【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜沉积，具体而言，涉及一种卷对卷真空沉积设备及沉积方法。
技术介绍
1、市面上存在部分卷对卷真空沉积设备，用于对柔性基底进行连续的表面薄膜沉积。
2、此类设备的收放卷室与沉积室分别配置有独立的真空系统，二者通过各自的真空系统独立调节真空度，导致生产成本过高，且控制过程繁琐复杂，难以精确把控收放卷室与沉积室的压力关系。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种卷对卷真空沉积设备，其能够降低生产成本并简化控制过程，还能够精确控制收放卷室与沉积室的压力关系。
2、本专利技术的另一目的在于提供一种卷对卷真空沉积方法，其能够降低生产成本并简化控制过程，还能够精确控制收放卷室与沉积室的压力关系。
3、本专利技术的实施例提供一种技术方案：
4、一种卷对卷真空沉积设备，包括收放卷室、沉积室、控制阀、抽真空装置、放卷机构及收卷机构；所述放卷机构容置于所述收放卷室，用于放卷柔性基底；所述收卷机构容置于所述收放卷室，用于对放卷后穿过所述沉积室的所述柔性基底进行收卷；所述柔性基底在穿过所述沉积室的过程中完成薄膜沉积；所述控制阀设置于所述收放卷室与所述沉积室之间，用于将所述收放卷室与所述沉积室连通或隔断；所述抽真空装置与所述沉积室连通。
5、现有技术中，除了为满足沉积反应条件需要对沉积室抽真空之外，为了防止柔性基底在收放卷室内被空气分子污染，并避免因空气阻力或湍流引起柔性基底在输送路径上抖动，还需要对收放卷室进行一定程度的抽真
6、本专利技术实施例提供的卷对卷真空沉积设备，在控制阀开启的状态下，抽真空装置对沉积室抽真空即可实现对收放卷室与沉积室的同步抽真空处理。在控制阀切换至关闭状态后，沉积室对柔性基底进行薄膜沉积的过程中，抽真空装置持续运行，可保证收放卷室的压力大于沉积室压力，实现对收放卷室与沉积室压力关系的简单、精确控制，免去复杂的控制过程，保证收放卷室内的气体通过柔性基底的输送路径持续流入沉积室，达到避免沉积室内粉尘外溢的效果。因此，本专利技术实施例提供的卷对卷真空沉积设备，能够降低生产成本并简化控制过程，还能够精确控制收放卷室与沉积室的压力关系。
7、本专利技术的实施例还提供一种卷对卷真空沉积方法，应用于前述的卷对卷真空沉积设备，所述卷对卷真空沉积设备包括收放卷室、沉积室、控制阀、抽真空装置、放卷机构及收卷机构；所述放卷机构与所述收卷机构均容置于所述收放卷室；所述控制阀设置于所述收放卷室与所述沉积室之间，用于将所述收放卷室与所述沉积室连通或隔断；所述抽真空装置与所述沉积室连通。所述卷对卷真空沉积方法包括：
8、控制所述控制阀开启后，控制所述抽真空装置运行；
9、在所述沉积室的压力达到设定的工艺压力的情况下，控制所述控制阀关闭；
10、控制所述放卷机构放卷所述柔性基底，控制所述收卷机构对放卷后穿过沉积室的所述柔性基底进行收卷；
11、控制所述沉积室对穿过其内部的所述柔性基底进行薄膜沉积处理。
12、本专利技术实施例提供的卷对卷真空沉积方法，在控制控制阀开启后控制抽真空装置运行，实现对收放卷室与沉积室的同步抽真空处理。后续控制控制阀关闭、抽真空装置持续运行，实现了对收放卷室与沉积室压力关系的简单、精确控制，免去了复杂的控制过程，保证收放卷室内的气体通过柔性基底的输送路径持续流入沉积室，避免沉积过程中沉积室内粉尘外溢。因此，本专利技术实施例提供的卷对卷真空沉积方法，能够降低生产成本并简化控制过程，还能够精确控制收放卷室与沉积室的压力关系。
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1.一种卷对卷真空沉积设备，其特征在于，包括收放卷室(110)、沉积室(120)、控制阀(130)、抽真空装置(140)、放卷机构(150)及收卷机构(160)；
2.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述沉积室(120)至少部分容置于所述收放卷室(110)，所述柔性基底(10)由所述沉积室(120)容置于所述收放卷室(110)的部分进入并退出所述沉积室(120)。
3.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述沉积室(120)设置有两个狭缝模块(170)，所述柔性基底(10)由两个所述狭缝模块(170)的二者之一进入所述沉积室(120)，并由二者中的剩余一个退出所述沉积室(120)。
