System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种卷对卷常压沉积设备及卷对卷常压沉积系统技术方案_技高网

一种卷对卷常压沉积设备及卷对卷常压沉积系统技术方案

技术编号:42946091 阅读:13 留言:0更新日期:2024-10-11 16:03
本发明专利技术公开了一种卷对卷常压沉积设备及卷对卷常压沉积系统,涉及薄膜沉积技术领域。该卷对卷常压沉积设备包括放卷机构、反应装置及收卷机构,反应装置具有料带通道及多个依次连接的功能室,料带通道依次穿过多个功能室;多个功能室中包括ALD沉积室、两个正压隔离室、两个负压回流室及两个正压干燥室,两个正压隔离室分别处于料带通道的两端,两个负压回流室与两个正压隔离室分别连接,两个正压干燥室与两个负压回流室分别连接,ALD沉积室处于两个正压干燥室之间。本发明专利技术提供的卷对卷常压沉积设备能够在常压环境下对柔性基底进行ALD沉积,从而显著提升柔性基底的膜层生长效率与生长品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜沉积,具体而言,涉及一种卷对卷常压沉积设备及卷对卷常压沉积系统


技术介绍

1、利用ald沉积工艺在基材上沉积膜层,具有生产效率高的特点。由于对沉积环境要求较高,目前市面上的ald设备都需要在真空环境下进行沉积。

2、而包括钙钛矿电池在内的部分柔性基底需要在常压下镀膜,现有的ald设备不适用。此类柔性基底的成膜工艺主要包括在常压下涂布、退火和印刷等,存在工艺效率低、膜层致密性差的问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种卷对卷常压沉积设备,其能够在常压环境下对柔性基底进行ald沉积,从而显著提升柔性基底的膜层生长效率与致密性,生长出品质更好的膜层。

2、本专利技术的另一目的在于提供一种卷对卷常压沉积系统,其能够在常压环境下对柔性基底进行ald沉积,从而显著提升柔性基底的膜层生长效率与致密性,生长出品质更好的膜层。

3、本专利技术的实施例提供一种技术方案:

4、一种卷对卷常压沉积设备,包括放卷机构、反应装置及收卷机构,所述反应装置具有料带通道,以及沿所述料带通道依次排布的多个功能室,多个功能室与料带通道连通;所述放卷机构用于放卷柔性基底,所述收卷机构用于对经过放卷并穿过所述料带通道后的所述柔性基底进行收卷;

5、所述多个功能室中包括ald沉积室、两个正压隔离室、两个负压回流室及两个正压干燥室,沿所述料带通道的延伸方向,在所述料带通道的一端依次排布有一个正压隔离室、一个负压回流室及一个正压干燥室,在所述料带通道的另一端依次排布有一个正压干燥室、一个负压回流室及一个正压隔离室;所述ald沉积室处于两个所述正压干燥室之间;所述正压隔离室用于持续引入隔离气体,所述正压干燥室用于持续引入干燥气体,所述负压回流室用于抽吸所述隔离气体与所述干燥气体并排出至外界。

6、本专利技术实施例提供的卷对卷常压沉积设备,由于在料带通道的两端分别布置有正压隔离室、负压回流室及正压干燥室,正压隔离室持续引入隔离气体形成隔离气体氛围场,避免外界空气由料带通道的两端进入ald沉积室;正压干燥室持续引入干燥气体形成干燥气体氛围场,避免水分子由料带通道的两端进入ald沉积室;负压回流室将多余的隔离气体与干燥气体抽离,维持隔离气体氛围场与干燥气体氛围场的稳定正压状态。可见,处于料带通道两端的正压隔离室、负压回流室及正压干燥室的组合,保证无污染气体或水分子进入ald沉积室,保证ald沉积室的沉积环境达标,能够实现在常压环境下对柔性基底进行ald沉积,显著提升柔性基底的膜层生长效率与致密性,获得品质更高的膜层。

7、本专利技术的实施例还提供一种卷对卷常压沉积系统,包括前述的卷对卷常压沉积设备。所述卷对卷常压沉积设备包括放卷机构、反应装置及收卷机构,所述反应装置具有料带通道,以及沿所述料带通道依次排布的多个功能室,多个功能室与料带通道连通;所述放卷机构用于放卷柔性基底,所述收卷机构用于对经过放卷并穿过所述料带通道后的所述柔性基底进行收卷;

