技术介绍
1、碳化硅碳化硅作为第三代半导体材料，具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移率，具有比其他材料更完美的材料特性，使其在高温、高频、大功率的电子元器件中具有巨大的应用潜力。因碳化硅单晶材料化学稳定性好、硬度高，使得碳化硅晶片在加工中费时费力而且成本昂贵，为了进一步更快的实现产业化，如何降低碳化硅晶片的加工成本、提高加工效率是未来的发展方向。
2、目前碳化硅行业中对晶片倒角存在着多种加工方法、加工顺序，但都会存在着一些不同的加工缺陷。
3、如减薄后加工倒角，虽然保证了晶片上、下幅宽的一致性，但存在晶片偏薄，倒角过程中可能会出现碎片的可能性，即使降低倒角的各项参数来减小碎片率，但也大大降低了加工的效率；减薄后加工倒角，在减薄过程中因未倒角会产生碎片或产生颗粒导致晶片出现严重的划痕。
4、如减薄前加工倒角，在减薄后无法保证晶片倒角后上、下幅宽的一致性，存在不符合客户要求的可能性。
5、进行二次倒角，在减薄前进行一次倒角，减薄后进行二次倒角，大大的降低了加工效率，也提高了加工成本。
技术实现思路
1、本专利技术就是鉴于现有倒角技术的上述问题所作出的，用于解决上述所说的技术问题。为了克服目前所存在的问题，提出一种在减薄前进行倒角，减薄后还能保证晶片上、下幅
2、一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，包括如下步骤：s1、明确晶片减薄过程中影响参数影响参数包括：晶片厚度t、晶片的上幅宽a1、晶片的下幅宽a2产生影响；s2、明确晶片的减薄厚度，即明确晶片在减薄工序中上面的减薄量t1、晶片在减薄工序中下面的减薄量t2；s3、通过晶片在减薄工序中上面的减薄量t1、晶片在减薄工序中下面的减薄量t2计算晶片在减薄工序中上面的减薄量t1对应的晶片在减薄工序中减薄去除的上幅宽x1、计算晶片在减薄工序中下面的减薄量t2对应的晶片在减薄工序中减薄去除的下幅宽x2；s4、根据晶片的上幅宽a1、晶片的下幅宽a2以及晶片在减薄工序中减薄去除的上幅宽x1、晶片在减薄工序中减薄去除的下幅宽x2确定晶片两侧最终的幅宽x；s5、如果步骤s4中晶片两侧最终的幅宽x符合要求，对晶片进行加工；如果步骤s4中晶片两侧最终的幅宽x不符合要求，对晶片在在倒角工序的上幅宽a1、晶片在倒角工序的下幅宽a2进行调整，直至两侧最终的幅宽x符合加工要求为止。
3、必须的，在减薄过程中，有厚度探测器实时探测晶片厚度，以确保加工时减薄去除量的精准性，即保证t1，t2的准确度。
4、适宜的，晶片厚度去除速度小于0.3um/s-0.5um/s。
5、要求的，厚度探测器的分辨精度达到1um。
6、优选地，根据机器加工偏差，对加工数据进行偏置。
7、适宜的，数据偏置大小受到机器加工偏差的影响最大。所以要使用试机片（试机片一般为品质挑片后判定的不合格品）进行偏置量的确认。设定试机片要求幅宽x=100um，实际加工幅宽x’=120um，则x1的偏置幅宽为x-x’=-20um。即x1+x的偏置幅宽为-20um。同理x2+x的偏置幅宽为-20um。
8、优选地，需要偏置的加工属于包括晶片在倒角工序的上幅宽a1、晶片在倒角工序的下幅宽a2。
9、优选地，通过晶片的上倒角角度ang1、晶片的下倒角角度ang2、晶片在减薄工序中上面的减薄量t1、晶片在减薄工序中下面的减薄量t2计算晶片在减薄工序中上面的减薄量t1对应的晶片在减薄工序中减薄去除的上幅宽x1、计算晶片在减薄工序中下面的减薄量t2对应的晶片在减薄工序中减薄去除的下幅宽x2。
10、优选地，两侧最终的幅宽x相等即符合加工要求。
11、有益效果
12、本专利技术将难以直接推算的导角弧形表面转化为t1、t2对应的x1、x2，能够精准明确机器所需的加工量，在减薄机微米级别精度下保证了晶片上、下幅宽一致，满足了碳化硅晶片精确、高效加工的需要；本方法通过精确计算能够一次倒角完成所需要求，提高了工作效率，降低了加工成本；在保证上、下幅宽一致的情况下，可在减薄前进行倒角，保证了减薄不会因为晶片没有倒角而产生颗粒从而划伤晶片或使晶片破碎，也避免了减薄后，晶片变薄，倒角可能产生碎片的风险。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，根据机器加工偏差，对加工数据进行偏置。
3.根据权利要求2所述的一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，需要偏置的加工数据包括晶片在倒角工序的上幅宽A1、晶片在倒角工序的下幅宽A2。
4.根据权利要求4所述的一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，通过晶片的上倒角角度Ang1、晶片的下倒角角度Ang2、晶片在减薄工序中上面的减薄量t1、晶片在减薄工序中下面的减薄量t2计算晶片在减薄工序中上面的减薄量t1对应的晶片在减薄工序中减薄去除的上幅宽X1、计算晶片在减薄工序中下面的减薄量t2对应的晶片在减薄工序中减薄去除的下幅宽X2。
5.根据权利要求1所述的一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，两侧最终的幅宽X相等即符合加工要求。
【技术特征摘要】
1.一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，根据机器加工偏差，对加工数据进行偏置。
3.根据权利要求2所述的一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，需要偏置的加工数据包括晶片在倒角工序的上幅宽a1、晶片在倒角工序的下幅宽a2。
4.根据权利要求4所述的一种保证晶片倒角幅宽一致的加工...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹德坤，江成陈，
申请(专利权)人：安徽微芯长江半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。