【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频，尤其涉及一种推挽功率放大电路、推挽功率放大器及射频前端模组。
技术介绍
1、如今，随着第五代移动通信技术(5g)的普及，对终端等通信设备收发视频信号的频段需求也越来越高。
2、第五代移动通信技术(5g)的关键性能目标是传输速率相比4g大幅提升，5g新技术需要采用频率更高、带宽更大、qam调制更高阶的射频前端，使其对射频前端的功率放大器的设计提出更严苛的要求。推挽功率放大器因在射频前端中可满足频率更高、带宽更大和qam调制更高阶的需求，从而得到广泛应用。然而，在设计推挽功率放大器时为了满足阻抗匹配的性能指标，往往会导致挽功率放大电路的带宽性能变差，因此，如何在实现推挽功率放大器的阻抗匹配的同时，保证挽功率放大电路的带宽性能成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是：提供一种推挽功率放大电路及推挽功率放大器，能够在实现推挽功率放大器的阻抗匹配同时，还能保证挽功率放大电路的带宽性能。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种推挽功率放大电路，包括：第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管和匹配网络；
3、所述匹配网络的第一端与所述第一差分放大晶体管的输入端连接，所述匹配网络的第二端与所述第二差分放大晶体管的输入端连接，或者，所述匹配网络的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述匹配网络的第二端与所述第二差分放大晶体管的输出端连接；
4、所述匹配网络，被配置为提供可调整的共模阻抗。
6、进一步，作为优选地，所述匹配网络包括至少一个阻抗匹配元件和至少一个切换开关，被配置为根据所述切换开关的工作状态增加或减少参与所述推挽功率放大电路的共模阻抗匹配的所述阻抗匹配元件的数量，其中，所述阻抗匹配元件包括：电感元件和电容元件。
7、进一步，作为优选地，所述匹配网络包括：第一阻抗匹配元件、第二阻抗匹配元件、第三阻抗匹配元件、第四阻抗匹配元件、第五阻抗匹配元件、第六阻抗匹配元件和切换开关；所述第一阻抗匹配元件的第一端与所述第一差分放大晶体管的输入端或输出端连接，所述第一阻抗匹配元件的第二端与所述第二阻抗匹配元件的第一端连接；所述第二阻抗匹配元件的第一端与所述第一阻抗匹配元件的第二端连接，所述第二阻抗匹配元件的第二端与所述第三阻抗匹配元件的第一端连接；所述第三阻抗匹配元件的第一端与所述第二阻抗匹配元件的第二端连接，所述第三阻抗匹配元件的第二端与所述第六阻抗匹配元件的第一端连接；所述第四阻抗匹配元件的第一端与所述第一阻抗匹配元件的第二端和所述第二阻抗匹配元件的第一端连接，所述第四阻抗匹配元件的第二端与所述第五阻抗匹配元件的第一端连接；所述第五阻抗匹配元件的第一端与所述第四阻抗匹配元件的第二端连接，所述第五阻抗匹配元件的第二端与所述第二阻抗匹配元件的第二端和所述第六阻抗匹配元件的第一端连接；所述第六阻抗匹配元件的第一端与所述第三阻抗匹配元件的第二端连接，所述第六阻抗匹配元件的第二端与所述第二差分放大晶体管的输入端或输出端连接；所述切开关的第一端与所述第四阻抗匹配元件的第二端和所述第五阻抗匹配元件的第一端连接，所述切换开关的第二端接地；所述第一阻抗匹配元件和所述第六阻抗匹配元件为同一种类型的元件，所述第二阻抗匹配元件、所述第三阻抗匹配元件、所述第四阻抗匹配元件和所述第五阻抗匹配元件为同一类型的元件。
8、进一步，作为优选地，所述第二阻抗匹配元件的第二端和所述第三阻抗匹配元件的第一端接地。
9、进一步，作为优选地，所述切换开关包括：第一晶体管和第二晶体管；所述切换开关的第一端与所述第一晶体管的第一端和所述第二晶体管的第一端连接，所述切换开关的第二端与所述第一晶体管的第三端和所述第二晶体管的第二端连接；所述第一晶体管的第一端与所述第二晶体管的第一端连接，所述第一晶体管的第二端接地，所述第一晶体管的第三端与所述第二晶体管的第二端连接；所述第二晶体管的第一端与所述第一晶体管的第一端连接，所述第二晶体管的第二端与所述第一晶体管的第三端连接，所述第二晶体管的第三端接地。
