本发明专利技术涉及一种EUV光刻系统，包括：壳体(25)，其内部(24)包含残余气体(27)；以及至少一个气体结合部件(29)，其布置在内部(24)中并且包括用于结合污染物质(28)的气体结合材料。所述气体结合部件(29)包括至少一个流动管道(33)，所述流动管道(33)具有至少一个具有所述气体结合材料的表面，所述流动管道(33)中的所述残余气体(27)的气流具有0.01与5之间、优选0.01与0.5之间、特别是0.01与0.3之间的克努森数，并且封装所述EUV光刻系统(1)的光束路径的外壳(26)布置在所述壳体(25)的内部(24)中。外壳(26)优选地包括具有维护井(36)的开口(37)，所述气体结合部件(29)布置在所述维护井(36)中。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
专利技术主题该目的通过开头所述类型的euv光刻系统来实现，其中气体结合部件包括至少一个流动管道，该流动管道具有至少一个具有气体结合材料的表面，流动管道中的残余气体的气流具有0.01与5之间，优选0.01与0.5之间，特别是0.01与0.3之间的克努森数。气体结合材料用于结合存在于气相中的污染物质和/或结合位于真空环境中的例如呈液滴等形式的污染物质。如例如在“https://www.pfeiffer-vacuum.com/en/know-how/introduction-to-vacuum-technology/fundamentals/types-of-flow/”中所描述的，克努森数kn被定义为气体颗粒的平均自由程长度与流动管道的流动宽度h的比率，即克努森数是无量纲的，并且表征通过流动管道的气流的类型。小于0.01的克努森数kn表示连续流，其中气体颗粒本身之间存在频繁的碰撞，但与流动管道的壁的碰撞较少。在这种情况下，平均自由程长度显著短于流动管道的尺寸。上文进一步陈述的值范围内的克努森数kn指示克努森流。克努森流表示连续流和克努森数kn大于5的分子流之间的过渡区域，其通常存在于高真空和超高真空中。在克努森数kn大于5的情况下，颗粒之间实际上不再有相互作用，即平均自由程长度显著长于流动管道的流动宽度。专利技术人已经认识到，如果气体结合部件具有一个或多个流动管道，其中克努森数在上述值范围内，即其中努森流存在于流动管道中，则可以最佳地利用气体结合部件可用的安装空间体积，确切地说，出于以下原因：尽管在连续流的情况下，气流由于扩散而深入流动管道中，但是与流动管道的壁仅有很少的碰撞。克努森流为残余气体的气流提供足够的扩散以深深地渗透到流动管道中，并且与流动管道的壁具有足够的相互作用，使得污染物质可以被流动管道的壁上或表面上的气体结合材料吸附。因此，气体结合部件以污染物质的原子阱的形式起作用，所述污染物质进入流动管道并被气体结合材料结合。相对于为气体粘合材料的气体粘合部件提供的安装空间体积，一个或多个流动管道中的克努森流允许提供大的表面。这可以确保气体结合部件在euv光刻系统的整个使用寿命内通常保持其气体结合效果。此外，克努森流意味着表面的增加不会导致效率的降低，因为残留气体以及因此污染物质都能够充分深入地渗透到流动管道中，并且还能够经历与流动管道的壁的大量碰撞或相互作用。在euv光刻系统的设计中，通过壳体内部的气流应理想地针对通过气体结合部件的一个或多个流动管道的流动进行优化。在一实施例中，壳体内部中的残余气体具有在1pa与20pa之间、优选地在2pa与12pa之间的压力。在euv光刻系统的操作期间，这种压力通常在壳体的相应内部中占优势，其中压力值可能在euv光刻设备中的不同位置上变化。以下公式适用于平均自由程长度以及满足玻尔兹曼分布的理想气体的压力p的乘积：其中kb表示玻尔兹曼常数，t表示温度(以k为单位)，dm表示气体分子的直径。在具有指定分子直径dm的理想气体的情况下，平均自由程长度因此仅取决于温度t和压力p。通常，euv光刻系统壳体内部的残余气体仅包含非常小比例的污染物质，但具有相对大比例的氢。因此，内部中的残余气体的压力p由氢分压确定，或者内部中的压力p基本上对应于氢分压。氢的分子直径dm约为2.76埃。在22℃(室温)的温度t下，对于氢，产生乘积例如，对于5pa的压力p，平均自由程长度因此约为2.4mm。