【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及扁线双线交叉叠绕，具体涉及一种扁线双线交叉叠绕工艺及其制备的耦合电感器。
技术介绍
1、电感器是各种多相拓扑结构中的关键组件。使用2个单电感基本上也能满足多数应用要求，不过耦合电感器能显着缩减体积并提高电路效率。在耦合电感器中，两个绕组缠绕在一个共用磁芯上。这样一来，l1和l2可实现磁耦合，从而能在两个线圈之间传输存储在磁芯中的能量。初级和次级绕组之间的磁耦合效率由耦合系数k定义。
2、现有的耦合电感器生产工艺是使用圆线漆包线在工字型磁芯上双线并绕形成电感线圈结构，与磁罩组装制得耦合电感。其缺点是同体积线圈圆线线材dcr难以做到扁线结构的低dcr。同时其磁屏蔽效果相比于扁线一体成型结构差。为了解决上述问题，本专利技术创造一种扁线双线交叉叠绕工艺及其制备的耦合电感器。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种扁线双线交叉叠绕工艺，包括以下步骤：步骤一：将两个扁线围绕绕线治具同一方向绕线，双线同时起绕，依据线厚调整绕线中轴的高度；步骤二：所述绕线治具包括上模和下模，在上模和下模处于开模状态时，送线系统开始朝下模送线，送线完成后上模下降，在这个过程中扁线被固定在绕线中轴和固定销之间，上下模合模完成后，上模开始顺时针旋转，到达设定圈数之后再裁断扁线，上模逆时针旋转，卸除扁线上引出端上拉力，即可以得到扁线双线叠绕线圈。
2、进一步地，在步骤一中：所述步骤一中同一方向为顺时针或逆时针。
3、进一步地，在步骤二中：所述两条扁线的起
4、进一步地，在步骤二中：所述步骤二中扁线的长线端为进线部位。在上下模处于开模状态，送线系统开始朝下模送线，送线完成后，上模下降，在这个过程中扁线被固定在绕线中轴和固定销之间。
5、进一步地，在步骤二中：所述步骤二中上模每旋转1°，上模上升
6、进一步地，在步骤二中：所述步骤二中上模逆时针旋转角度为25°。
7、一种扁线双线交叉叠绕工艺制备的耦合电感器，所述耦合电感器通过扁线双线叠绕线圈与t-core组合，使用热压工艺制成。
8、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
9、(1)、本专利技术创造一种扁线双线叠绕技术，实现扁线双线同时交叉叠绕，以提高两个线圈的磁耦合系数，高达97％以上，同时可现实自动化绕线，提高了生产效率。
10、(2)、本专利技术将扁线双线叠绕线圈与t-core组合，使用热压工艺，制得一体成型磁耦合电感器。以实现全屏蔽结构。相比于传统的圆线磁耦合电感器具有更低的磁损和铜损及优异的磁屏蔽效果。
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1.一种扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于：在步骤一中：所述步骤一中同一方向为顺时针或逆时针。
3.根据权利要求2所述的扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于：在步骤二中：所述两条扁线(3)的起绕角度差为180°。
4.根据权利要求3所述的扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于：在步骤二中：所述步骤二中扁线(3)的长线端(6)为进线部位。
5.根据权利要求4所述的扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于：在步骤二中：所述步骤二中上模(1)每旋转1°，上模(1)上升
6.根据权利要求5所述的扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于：在步骤二中：所述步骤二中上模(1)的逆时针旋转角度为25°。
7.一种扁线双线交叉叠绕工艺制备的耦合电感器，其特征在于，所述耦合电感器通过扁线双线叠绕线圈与T-core(7)组合，使用热压工艺制成。
【技术特征摘要】
1.一种扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于：在步骤一中：所述步骤一中同一方向为顺时针或逆时针。
3.根据权利要求2所述的扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于：在步骤二中：所述两条扁线(3)的起绕角度差为180°。
4.根据权利要求3所述的扁线双线交叉叠绕工艺，其特征在于：在步骤二中：所述步骤二中扁线(3)的长线端(6)为...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐勇，张长春，姚林杰，王连彪，
申请(专利权)人：株洲宏达磁电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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