10、进一步，作为优选地，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括双极结型晶体管和场效应晶体管；当所述第一晶体管和所述第二晶体管为双极结型晶体管，则所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端为基极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端为集电极，所述第一晶体管和所述第二晶体管第三节点为发射极；当所述第一晶体管和所述第二晶体管为场效应晶体管，则所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一节点为栅极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二节点为源极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第三节点为漏极。
11、进一步，作为优选地，所述匹配网络还包括：第七阻抗匹配元件；所述第七阻抗匹配元件设置在所述第四阻抗匹配元件的第二端与地之间，所述第七阻抗匹配元件与所述切换开关串联；所述第七阻抗匹配元件和所述第一阻抗匹配元件、所述第六阻抗匹配元件为同一种类型的元件。
12、进一步，作为优选地，所述第一差分放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频输入信号，所述第一差分放大晶体管的集电极耦合至所述匹配网络的第一端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；所述第二差分放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极接收输入的第二射频输入信号，所述第二差分放大晶体管的集电极耦合至所述匹配网络的第二端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地。
13、上述推挽功率放大电路与现有技术相比，其有益效果在于：
14、本申请提供的一种推挽功率放大电路，包括：第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管和匹配网络；所述匹配网络的第一端与所述第一差分放大晶体管的输入端连接，所述匹配网络的第二端与所述第二差分放大晶体管的输入端连接，或者，所述匹配网络的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述匹配网络的第二端与所述第二差分放大晶体管的输出端连接；所述匹配网络，被配置为提供可调整的共模阻抗。本申请通过设计一个能够对共模阻抗进行调整的匹配网络，并将所述匹配网络用于推挽功率放大电路输入阻抗匹配或者输出阻抗匹配，所述匹配网络能够根据实际需求，对共模阻抗进行适应性调整，进而实现功率放大电路的超宽频阻抗匹配。
15、本申请还提供一种推挽功率放大电路，包括：第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管和匹配网络；所述匹配网络的第一端与所述第一差分放大晶体管的输入端连接，所述匹配网络的第二端与所述第二差分放大晶体管的输入端连接，或者，所述匹配网络的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述匹配网络的第二端与所述第二差分放大晶体管的输出端连接；所述匹配网络包括第一匹配模块和第二匹配模块，所述第一匹配模块被配置为参与所述推挽功率放大电路的共模阻抗匹配，所述第二匹配模块被本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括：第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管和匹配网络；
2.根据根据权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述匹配网络，被配置为根据所述推挽功率放大电路的工作频率调整所述匹配网络的共模阻抗。
3.根据权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述匹配网络包括至少一个阻抗匹配元件和至少一个切换开关，被配置为根据所述切换开关的工作状态增加或减少参与所述推挽功率放大电路的共模阻抗匹配的所述阻抗匹配元件的数量，其中，所述阻抗匹配元件包括：电感元件和电容元件。
4.根据权利要求3所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述匹配网络包括：第一阻抗匹配元件、第二阻抗匹配元件、第三阻抗匹配元件、第四阻抗匹配元件、第五阻抗匹配元件、第六阻抗匹配元件和切换开关；
5.根据权利要求4所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二阻抗匹配元件的第二端和所述第三阻抗匹配元件的第一端接地。
6.根据权利要求4所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述切换开关包括：第一晶体管和第二晶体管；
7.
