【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种具有阴极布线区的微显示器件及其制备方法。
技术介绍
1、在微显示、微投影领域，普遍采用硅基cmos驱动背板，包括micro-oled、micro-led等，并且基本都是采用共阴极结构，如图1所示，其驱动背板的设计都是包含像素矩阵的像素阵列aa区(active area)、外围共阴极cc区(common cathode)以及信号及电极焊盘io接口区(input/output)。
2、以micro-oled为例，在aa区像素光电器件的电气连接上，在像素阵列aa区有与发光单元对应的阳极电极，以及在发光单元顶部的共阴极层，该共阴极层扩展至外围共阴极cc区，与共阴极层连接形成回路。当发光单元发展为micro-led时，其高亮度需要在高电流密度下实施，所以对电流扩展的需求大大增加，单纯的透明导电共阴极难以满足大电流的承载以及大面积显示区域的电流扩展，所以都会增加发光单元间的金属网栅作为阴极电学增强结构，来实现阴极的电流承载和扩展。
3、发光单元侧的金属网栅会与发光单元争夺水平空间，造成光学和电学方面的矛盾：当发光单元增大增强光学性能时，会压缩阴极的金属网栅的宽度，导致电学性能下降；反之电学能力增强、金属网栅加宽时，发光单元需缩小，损失光学性能。因此，亟需一种新的共阴极光电器件结构方案，可以解决发光单元和阴极电学增强结构在光学和电学方面的矛盾。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种具有阴极布线区的微显示器件及其制备方法，其可以解
2、为实现上述专利技术目的，本专利技术提出如下技术方案：
3、一方面，提供了一种具有阴极布线区的微显示器件，所述微显示器件，包括：
4、驱动晶圆，所述驱动晶圆的表面包括像素阵列aa区，所述像素阵列aa区中的每个像素区包括：相互绝缘的阳极触点以及阴极布线区，且相邻像素区之间的阴极布线区相联通；
5、显示模组，所述显示模组设于所述驱动晶圆上，所述显示模组包括与各像素区分别对应的发光单元，所述发光单元与对应像素区中的阳极触点相导通，且底部与对应像素区中的阴极布线区不接触；
6、其中，每个所述像素区的阴极布线区的顶部、所述发光单元的顶部覆设有连续的共阴极层。
7、在一种可能的实现方式中，所述驱动晶圆的表面上还包括：外围共阴极cc区；
8、所述像素阵列aa区中的外围部分的所述阴极布线区与所述外围共阴极cc区相连接，且所述共阴极层扩展至所述外围共阴极cc区，以使得所述阴极布线区、所述共阴极层、所述外围共阴极cc区形成回路。
9、在一种可能的实现方式中，在每个所述像素区中，所述阳极触点处于所述像素区的中间区域，所述阴极布线区处于所述像素区的边缘区域，所述阳极触点与所述阴极布线区之间为绝缘区。
10、在一种可能的实现方式中，所述阴极布线区包括沟槽样式的第一层阴极布线区。
11、在一种可能的实现方式中，所述阴极布线区还包括孔洞样式的第二层阴极布线区，所述第二层阴极布线区设置于所述第一层阴极布线区之上，且所述第二层阴极布线区在所述驱动晶圆上的投影位于所述第一层阴极布线区在所述驱动晶圆上的投影之内。
12、在一种可能的实现方式中，多个所述像素区公用一个所述第二层阴极布线区；
13、或，
14、一个所述像素区公用多个所述第二层阴极布线区。
15、在一种可能的实现方式中，所述阴极布线区的尺寸属于0.1um～30um，所述阳极触点的尺寸属于0.1um～100um，所述绝缘区的尺寸不小于0.1um。
16、在一种可能的实现方式中，所述阴极布线区为复合叠层结构，所述复合叠层结构包括：复合金属层、电流传输层；
17、其中，所述复合金属层包括：黏附层、阻挡层、种子层中的至少一层。
18、在一种可能的实现方式中，所述显示模组还包括：
19、微透镜结构，所述微透镜结构对准于所述发光单元，且覆设于所述共阴极层之上。
20、在一种可能的实现方式中，所述微透镜结构在水平方向上的半径大于所述发光单元的尺寸的55％。
21、在一种可能的实现方式中，所述发光单元的侧壁与所述共阴极层之间，以及所述像素阵列aa区中除所述阴极布线区、与所述发光单元的底部相接触的区域之外的区域与所述共阴极层之间，设置有钝化层。
22、另一方面，还提供了一种微显示器件的制备方法，所述方法用于制备如上述方面所示的微显示器件，所述方法包括：
23、准备驱动晶圆，所述驱动晶圆的表面包括像素阵列aa区；
24、在所述像素阵列aa区的每个像素区制备相互绝缘的阳极触点以及阴极布线区，且相邻像素区之间的阴极布线区相联通；
25、在所述驱动晶圆上集成发光单元，每个所述发光单元与对应像素区中的阳极触点相导通，且底部与对应像素区中的阴极布线区不接触；
26、在每个所述像素区的阴极布线区的顶部、所述像素单元的顶部覆设连续的共阴极层。
27、在一种可能的实现方式中，所述在所述像素阵列aa区的每个像素区制备相互绝缘的阳极触点以及阴极布线区，包括：
28、对所述像素阵列aa区进行第一次阴极布线，形成相互绝缘的阳极触点以及沟槽样式的第一层阴极布线区，所述阳极触点与所述第一层阴极布线区之间为绝缘区。