8、所述多个功能室中包括ald沉积室、两个正压隔离室、两个负压回流室及两个正压干燥室,沿所述料带通道的延伸方向,在所述料带通道的一端依次排布有一个正压隔离室、一个负压回流室及一个正压干燥室,在所述料带通道的另一端依次排布有一个正压干燥室、一个负压回流室及一个正压隔离室;所述ald沉积室处于两个所述正压干燥室之间;所述正压隔离室用于持续引入隔离气体,所述正压干燥室用于持续引入干燥气体,所述负压回流室用于抽吸所述隔离气体与所述干燥气体并排出至外界。

9、受益于卷对卷常压沉积设备的有益效果,本专利技术实施例提供的卷对卷常压沉积系统,同样具有能够显著提升柔性基底的膜层生长效率与生长品质的特点。

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【技术保护点】

1.一种卷对卷常压沉积设备,其特征在于,包括放卷机构(110)、反应装置(120)及收卷机构(130),所述反应装置(120)具有料带通道(121)及多个功能室,多个所述功能室依次连接,所述料带通道(121)依次穿过多个所述功能室;所述放卷机构(110)用于放卷柔性基底,所述收卷机构(130)用于对经过放卷并穿过所述料带通道(121)后的所述柔性基底进行收卷;

2.根据权利要求1所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,多个所述功能室中还包括预热室(126),所述预热室(126)与所述ALD沉积室(122)靠近所述放卷机构(110)的一侧连接,所述预热室(126)内设置有用于加热所述柔性基底的预热模块(1261)。

3.根据权利要求2所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,处于所述放卷机构(110)与所述ALD沉积室(122)之间的所述正压干燥室(125)与所述预热室(126)背离所述ALD沉积室(122)的一侧连接。

4.根据权利要求3所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,所述ALD沉积室(122)背离所述预热室(126)的一侧与剩余一个所述正压干燥室(125)连接。

5.根据权利要求1所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,所述ALD沉积室(122)内设置有ALD系统(200),所述ALD系统(200)包括间隔设置的喷淋模块(210)与加热模块(220),所述料带通道(121)由所述喷淋模块(210)与所述加热模块(220)之间穿过。

6.根据权利要求5所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,所述喷淋模块(210)具有第一喷淋件(211)、第二喷淋件(212)、第三喷淋件(213)及抽气件(214),多个第一喷淋件(211)与第二喷淋件(212)沿所述料带通道(121)依次交替排布,任意相邻的所述第一喷淋件(211)与所述第二喷淋件(212)之间均排布有所述第三喷淋件(213)与所述抽气件(214)。

7.根据权利要求6所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,在由多个所述第一喷淋件(211)与多个所述第二喷淋件(212)组成的排布队列中,所述排布队列的首端与末端均为所述第一喷淋件(211),且所述排布队列的两端均布置有所述第三喷淋件(213)与所述抽气件(214)。

8.根据权利要求1所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,两个所述正压隔离室(123)的其中之一背离所述ALD沉积室(122)的一侧设置有进料狭缝模块(127),所述进料狭缝模块(127)与所述料带通道(121)的一端连通;

9.根据权利要求1所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,任意相邻的两个所述功能室之间均设置有过渡狭缝模块(129),所述料带通道(121)依次穿过多个所述过渡狭缝模块(129)。

10.一种卷对卷常压沉积系统,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的卷对卷常压沉积设备(100)。

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【技术特征摘要】

1.一种卷对卷常压沉积设备,其特征在于,包括放卷机构(110)、反应装置(120)及收卷机构(130),所述反应装置(120)具有料带通道(121)及多个功能室,多个所述功能室依次连接,所述料带通道(121)依次穿过多个所述功能室;所述放卷机构(110)用于放卷柔性基底,所述收卷机构(130)用于对经过放卷并穿过所述料带通道(121)后的所述柔性基底进行收卷;

2.根据权利要求1所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,多个所述功能室中还包括预热室(126),所述预热室(126)与所述ald沉积室(122)靠近所述放卷机构(110)的一侧连接,所述预热室(126)内设置有用于加热所述柔性基底的预热模块(1261)。

3.根据权利要求2所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,处于所述放卷机构(110)与所述ald沉积室(122)之间的所述正压干燥室(125)与所述预热室(126)背离所述ald沉积室(122)的一侧连接。

4.根据权利要求3所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,所述ald沉积室(122)背离所述预热室(126)的一侧与剩余一个所述正压干燥室(125)连接。

5.根据权利要求1所述的卷对卷常压沉积设备,其特征在于,所述ald沉积室(122)内设置有ald系统(200),所述ald系统(200)包括间隔设置的喷淋模块(210)与加热模块(220),所述料带通道(121)由所述喷淋模块...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:上海原力芯辰科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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