【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的分离方法。
技术介绍
1、目前，对于半导体制造、加工的要求越来越高。将晶圆分离成所需的单元是必不可少的步骤，晶圆的传统分离方法普遍是通过机械切割来实现。然而，在切割的过程中，刀片很容易造成半导体切面的崩边。通常的解决办法是调整刀片的振幅和优化刀片的速度，然而效果不理想。
2、因此，亟待提供一种改进的晶圆的分离方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种改进晶圆的分离方法，减少半导体分离时产生的型变，降低半导体发生崩边、裂痕的风险，提高产品的良品率。
2、为实现上述目的，本专利技术晶圆的分离方法，包括以下步骤：
3、控制刀具的主轴转数为1000-15000rpm,进给速率为350-450rpm，切入晶圆表面的掩膜，提高所述进给速率继续切入晶圆的主体部预定深度，形成切割沟道；以及
4、将所述晶圆置于真空腔室后通入cf4、chf3和o2的混合气体，在设定的条件下对所述切割沟道的底壁及侧壁进行离子刻蚀，所述底壁的刻蚀深度及所述预定深度的总和适于使所述晶圆分离。
5、与现有技术相比，本专利技术首先通过刀具进行机械切割，进入晶圆的主体部，形成切割沟道，而且，在刀具切割时，优化控制刀具的主轴转速、进给速率来先切入表面研磨，再提高进给速率来切入主体部，这样的机械切割方法可降低一部分应力，避免晶圆产生过大的型变；继而通过将晶圆置于真空腔室进行离子刻蚀，具体是对切割沟道的
6、较佳地，在所述刀具继续切入晶圆的主体部时，所述进给速率提高至500-550rpm。
7、较佳地，所述预定深度小于所述底壁的刻蚀深度。
8、较佳地，所述预定深度为0.2-0.3mm。
9、较佳地，所述底壁的刻蚀深度为0.4-0.6mm。
10、较佳地，所述刀具的刀宽为0.3-0.55mm。
11、较佳地，所述cf4、chf3和o2的混合气体的流量为1000-1250sccm。
12、较佳地，所述设定条件为：控制所述真空腔室的温度为30-45℃，压强为50-70mtorr，源功率为2500-3000w，偏置功率为100-200w。
13、较佳地，还包括控制所述离子刻蚀的时间为60-80分钟。
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1.一种晶圆的分离方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶圆的分离方法，其特征在于，在所述刀具继续切入晶圆的主体部时，所述进给速率提高至500-550rpm。
3.如权利要求1所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述预定深度小于所述底壁的刻蚀深度。
4.如权利要求3所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述预定深度为0.2-0.3mm。
5.如权利要求3所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述底壁的刻蚀深度为0.4-0.6mm。
6.如权利要求1所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述刀具的刀宽为0.3-0.55mm。
7.如权利要求1所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述CF4、CHF3和O2的混合气体的流量为1000-1250sccm。
8.如权利要求1所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述设定条件为：控制所述真空腔室的温度为30-45℃，压强为50-70mtorr，源功率为2500-3000W，偏置功率为100-200W。
9.如权利要求8所述的晶圆的分离方法，其特征在于
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆的分离方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶圆的分离方法，其特征在于，在所述刀具继续切入晶圆的主体部时，所述进给速率提高至500-550rpm。
3.如权利要求1所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述预定深度小于所述底壁的刻蚀深度。
4.如权利要求3所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述预定深度为0.2-0.3mm。
5.如权利要求3所述的晶圆的分离方法，其特征在于，所述底壁的刻蚀深度为0.4-0.6mm。
6.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟华，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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