【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种分布式放大器及通信装置。
技术介绍
1、随着无线通信技术的发展，各种应用对通信系统的带宽和数据传输速率提出了越来越高的要求。为了满足大数据交换的需求，需要通信系统具有大的带宽来支持超高数据速率的传输。宽带放大器作为单片微波集成电路(monolithic microwave integratedcircuit，mmic)的一个重要分支，广泛应用于宽带应用系统中。分布式放大器作为一种宽带放大器，以其独特的结构，克服了传统放大器增益带宽积的限制。
2、通信标准的多元化趋势对通信系统的带宽提出了更高的要求，而传统的微波集成电路的带宽以及电路增益并不能满足通信系统的需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种分布式放大器及通信装置，用于解决传统分布式放大器的带宽和增益无法满足通信系统的需求的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种分布式放大器，包括：输入电路、输出电路以及增益电路，其中：输入电路通过增益电路与输出电路电连接，增益电路用于将输入电路接收的输入信号放大后，传输至输出电路；
4、增益电路包括至少一个增益子电路，增益子电路均包括共基晶体管单元以及倍频单元，共基晶体管单元的基极与第一偏置电压源电连接，共基晶体管单元的集电极与输出电路电连接，共基晶体管单元的发射极与倍频单元的集电极电连接，倍频单元的基极与输入电路电连接，倍频单元的发射极通过共基
5、倍频单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻以及第二电阻，其中：第一晶体管的基极与输入电路电连接，第一晶体管的集电极以及第二晶体管的集电极均与共基晶体管单元的发射极电连接，第一晶体管的发射极分别与第二晶体管的基极以及第三晶体管的集电极电连接，第一晶体管的发射极还通过第一电阻与第三晶体管的基极电连接，第三晶体管的发射极通过第二电阻与第二晶体管的发射极电连接。
6、与现有技术相比，在本专利技术提供的分布式放大器中，分布式放大器包括输入电路、输出电路以及增益电路，且输入电路通过增益电路与输出电路电连接，使得增益电路能够将输入电路接收到的输入信号进行放大，并通过输出电路输出。增益电路包括至少一个增益子电路，在每个增益子电路中，共基晶体管单元的基极均与第一偏置电压源电连接，共基晶体管单元的集电极与输出电路电连接，共基晶体管单元的发射极与倍频单元的集电极电连接，倍频单元的基极与输入电路电连接，倍频单元的发射极通过共基晶体管单元的发射极电阻接地。基于此，增益子电路中的共基晶体管单元能够形成级联结构，从而可以利用级联的共基晶体管单元抑制密勒电容，以提高增益电路的频率特性，进而提高分布式放大器的带宽。同时，级联共基晶体管单元还具有较高的输出电阻，能够减少输出电路的传输线损耗，进一步提高分布式放大器的增益。
7、此外，倍频单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻以及第二电阻，第一晶体管的基极与输入电路电连接，第一晶体管的集电极以及第二晶体管的集电极均与共基晶体管单元的发射极电连接，第一晶体管的发射极分别与第二晶体管的基极以及第三晶体管的集电极电连接，第一晶体管的发射极还通过第一电阻与第三晶体管的基极电连接，第三晶体管的发射极通过第二电阻与第二晶体管的发射极电连接。由此可知，在本专利技术提供的倍频单元中，由于采用了经典的达林顿结构，第一晶体管和第二晶体管的串联将每个晶体管的输入电容减少了一半，从而减少分布式放大器电路输入端的电容，以进一步提高分布式放大器的带宽。将第一电阻连接在第一晶体管的发射极和第二晶体管的基极之间，第二电阻连接在第二晶体管的发射极和第三晶体管的发射极之间，能够进一步提高第二晶体管的发射极电流，随着发射极电流和第二晶体管的集电极发射极电压的提高，能够提高晶体管的截止频率，从而提高倍频单元的截止频率，已知分布式放大器的带宽由整体电路的截止频率确定，当倍频单元的截止频率提高时，整体电路的截止频率也会提高，进而也能够提高分布式放大器的带宽。
8、由此可知，本专利技术提供的分布式放大器能够解决传统分布式放大器的带宽、增益不够大的问题，从而实现电路的宽带宽和高增益，能够在一定程度上满足通信系统的需求。
9、第二方面，本专利技术还提供一种通信装置，包括上述第一方面技术方案所述的分布式放大器。
10、与现有技术相比，本专利技术提供的通信装置的有益效果与上述技术方案所述的分布式放大器的有益效果相同，此处不做赘述。
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1.一种分布式放大器，其特征在于，包括：输入电路、输出电路以及增益电路，其中：所述输入电路通过所述增益电路与所述输出电路电连接，所述增益电路用于将所述输入电路接收的输入信号放大后，传输至所述输出电路；
2.根据权利要求1所述的分布式放大器，其特征在于，所述共基晶体管单元包括第四晶体管、发射极电阻以及偏置子单元，其中：
3.根据权利要求2所述的分布式放大器，其特征在于，所述偏置子单元包括第三电阻、第四电阻和偏置电容，其中：
4.根据权利要求3所述的分布式放大器，其特征在于，当所述增益电路包括多个增益子电路时，每个所述第三电阻的第一端均与所述第一偏置电压源电连接。
5.根据权利要求1所述的分布式放大器，其特征在于，所述输入电路包括输入耦合电容、输入匹配子电路以及至少两个依次电连接的基极传输线，其中：
6.根据权利要求5所述的分布式放大器，其特征在于，所述输入匹配子电路包括输入匹配电阻以及第一接地电容，其中：
7.根据权利要求5所述的分布式放大器，其特征在于，所述输出电路包括输出耦合电容、输出匹配子电路以及至少两个
8.根据权利要求7所述的分布式放大器，其特征在于，所述输出匹配子电路包括输出匹配电阻以及第二接地电容，其中：
9.根据权利要求7所述的分布式放大器，其特征在于，当所述增益子电路的数量为N时，所述基极传输线的数量以及所述集电极传输线的数量均为N+1，其中，所述N为正整数。
10.一种通信装置，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的分布式放大器。
...【技术特征摘要】
1.一种分布式放大器，其特征在于，包括：输入电路、输出电路以及增益电路，其中：所述输入电路通过所述增益电路与所述输出电路电连接，所述增益电路用于将所述输入电路接收的输入信号放大后，传输至所述输出电路；
2.根据权利要求1所述的分布式放大器，其特征在于，所述共基晶体管单元包括第四晶体管、发射极电阻以及偏置子单元，其中：
3.根据权利要求2所述的分布式放大器，其特征在于，所述偏置子单元包括第三电阻、第四电阻和偏置电容，其中：
4.根据权利要求3所述的分布式放大器，其特征在于，当所述增益电路包括多个增益子电路时，每个所述第三电阻的第一端均与所述第一偏置电压源电连接。
5.根据权利要求1所述的分布式放大器，其特征在于，所述输入电路包括输入耦合电容、输入匹配子...
【专利技术属性】
技术研发人员：金智，齐国振，苏永波，甄文祥，解云帆，卢正威，周静涛，丁武昌，杨枫，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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