为了在流动管道中产生克努森流，流动宽度(见下文)应具有相同的数量级。在一实施例中，流动管道的流动宽度在1mm和30mm之间，优选地在4mm和20mm之间。流动管道的流动宽度被理解为是指流动管道的流场的特征长度。例如，对于具有圆形横截面的流动管道，流动管道的流动宽度是流动管道的直径。在另一实施例中，流动管道包括两个相对的表面，这两个表面优选地平行对准，每个表面具有气体结合材料，相对表面之间的距离限定流动管道的流动宽度。在这种情况下，流动管道不具有圆形流动横截面。因此，两个相对表面之间的距离用于计算克努森数。对于两个表面的平行对准，两个表面之间在流动管道的纵向方向上的宽度或间隔是恒定的。然而，这种平行对准不是强制性的，即，流动管道的宽度可以可选地在流动管道的纵向方向上变化，只要在这种情况下观察到上面关于克努森数进一步描述的条件。在该实施例的改进中，两个相对表面形成在优选地平行对准的两个平面部件部分上。在这种情况下，流动管道通常向侧面开口，即流动管道通常在周向方向上不具有封闭的横截面。在这种情况下，流动管道在两个平面部件部分之间延伸，残留气体可以在两个平面部件部分的侧向边缘处流入流动管道中。特别是对于平面部件部分平行对准的情况，可以将多个平面部件部分一个在另一个之上地布置或堆叠，以便形成平行对准的多个流动管道。气体粘合材料可以以不同的方式施加到部件部分的表面，例如以涂层的形式；然而，部件部分本身也可以由气体粘合材料构成。在另一实施方案中，平面部件部分形成为片材或膜。片材是悬臂式部件，其可以在一侧装配到气体结合部件或气体结合模块的安装件上，并且任选地由支撑支柱支撑。在一侧上的安装件便于残余气体流入未被安装件容纳的片材的自由端处的流动管道中。根据片材的数量和尺寸，气体结合部件可能具有相当大的重量。例如，片材材料可以是不锈钢或铝。由于不锈钢在具有类似比重的同时具有比铝更大的刚度，因此不锈钢片材通常比铝片材更适合于生产平面部件部分。如果部件部分是膜形式的非悬臂元件，则这些膜通常跨越在装配到膜的相对端的两个安装件之间。为了允许残余气体流入流动管道，如果侧向残余气体流入是不可能的，或者由于有限的安装空间(例如，由于气体结合部件接近壁等)而仅有困难地可能流入，则流动管道可以可选地具有孔或穿孔。膜的使用特别有利于减少气体结合部件的重量。在替代实施例中，流动管道具有正多边形形式的横截面，特别是正六边形。在该实施例中，流动管道在周向方向上是封闭的。对于气体结合部件，在这种情况下，多个流动管道通常以三维结构中的网格样式彼此相邻地布置。网格中的相邻流动管道可以彼此直接邻接，特别是在流动管道的横截面形状为正六边形的情况下。以这种方式，由网格的前侧覆盖的整个表面或气体结合部件的整个体积可以填充有流动管道。与上面进一步描述的具有平面部件部分的实施例相比，对于这里描述的实施例，具有可用于给定安装空间体积的气体结合材料的表面因此可以进一步增加。然而，这种情况消除了残余气体横向流入相应流动管道的选择。在另一实施例中，气体结合部件具有多个流动管道，这些流动管道具有不同尺寸的流动宽度，用于结合不同的污染物质。流动管道具有不同的流动宽度可能是有利的，因为当与残余气体相互作用或碰撞时，更确切地说，与包含在残余气体中的氢相互作用或碰撞时，不同的污染物质具有不同的有效横截面。例如，可以布置多个，例如大约10个或约20个平面部件部分，例如呈片材形式，一个在另一个之上平行对准，并且在该过程中，例如在相邻片材之间使用两个、三个或更多个不同的流动宽度或间隔。在这种情况下，第二流动宽度可以对应于例如第一流动宽度的两倍，并且第三流动宽度可以对应于第二流动宽度的两倍。应当理解，流动宽度也可以与这里描述的方式不同地来选择。在一个部件包括多个正多边形形式的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种EUV光刻系统(1)，包括：
2.根据权利要求1所述的EUV光刻系统，其中，所述壳体(25)的所述内部(24)中的所述残余气体(27)具有在1Pa与20Pa之间、优选地在2Pa与12Pa之间的压力。
