【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种具有气隙的半导体结构。
技术介绍
1、半导体制造中，随着器件不断缩小，介电薄膜的介电常数不断降低。最大限度地减少低介电常数(低k)薄膜的集成损坏对于能够继续减小特征尺寸非常重要。
2、多孔低k介电薄膜，例如有机硅酸盐玻璃(osg)低k介电薄膜，在经过气隙蚀刻工艺后会受到等离子体损伤，从而导致较大的阻容(rc)延迟。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种互连结构的制作方法，以解决现有技术的不足或缺点。
2、本专利技术一方面提供一种半导体结构，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上；蚀刻停止层，位于所述第一介电层上；第二介电层，位于所述蚀刻停止层上；第一导体和第二导体，位于所述第二介电层中；气隙，位于所述第二介电层中并且位于所述第一导体与所述第二导体之间；以及第一低极性介电层，位于所述气隙内的所述第二介电层的侧壁表面上。
3、根据本专利技术实施例，所述第一介电层为氧化硅层，所述第二介电层为低k材料层。
4、根据本专利技术实施例，所述低k材料层包括有机硅玻璃低k介电层。
5、根据本专利技术实施例，所述第一低极性介电层为甲硅烷基化表层。
6、根据本专利技术实施例，所述半导体结构还包括：第二低极性介电层，设置于所述第一导体周围；以及第三低极性介电层，设置于所述第二导体周围。
7、根据本专利技术实施例，所述第二低极性介电层和第三低极性介电层为甲硅烷基化表层。p>
8、根据本专利技术实施例，所述第二低极性介电层与所述第一导体直接接触，所述第三低极性介电层与所述第二导体直接接触。
9、根据本专利技术实施例，该第一导体与该第二导体包括铜。
10、根据本专利技术实施例，所述气隙延伸进入所述蚀刻停止层和所述第一介电层中。
11、根据本专利技术实施例，所述半导体结构还包括：甲硅烷基化氧化表层，位于所述第一介电层的侧壁表面上。
12、本专利技术另一方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介电层；在所述第一介电层上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成第二介电层；在所述第二介电层中形成第一导体和第二导体；在所述第二介电层中以及所述第一导体与所述第二导体之间形成气隙；以及在所述气隙内的所述第二介电层的侧壁面上形成第一低极性介电层。
13、根据本专利技术实施例，所述第一介电层为氧化硅层，所述第二介电层为低k材料层。
14、根据本专利技术实施例，所述低k材料层包括有机硅玻璃低k介电层。
15、根据本专利技术实施例，所述第一低极性介电层为甲硅烷基化表层。
16、根据本专利技术实施例，所述方法还包括：在所述第一导体周围形成第二低极性介电层；以及于所述第二导体周围形成第三低极性介电层。
17、根据本专利技术实施例，所述第二低极性介电层和第三低极性介电层为甲硅烷基化表层。
18、根据本专利技术实施例，所述第二低极性介电层与所述第一导体直接接触，所述第三低极性介电层与所述第二导体直接接触。
19、根据本专利技术实施例，所述第一导体和所述第二导体包括铜。
20、根据本专利技术实施例，所述气隙延伸到所述蚀刻停止层和所述第一介电层中。
21、根据本专利技术实施例，所述方法还包括：在所述第一介电层的侧壁表面形成甲硅烷基化氧化表层。
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1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层为氧化硅层，所述第二介电层为低k材料层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述低k材料层包括有机硅玻璃低k介电层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一低极性介电层为甲硅烷基化表层。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二低极性介电层和第三低极性介电层为甲硅烷基化表层。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二低极性介电层与所述第一导体直接接触，所述第三低极性介电层与所述第二导体直接接触。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第一导体与该第二导体包括铜。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气隙延伸进入所述蚀刻停止层和所述第一介电层中。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
11.一种半导体结构的
12.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一介电层为氧化硅层，所述第二介电层为低k材料层。
13.根据权利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述低k材料层包括有机硅玻璃低k介电层。
14.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一低极性介电层为甲硅烷基化表层。
15.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，还包括：
16.根据权利要求15所述的形成方法，其特征在于，所述第二低极性介电层和第三低极性介电层为甲硅烷基化表层。
17.根据权利要求15所述的形成方法，其特征在于，所述第二低极性介电层与所述第一导体直接接触，所述第三低极性介电层与所述第二导体直接接触。
18.根据权利要求15所述的形成方法，其特征在于，所述第一导体和所述第二导体包括铜。
19.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述气隙延伸到所述蚀刻停止层和所述第一介电层中。
20.根据权利要求19所述的形成方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层为氧化硅层，所述第二介电层为低k材料层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述低k材料层包括有机硅玻璃低k介电层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一低极性介电层为甲硅烷基化表层。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二低极性介电层和第三低极性介电层为甲硅烷基化表层。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二低极性介电层与所述第一导体直接接触，所述第三低极性介电层与所述第二导体直接接触。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第一导体与该第二导体包括铜。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气隙延伸进入所述蚀刻停止层和所述第一介电层中。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
11.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：林大钧，张智伟，蔡馥郁，蔡滨祥，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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