【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种基板处理装置、气体供给系统、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序。
技术介绍
1、关于供给至基板处理装置的反应室的气体的流量控制，存在一种使用质量流量控制器(mfc)的气体供给系统。这样的气体供给系统的一例例如记载于专利文献1中。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利特开2017-045880号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本专利技术提供一种即便对于在mfc中难以控制流量的气体种类也能够稳定地控制流量的技术。
3、用于解决课题的手段
4、根据本专利技术的一方式，提供一种技术，具有：处理容器，其收容基板；第1气体管，其将处理气体供给至处理容器；流量测定部，其设置于第1气体管，对流经第1气体管内的处理气体的流量进行测定；第2气体管，其连接于第1气体管，将第1惰性气体供给至贮存有处理气体的原料的槽；第1流量调整部，其设置于第2气体管，调整第1惰性气体的流量；第1加热部，其调整第1惰性气体的温度；以及控制部，其构成为能够基于由流量测定部测定出的处理气体的流量数据控制第1流量调整部和第1加热部，以便进行将以处理气体的流量成为预定流量的方式调整第1惰性气体的流量和上第1惰性气体的温度中的至少任一个后的处理气体供给至处理容器内的基板的处理。
5、专利技术效果
6、根据上述结构，能够提供一种即便对于在mfc中难以控制流量的气体种类也可稳定
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
15.一种气体供给系统，
16.一种基板处理方法，其特征在于，具有如下工序：
17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，上述制造方法具有如下工序：
18.一种程序，其特征在于，通过计算机使基板处理装置执行如下步骤：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：五岛健太郎，油谷幸则，山本薰，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。