3.根据权利要求1或2所述的EUV光刻系统，其中，所述流动管道(33)具有在1mm与30mm之间、优选地在4mm与20mm之间的流动宽度(h；h1、h2、h3)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述流动管道(33)包括两个相对的表面(32a、32b)，所述两个相对的表面(32a、32b)优选地平行对准，所述表面各自具有所述气体结合材料，所述相对的表面(32a、32b)之间的距离限定所述流动管道(33)的流动宽度(h、h1、h2、h3)。
5.根据权利要求4所述的EUV光刻系统，其中，所述两个相对的表面(32a，32b)形成在优选地平行对准的两个平面部件部分(31)上。
6.根据权利要求5所述的EUV光刻系统，其中，所述平面部件部分(31)形成为片材(31')或膜(31")。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述流动管道(33)具有正多边形形式的横截面，特别是正六边形。
8.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述气体结合部件(29、29'、29")具有多个流动管道(33)，所述多个流动管道(33)具有用于结合不同污染物质(28)的不同尺寸的流动宽度(h1、h2、h3)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述流动管道(33)具有至少20cm、优选地至少40cm的长度(L)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光刻系统，其中，所述气体结合材料选自包括Ru、Ni、NiP、Rd、Rh、Ta、Nb、Ti、Zr、Th及其化合物的组。
11.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光刻系统，其中，具有所述气体结合材料的所述至少一个表面(32a、32b)是结构化的。
12.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光刻系统，其中，至少一个反射光学元件(20、22)布置在所述壳体(25)的所述内部(24)中，其中，所述气体结合部件(29、29'、29”)布置成与所述反射光学元件(20、22)相邻并且优选地至少部分地围绕所述反射光学元件(20、22)的表面(34)。
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种euv光刻系统(1)，包括：
2.根据权利要求1所述的euv光刻系统，其中，所述壳体(25)的所述内部(24)中的所述残余气体(27)具有在1pa与20pa之间、优选地在2pa与12pa之间的压力。
3.根据权利要求1或2所述的euv光刻系统，其中，所述流动管道(33)具有在1mm与30mm之间、优选地在4mm与20mm之间的流动宽度(h；h1、h2、h3)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的euv光刻系统，其中，所述流动管道(33)包括两个相对的表面(32a、32b)，所述两个相对的表面(32a、32b)优选地平行对准，所述表面各自具有所述气体结合材料，所述相对的表面(32a、32b)之间的距离限定所述流动管道(33)的流动宽度(h、h1、h2、h3)。
5.根据权利要求4所述的euv光刻系统，其中，所述两个相对的表面(32a，32b)形成在优选地平行对准的两个平面部件部分(31)上。
6.根据权利要求5所述的euv光刻系统，其中，所述平面部件部分(31)形成为片材(31')或膜(31")。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的euv光刻系统，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·克鲁特霍夫，P·雅古比，J·利奥，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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