【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，尤其是涉及一种延长石英坩埚使用寿命的方法。
技术介绍
1、现有直拉单晶硅技术中，初始/复投熔料过程中，石英坩埚持续处于石英坩埚行程下限位。图1是现有技术中直拉单晶硅化料工艺的示意图，如图1所示，化料过程中，石英坩埚部分区域持续性处于加热器高温区。
2、本申请人发现现有技术至少存在以下技术问题：
3、化料过程，随着固体料块熔化，高温区域会烘烤石英坩埚裸露区域，对石英坩埚造成不可逆影响，导致石英坩埚受损，影响石英坩埚品质及使用寿命，开炉成本增加，还会产生石英坩埚鼓包、变形、析晶等生产过程异常，导致企业制造成本增加。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种延长石英坩埚使用寿命的方法，以解决现有技术中存在的化料过程，随着固体料块熔化，高温区域会烘烤石英坩埚裸露区域，对石英坩埚造成不可逆影响，导致石英坩埚受损，影响石英坩埚品质及使用寿命，开炉成本增加，还会产生石英坩埚鼓包、变形、析晶等生产过程异常，导致企业制造成本增加的技术问题。本专利技术提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了以下技术方案：
3、本专利技术提供的一种延长石英坩埚使用寿命的方法，包括如下步骤：
4、s1：检测投料参数以及化料过程中的单晶炉化料参数；
5、检测石英坩埚与加热器的相对位置参数；
6、s2：根据所检测的投料参数、化料过程中的单晶炉化料参数
7、优选地，所述化料过程中的单晶炉化料参数至少包括单晶炉的化料功率以及石英坩埚内的余料量。
8、优选地，所述化料过程中的单晶炉化料参数还包括：单晶炉的化料时间和/或通过摄像装置捕捉的石英坩埚内的光亮度。
9、优选地，所述加热器包括设置于所述石英坩埚周侧的主加热器。
10、优选地，所述加热器还包括设置于石英坩埚下方的底部加热器。
11、优选地，化料过程中石英坩埚的行程变化为“-1000mm”-“1000mm”。
12、优选地，所述单晶炉的化料功率为0-300kw。
13、优选地，所述单晶炉的化料时间设置为0-2000min。
14、优选地，所述光亮度采用灰度值，所述灰度值为0-40。
15、优选地，所述检测投料参数包括：检测投料的物化性能参数和质量参数。
16、本专利技术提供的延长石英坩埚使用寿命的方法，通过投料参数、化料过程中的单晶炉化料参数以及石英坩埚2与加热器2的相对位置参数，控制石英坩埚进行上升或者下降运动，使加热器的高温区烘烤石英坩埚内的溶体所在的区域，避免了加热器的高温区域持续烘烤石英坩埚裸露区域，增加石英坩埚的使用寿命，同时可避免石英坩埚鼓包、变形、析晶等生产过程的异常，从而降低企业的制造成本。
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1.一种延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述化料过程中的单晶炉化料参数至少包括单晶炉的化料功率以及石英坩埚内的余料量。
3.根据权利要求2所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述化料过程中的单晶炉化料参数还包括：单晶炉的化料时间和/或通过摄像装置捕捉的石英坩埚内的光亮度。
4.根据权利要求1-3任一所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述加热器包括设置于所述石英坩埚周侧的主加热器。
5.根据权利要求4所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述加热器还包括设置于石英坩埚下方的底部加热器。
6.根据权利要求1-3任一所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：化料过程中石英坩埚的行程变化为“-1000mm”-“1000mm”。
7.根据权利要求2或3所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述单晶炉的化料功率为0-300kw。
8.根据权利要求3所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，
9.根据权利要求3所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述光亮度采用灰度值，所述灰度值为0-40。
10.根据权利要求3所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述检测投料参数包括：检测投料的物化性能参数和质量参数。
...【技术特征摘要】
1.一种延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述化料过程中的单晶炉化料参数至少包括单晶炉的化料功率以及石英坩埚内的余料量。
3.根据权利要求2所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述化料过程中的单晶炉化料参数还包括：单晶炉的化料时间和/或通过摄像装置捕捉的石英坩埚内的光亮度。
4.根据权利要求1-3任一所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述加热器包括设置于所述石英坩埚周侧的主加热器。
5.根据权利要求4所述的延长石英坩埚使用寿命的方法，其特征在于：所述加热器还包括设置于石英坩埚下方的底部加热器。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：高利强，杨志，刘文星，钟旭，王伟，李磊，石锦璐，胡亚超，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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