29、在一种可能的实现方式中，所述在所述像素阵列aa区的每个像素区制备相互绝缘的阳极触点以及阴极布线区，包括：
30、在所述第一次阴极布线的基础上进行第二次阴极布线，形成孔洞样式的第二层阴极布线区，所述第二层阴极布线区设置于所述第一层阴极布线区之上，且所述第二层阴极布线区在所述驱动晶圆上的投影位于所述第一层阴极布线区在所述驱动晶圆上的投影之内。
31、在一种可能的实现方式中，所述第一次阴极布线或所述第二次阴极布线的过程，包括：
32、对所述像素阵列aa区进行图形化金属镀膜，形成每个像素区中的阳极触点、所述阴极布线区；
33、对所述像素阵列aa区进行绝缘介质沉积，形成绝缘层，所述绝缘层的顶部高度高于所述阳极触点、所述阴极布线区的顶部高度；
34、对所述绝缘层进行减薄抛光，直至所述阳极触点、所述阴极布线区露出，并在所述阳极触点、所述阴极布线区之间形成所述绝缘区。
35、在一种可能的实现方式中，所述第一次阴极布线或所述第二次阴极布线的过程，包括：
36、在所述像素阵列aa区进行绝缘介质沉积，形成绝缘层；
37、对所述绝缘层进行图形化刻蚀，为所述阳极触点、所述阴极布线区形成填充空间，以及形成绝缘区；
38、对所述填充空间进行金属填充，形成所述阳极触点、所述阴极布线区。
39、在一种可能的实现方式中，所述在每个所述像素区的阴极布线区的顶部、所述像素单元的顶部覆设连续的共本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种具有阴极布线区的微显示器件，其特征在于，所述微显示器件，包括：
2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述驱动晶圆的表面上还包括：外围共阴极CC区；
3.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的微显示器件，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的微显示器件，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述显示模组还包括：
10.根据权利要求9所述的微显示器件，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，
12.一种微显示器件的制备方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1至11任一项所述的微显示器件，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述像素阵列AA区的每个像素区制备相互
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述像素阵列AA区的每个像素区制备相互绝缘的阳极触点以及阴极布线区，包括：
15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述第一次阴极布线或所述第二次阴极布线的过程，包括：
16.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述第一次阴极布线或所述第二次阴极布线的过程，包括：
17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在每个所述像素区的阴极布线区的顶部、所述像素单元的顶部覆设连续的共阴极层，包括：
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在制备完成所述共阴极层之后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种具有阴极布线区的微显示器件，其特征在于，所述微显示器件，包括：
2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述驱动晶圆的表面上还包括：外围共阴极cc区；
3.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的微显示器件，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的微显示器件，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述显示模组还包括：
10.根据权利要求9所述的微显示器件，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，
12.一种微显示器件的制备方法，其特征在于，所述方法用...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱酉良，林肖，潘安练，王亚洲，
申请(专利权)人：诺视科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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