4.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述卷对卷真空沉积设备(100)还包括预热模块(190)，所述预热模块(190)容置于所述收放卷室(110)，用于在所述柔性基底(10)进入所述沉积室(120)之前加热所述柔性基底(10)。
5.根据权利要求4所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述卷对卷真空沉
6.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述沉积室(120)内设置有ALD系统(200)，所述ALD系统(200)包括间隔设置的喷淋模块(210)与加热模块(220)，以及处于所述喷淋模块(210)与所述加热模块(220)之间的沉积通道(230)，所述柔性基底(10)穿过所述沉积通道(230)。
7.根据权利要求6所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述喷淋模块(210)具有沿所述沉积通道(230)依次排布的多个沉积单元，各所述沉积单元包括依次排布的多种反应气喷淋件(211)，以及布置于任意相邻的两个所述反应气喷淋件(211)之间的隔离气喷淋件(212)与抽气件(213)。
8.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述沉积室(120)内设置有PECVD系统(300)，所述PECVD系统(300)包括上电极喷淋件(310)、下电极(320)、顶部加热件(330)及底部加热件(340)，所述上电极喷淋件(310)与所述下电极(320)间隔设置，所述柔性基底(10)由所述上电极喷淋件(310)与所述下电极(320)之间穿过，所述顶部加热件(330)设置于所述上电极喷淋件(310)背离所述下电极(320)的一侧，所述底部加热件(340)设置于所述下电极(320)背离所述上电极喷淋件(310)的一侧。
9.一种卷对卷真空沉积方法，应用于如权利要求1-8任一项所述的卷对卷真空沉积设备(100)，其特征在于，所述卷对卷真空沉积方法包括：
10.根据权利要求9所述的卷对卷真空沉积方法，其特征在于，所述抽真空装置(140)的数量为两个，两个所述抽真空装置(140)分别与所述沉积室(120)连通；
...【技术特征摘要】
1.一种卷对卷真空沉积设备，其特征在于，包括收放卷室(110)、沉积室(120)、控制阀(130)、抽真空装置(140)、放卷机构(150)及收卷机构(160)；
2.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述沉积室(120)至少部分容置于所述收放卷室(110)，所述柔性基底(10)由所述沉积室(120)容置于所述收放卷室(110)的部分进入并退出所述沉积室(120)。
3.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述沉积室(120)设置有两个狭缝模块(170)，所述柔性基底(10)由两个所述狭缝模块(170)的二者之一进入所述沉积室(120)，并由二者中的剩余一个退出所述沉积室(120)。
4.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述卷对卷真空沉积设备(100)还包括预热模块(190)，所述预热模块(190)容置于所述收放卷室(110)，用于在所述柔性基底(10)进入所述沉积室(120)之前加热所述柔性基底(10)。
5.根据权利要求4所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述卷对卷真空沉积设备(100)还包括用于支撑所述柔性基底(10)的第一支撑辊(181)、第二支撑辊(182)及第三支撑辊(183)，所述第一支撑辊(181)、所述第二支撑辊(182)及所述第三支撑辊(183)依次排布于所述放卷机构(150)与所述收卷机构(160)之间；
6.根据权利要求1所述的卷对卷真空沉积设备，其特征在于，所述沉积室(120)内设置有ald系统(200)，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海原力芯辰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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