一种ＯＬＥＤ显示器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＯＬＥＤ显示器件的制备方法，首先在洁净的ＩＴＯ导电玻璃基板上制备ＩＴＯ阳极图形；接着在制备好ＩＴＯ阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为０．１－１０ｎｍ的ＺｎＳｅ缓冲层；然后在ＺｎＳｅ缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为１０－５０ｎｍ？ＮＰＢ空穴传输层；在ＮＰＢ空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为５０－８０ｎｍ的ＮＰＢ－Ｒｕｂｒｅｎｅ－Ｚｎ（ＢＴＺ）２发光层，其中Ｚｎ（ＢＴＺ）２为主体发光材料、ＮＰＢ及Ｒｕｂｒｅｎｅ为掺杂材料；在ＮＰＢ－Ｒｕｂｒｅｎｅ－Ｚｎ（ＢＴＺ）２发光层上，再采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别０．１－５ｎｍ和４０－１００ｎｍＬｉＦ层和Ａｌ层，制成阴电极；最后采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成ＯＬＥＤ显示器件制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光显示器件的制备方法，特别涉及一种OLED(有机电致发光二极 管)显示器件的制备方法。
技术介绍
近年来，作为新型自发光式显示器，OLED显示器件的开发一直在加速地进行。有 机电致发光显示器件的基本结构为在透明基板的上边，按照顺序形成由透明电极构成的 阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子发光层及阴极的构造。在该构造的有机电致发 光显示器件中，电子和孔穴在发光层结合产生辐射发光。有机电致发光显示器件的内层结 构变化、制备工艺调整直接影响到显示器件的色彩性能、发光效率及寿命，因此，有机电致 发光显示器件的制备方法一直是人们关注及研究的重点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED显示器件新的制备方法，采用该方法制备的OLED显示器件可以发出白光，该白光OLED显示器件可用于照明领域及全彩色显示领域。当应用于照明领域时，直接采用本专利技术方法即可完成白光照明产品的制备；当应用于全彩色显示领域时，采用本专利技术方法制备的OLED显示器件发出白光，通过贴附红、绿、蓝三基色彩色滤光片即可完成全彩色0LED显示器件的制备。 为达到以上目的，本专利技术是采取如下技术方案予以实现的 —种0LED显示器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤 (1)在洁净的IT0导电玻璃基板上制备IT0阳极图形； (2)在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为 0. l-10nm的ZnSe缓冲层； (3)在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nm NPB空穴传输层； (4)在NPB空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的 NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层，其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材 料； (5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别 0. l-5nm和40-100nmLiF层和Al层，制成阴电极； (6)采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成OLED显示器件制备。 上述方法中，所述NPB-Rubrene-Zn (BTZ) 2发光层中，按重量百分比NPB为 0. 01-1. 0%， Rubrene为O. 01-2. 0% ，余量为Zn (BTZ)2。所述步骤(3)中，真空度为5*10—5Pa， NPB沉积速率为0. 1-1. 5nm/s。所述步骤(4)中，真空度为5*10—5Pa， NPB-Rubrene-Zn (BTZ) 2 沉积速率为0. 1-2. Onm/s。所述步骤(5)中，真空度为5*10—5Pa，LiF层和Al层沉积速率为 0.1-10. Onm/s。 本专利技术在阳极与空穴传输层之间插入了厚度为0. 1-lOnm ZnSe缓冲层，ZnSe缓冲层的加入可有效地降低空穴载流子到达发光层的速率，使得空穴与电子在0LED显示器件 中能够平衡注入，从而降低了 OLED显示器件的启动电压，改善器件发光效率。 发光层采用Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料。实现白光发 射。在主体发光材料Zn(BTZ)2中掺入0. 01-1. 0%的NPB以及0. 01-2. 0%的Rubrene对发 光颜色进行调配。其中NPB的掺杂一方面降低了发光层与空穴传输层NPB之间的势垒；另 一方面NPB可向Rubrene发生forster能量转移使Rubrene发出黄光。由Zn(BTZ)2发射 的蓝、绿光与Rubrene发出的黄光组合发出白光的光谱范围宽，该白光的演色指数CRI高达 75。附图说明 以下结合具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。 图1为本专利技术制备的OLED显示器件结构图。图中1、玻璃基板；2、IT0阳极图形； 3、ZnSe缓冲层;4、 NPB空穴传输层；5、 NPB-Rubrene-Zn (BTZ) 2发光层;6、 LiF层；7、 Al层； 8、封装盖板。具体实施例方式如图1所示，本专利技术设计的OLED显示器件结构为ITO/ZnSe/NPB/ NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2/LiF/Al。