【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种ausn背金的led芯片及其制备方法、照明设备。
技术介绍
1、目前行业内大功率照明产品有ausn背金和sn膏共金焊的需求，行业内常用的切割方式为刀片切割和激光切割。
2、基于ausn背金和sn膏共金的工艺要求，ausn背金需要至少3um的厚度，这种厚度的ausn背金采用刀片切割的方式进行切割时，容易产生崩边，发生掉ausn背金等问题，且刀片切割3um厚的ausn背金，寿命比常规的要短；采用激光切割的方式可以有效解决切割崩边的问题，但是由于激光焊，切割后的ausn背金的边缘会产生残渣，影响下游工序的sn膏共金。
3、那么，如何优化ausn背金的切割工艺，以提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提供了一种ausn背金的led芯片及其制备方法、照明设备，在激光切割ausn背金后，再蒸镀金属层，以覆盖切割后的ausn背金边缘的残渣，提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果。具体方案如下：
2、本申请第一方面提供一种ausn背金的led芯片的制备方法，所述ausn背金的led芯片的制备方法包括：
3、制备led芯片的外延片结构；
4、在所述外延片结构中目标衬底的一侧制备ausn背金；
5、对所述ausn背金进行激光切割处理，形成切割道；
6、蒸镀金属层，所述金属层至少覆盖所述ausn背金
7、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述ausn背金的led芯片的制备方法还包括：
8、去除所述切割道内的部分所述金属层。
9、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述ausn背金的led芯片的制备方法还包括：
10、基于所述切割道进行裂片处理，形成多个独立的led芯片。
11、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述金属层的材料为au材料、tiau材料或ptau材料。
12、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述金属层的层数为至少一层；
13、当所述金属层的层数大于或等于两层时，至少两层所述金属层的材料不同。
14、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述金属层完全覆盖所述ausn背金背离所述目标衬底一侧的表面。
15、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述外延片结构包括：
16、位于所述目标衬底背离所述ausn背金一侧，且依次层叠设置的p型限制层、mqw层以及n型限制层；
17、位于所述目标衬底和所述p型限制层之间的金属镜面层。
18、优选的，在上述ausn背金的led芯片的制备方法中，所述n型限制层背离所述目标衬底一侧的部分表面为粗化面。
19、本申请第二方面提供一种ausn背金的led芯片，所述ausn背金的led芯片是通过上述任一项所述的ausn背金的led芯片的制备方法所获得的。
20、本申请第三方面提供一种照明设备，所述照明设备包括上述所述的ausn背金的led芯片。
21、借由上述技术方案，本申请提供了一种ausn背金的led芯片及其制备方法、照明设备。在激光切割ausn背金后，再蒸镀金属层，通过该金属层覆盖切割后的ausn背金边缘的残渣，以提高ausn背金表面的平整度，进而提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果。
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1.一种AuSn背金的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述AuSn背金的LED芯片的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的AuSn背金的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述AuSn背金的LED芯片的制备方法还包括：
3.根据权利要求2所述的AuSn背金的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述AuSn背金的LED芯片的制备方法还包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的AuSn背金的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为Au材料、TiAu材料或PtAu材料。
5.根据权利要求4所述的AuSn背金的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层的层数为至少一层；
6.根据权利要求1所述的AuSn背金的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层完全覆盖所述AuSn背金背离所述目标衬底一侧的表面。
7.根据权利要求1所述的AuSn背金的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述外延片结构包括：
8.根据权利要求7所述的AuSn背金的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述N型限制层背离所述目
9.一种AuSn背金的LED芯片，其特征在于，所述AuSn背金的LED芯片是通过权利要求1-8任一项所述的AuSn背金的LED芯片的制备方法所获得的。
10.一种照明设备，其特征在于，所述照明设备包括权利要求9所述的AuSn背金的LED芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制备方法还包括：
3.根据权利要求2所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制备方法还包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为au材料、tiau材料或ptau材料。
5.根据权利要求4所述的ausn背金的led芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层的层数为至少一层；
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵鹏，马英杰，班国训，李皇，何剑，徐晓刚，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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