8.根据权利要求4-7任一项所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述匹配网络还包括：第七阻抗匹配元件，所述第七阻抗匹配元件设置在所述第四阻抗匹配元件的第二端与地之间，所述第七阻抗匹配元件与所述切换开关串联；
9.根据权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一差分放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频输入信号，所述第一差分放大晶体管的集电极耦合至所述匹配网络的第一端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；所述第二差分放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极接收输入的第二射频输入信号，所述第二差分放大晶体管的集电极耦合至所述匹配网络的第二端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地。
10.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括：第一差分放大晶体管、第二差分差分放大晶体管和匹配网络；
11.根据权利要求10所述的推挽功率放大电路，其特征在于，在所述推挽功率放大电路工作在第一工作频带时，所述第二匹配模块参与所述推挽功率放大电路的共模阻抗；在所述推挽功率放大电路工作在第二工作频带时，所述第二匹配模块不参与所述推挽功率放大电路的共模阻抗匹配。
12.根据权利要求11所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一工作频带的频率高于所述第二工作频带的频率。
13.根据权利要求10所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一匹配模块包括：第一阻抗匹配元件、第二阻抗匹配元件、第三阻抗匹配元件和第六阻抗匹配元件；
14.根据权利要求13述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二阻抗匹配元件的第二端和所述第三阻抗匹配元件的第一端接地。
15.根据权利要求13或14所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二匹配模块包括：第四阻抗匹配元件、第五阻抗匹配元件和切换开关；
16.根据权利要求15所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二匹配模块还包括：第七阻抗匹配元件，所述第七阻抗匹配元件设置在所述第四阻抗匹配元件的第二端与地之间，所述第七阻抗匹配元件与所述切换开关串联；
17.一种推挽功率放大器，其特征在于，包括：
18.根据权利要求17所述的推挽功率放大器，其特征在于，所述匹配网络包括：第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和切换开关；所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容和所述切换开关设置在所述第一芯片中；
19.根据权利要求18所述的推挽功率放大器，其特征在于，所述匹配网络还包括：第一电感，所述第一电感设置在所述第一芯片中，所述第一电感设置在所述第三电容的第二端与地之间，所述第一电感与所述切换开关串联。
20.根据权利要求17所述的推挽功率放大器，其特征在于，所述匹配网络：第一电容、第二电容和切换...
【技术特征摘要】
1.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括：第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管和匹配网络；
2.根据根据权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述匹配网络，被配置为根据所述推挽功率放大电路的工作频率调整所述匹配网络的共模阻抗。
3.根据权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述匹配网络包括至少一个阻抗匹配元件和至少一个切换开关，被配置为根据所述切换开关的工作状态增加或减少参与所述推挽功率放大电路的共模阻抗匹配的所述阻抗匹配元件的数量，其中，所述阻抗匹配元件包括：电感元件和电容元件。
4.根据权利要求3所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述匹配网络包括：第一阻抗匹配元件、第二阻抗匹配元件、第三阻抗匹配元件、第四阻抗匹配元件、第五阻抗匹配元件、第六阻抗匹配元件和切换开关；
5.根据权利要求4所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二阻抗匹配元件的第二端和所述第三阻抗匹配元件的第一端接地。
6.根据权利要求4所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述切换开关包括：第一晶体管和第二晶体管；
7.根据权利要求6所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括双极结型晶体管和场效应晶体管；当所述第一晶体管和所述第二晶体管为双极结型晶体管，则所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端为基极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端为集电极，所述第一晶体管和所述第二晶体管第三节点为发射极；当所述第一晶体管和所述第二晶体管为场效应晶体管，则所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一节点为栅极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二节点为源极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第三节点为漏极。
8.根据权利要求4-7任一项所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述匹配网络还包括：第七阻抗匹配元件，所述第七阻抗匹配元件设置在所述第四阻抗匹配元件的第二端与地之间，所述第七阻抗匹配元件与所述切换开关串联；
9.根据权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一差分放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频输入信号，所述第一差分放大晶体管的集电极耦合至所述匹配网络的第一端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；所述第二差分放大晶体管为双极结型晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极接收输入的第二射频输入信号，所述第二差分放大晶体管的集电极耦合至所述匹配网络的第二端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地。
10.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括：第一差分放大晶体管、第二差分差分放大晶体管和匹配网络；
11.根据权利要求10所述的推挽功率放大电路，其特征在于，在所述推挽功率放大电路工作在第一工作频带时，所述第二匹配模块参与所述推挽功率放大电路的共模阻抗；在所述推挽功率放大电路工作在第二工作频带时，所述第二匹配模块不参与所述推挽功率放大电路的共模阻抗匹配。
12.根据权利要求11所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一工作频带的频率高于所述第二工作频带的频率。
13.根据权利要求10所述的推挽功率放大电路，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹原，雷永俭，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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