其中ITO为氧化铟锡；ZnSe为硒化锌；NPB为N， N， _双 (l-萘基)-N， N' -二苯基-l，l' -二苯基-4，4' -二胺；Rubrene为5，5，11，12_四苯基并 四苯；Zn(BTZ)2为2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌；LiF为氟化锂；A1为金属铝。 以上OLED显示器件的制备方法包括下述步骤 1.在洁净的导电基板1上光刻涂敷ITO阳极图形2。 2.在涂敷有ITO阳极图形2的导电玻璃基板1上，采用磁控溅射的方法制备厚度 为0. 1-lOnm的ZnSe缓冲层3。 3.采用真空蒸镀的方法在ZnSe缓冲层3上蒸镀NPB空穴传输层4。系统真空度 在5*10—5Pa左右，NPB沉积速率为0. 1-1. 5nm/s，厚度为10_50nm。 4.在NPB空穴传输层4上，采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB-Rubrene-Zn (BTZ)2发 光层5。其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料。系统真空度维持在 5*10—5Pa左右，沉积速率为0. 1-2. Onm/s，厚度为50_80nm。 NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层中，按重量百分比NPB为0. 01_1. 0%， Rubrene为 0. 01-2. 0%，余量为Zn(BTZ)2，具体参见表1。 5.在发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀LiF层6和Al层7，制备OLED发光 器件阴电极。系统真空度维持在5*10—spa左右，沉积速率为0. 1-10. Onm/s， LiF和Al的厚 度分别0. l_5nm和40-100nm。 6.采用封装盖板8对各层进行整体封装，完成器件制备。 表1<table>table see original document page 5</column></row><table> 以下为一具体制备实例 1.在洁净的导电基板1上光刻涂敷ITO阳极图形2。 2.在涂敷有ITO阳极图形2的导电玻璃基板1上，采用磁控溅射的方法制备厚度 为O. 6nm的ZnSe缓冲层3。 3.采用真空蒸镀的方法在ZnSe缓冲层3上蒸镀NPB空穴传输层4。系统真空度 在5*10—5Pa左右，NPB沉积速率为0. 5nm/s，厚度为20nm。 4.在NPB空穴传输层4上，采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB-Rubrene-Zn (BTZ) 2发光 层5。具体采用表1实施例3的组份。系统真空度维持在5*10—spa左右，沉积速率为0. 3nm/ s，厚度为65nm。 5.在发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀LiF层6和Al层7，制备0LED发光 器件阴电极。系统真空度维持在5*10—5Pa左右，沉积速率为1. 0nm/s， LiF和Al的厚度分别 0. 5nm禾卩80nm。 6.采用封装盖板8对各层进行整体封装，完成器件制备。 采用上述制备实例所得OLED显示器件，发光强度为5000cd/m2，色坐标(0. 32， 0. 33)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法，其特征在于：（１）将洁净的ＩＴＯ玻璃基板放入匀胶机中，通过旋涂法制备一层聚（３，４－二氧乙基噻吩）和聚（对苯乙烯磺酸）薄膜，形成ＰＬＥＤ显示器件的空穴传输层，在真空条件下８０℃下干燥；所述空穴传输层厚度１０－５０ｎｍ；（２）在ＰＬＥＤ显示器件的空穴传输层上采用旋涂法制备聚｛９，９－二己基－３，６－硅芴－ｃｏ－［９，９－二己基－２，７－芴］｝薄膜，形成ＰＬＥＤ显示器件的蓝光发光层，在真空条件下５０℃－８０℃下退火处理１－３ｈ；所述蓝光发光层厚度１０－４０ｎｍ；（３）在蓝色发光层上采用真空蒸镀的发法蒸镀电子传输材料制备电子传输层，电子传输材料沉积速率为０．０１－２．０ｎｍ／ｓ，电子传输层厚度为５－２０ｎｍ；所述电子传输材料是８－羟基喹啉铝；（４）最后在电子传输层上采用真空蒸镀的方法蒸镀一层厚度为１００ｎｍ的钙铝合金，形成ＰＬＥＤ显示器件的混合阴极；所述钙铝合金中钙∶铝质量比为１∶１０；（５）采用封装基板对混合阴极进行整体封装，完成蓝光聚合物发光显示器件的制备。

【技术特征摘要】
一种OLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤(1)在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形；(2)在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层；(3)在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nmNPB空穴传输层；(4)在NPB空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层，其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料；(5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别0.1-5nm和40-100nmLiF层和Al层，制成阴电极；(6)采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成OLED显示器件制备。2. 如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志刚，俞敏，
申请(专利权)人：彩虹集团公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]