【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路，具体涉及一种电压偏置电路。
技术介绍
1、电压偏置电路是模拟电路、电源管理等电路中至关重要的组件。cmos电流电压转换模块是许多模拟、以及模数混合信号设计的重要组成部分，比如连续时间滤波器，数模转换器，高性能接口电路以及可变增益放大器等。在这些应用中，整体性能在很大程度由电流电压转换电路所决定。偏置电路的设计不仅仅是在特定条件下为晶体管提供适当的静态工作点，还能够抑制自热效应，保证功放工作的稳定性。但现有能精确控制电流转电压的电路结构均具有电路结构十分复杂、使用mos管及开关数量较多和电路面积较大的问题，并且传统利用多位二进制数字信号控制对外输出电压偏置的电路结构，一方面在控制信号的切换过程中，例如二进制码的进位、退位以及移位等操作时，大规模的开关的闭合关断会导致电路无法在短时间内保持其稳定性并且电路总体功耗较大,并且数量大且控制复杂的开关，会导致在转换过程中电路存在启动延时较大的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种电压偏置电路及电压偏置电路，用于解决现有技术存在的至少一个问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种电压偏置电路，所述电压偏置电路包括：电流源、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第一pmos管、第二pmos管和电压偏置电路；
3、所述电流源的输出端分别与所述第一nmos管的漏极、第一nmos管的栅极、第三nmos管的栅极连接，第一nmos管的源极和
4、所述电压偏置电路包括多个开关单元，接收外部数字控制信号，并基于所述外部数字控制信号切换所述多个开关单元的开关状态以输出不同的电流。
5、于本专利技术一实施例中，所述电压偏置电路包括：
6、开关控制信号生成模块，接收外部数字控制信号并基于所述外部数字控制信号生成多个开关控制信号；
7、电流调节模块，包括控制端和多个开关单元，每一个所述开关单元接收由所述控制端输入的所述多个开关控制信号，通过所述多个开关控制信号切换所述多个开关单元中的一个或多个的开关状态以通过所述输出端输出不同的电流。
8、于本专利技术一实施例中，所述多个开关单元包括第一开关单元、多个第二开关单元、第三开关单元；
9、所述第一开关单元包括第一开关管，所述第一开关管的栅极接所述偏置电压，第一开关管的漏极接第三nmos管的源极，第一开关管的源极接地；
10、所述多个第二开关单元依次设置，所述第二开关单元包括第二开关管和第一控制开关，第二开关管的栅极与所述第一控制开关连接，第二开关管的漏极接第三nmos管的源极，第二开关管的源极接地；第一个第二开关单元的第二开关管的栅极通过第一控制开关接第一开关管的栅极；相邻两个第二开关单元的第二开关管的栅极通过后一个第二开关单元的第一控制开关连接；
11、所述第三开关单元包括第三开关管和第二控制开关，所述第三开关管的栅极通过第二控制开关与最后一个第二开关单元中的第一开关管的栅极连接，第三开关管的漏极接第三nmos管的源极，第三开关管的源极接地；
12、于本专利技术一实施例中，所述电流调节模块包括多个开关组，每一个开关组包括多个第二开关单元中的一个或多个；第一个开关组包括所述多个第二开关单元，后一个开关组包括前一个开关组中偶数位第二开关单元中的第二开关管以及对多个第二开关管进行控制的多个第三控制开关；所述多个第三控制开关串联连接，且相邻两第三控制开关的公共连接端接第二开关管的栅极；不同的开关组中的开关管由不同的开关控制信号控制。
13、于本专利技术一实施例中，所述开关控制信号生成模块包括：多个反相器，每一个反相器对应一开关组，所述反相器的输入端接外部数字控制信号，所述反相器的输入端接开关组中的奇数位第二开关单元，所述反相器的输出端接开关组中的偶数位第二开关单元。
14、于本专利技术一实施例中，所述反相器包括：第五nmos管和第三pmos管；所述第三pmos管的源极接地，第三pmos管的栅极与所述第五nmos管的栅极连接并作为反相器的输入端，第三pmos管的漏极与所述第五nmos管的漏极连接并作为反相器的输出端，第三pmos管的源极接地。
15、于本专利技术一实施例中，所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管为nmos管。
16、如上所述，本申请提供的一种电压偏置电路，具有以下有益效果：
17、本申请的一种电压偏置电路，包括：电流源、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第一pmos管、第二pmos管和电压偏置电路；所述电流源的输出端分别与所述第一nmos管的漏极、第一nmos管的栅极、第三nmos管的栅极连接，第一nmos管的源极和第二nmos管的漏极连接，第二nmos管的栅极与所述电压偏置电路的电压输入端连接，第二nmos管的源极接地；所述第二nmos管的栅极输出一偏置电压并输入到所述电压偏置电路中，所述电压偏置电路的输出端与所述第三nmos管的源极连接，第三nmos管的漏极分别与所述第二pmos管的源极、栅极连接，所述第二pmos管的漏极分别与所述第一pmos管的漏极、栅极连接，所述第一pmos管的源极接电源电压；所述电压偏置电路包括多个开关单元，接收外部数字控制信号，并基于所述外部数字控制信号切换所述多个开关单元的开关状态以输出不同的电流。本专利技术通过控制数字信号调节多个开关单元的导通，从而精确地调节该电路对外输出电流的大小，并且在控制时开关的关断闭合的次数和复杂程度均较低，在切换时对电路的影响时间以及建立时间均较短。
18、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
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1.一种电压偏置电路，其特征在于，所述电压偏置电路包括：电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和电压偏置电路；
2.根据权利要求1所述的电压偏置电路，其特征在于，所述电压偏置电路包括：
3.权利要求2所述的电压偏置电路，其特征在于，所述多个开关单元包括第一开关单元、多个第二开关单元、第三开关单元；
4.根据权利要求3所述的电压偏置电路，其特征在于，所述电流调节模块包括多个开关组，每一个开关组包括多个第二开关单元中的一个或多个；第一个开关组包括所述多个第二开关单元，后一个开关组包括前一个开关组中偶数位第二开关单元中的第二开关管以及对多个第二开关管进行控制的多个第三控制开关；所述多个第三控制开关串联连接，且相邻两第三控制开关的公共连接端接第二开关管的栅极；不同的开关组中的开关管由不同的开关控制信号控制。
5.根据权利要求4所述的电压偏置电路，其特征在于，所述开关控制信号生成模块包括：多个反相器，每一个反相器对应一开关组，所述反相器的输入端接外部数字控制信号，所述反相器的输入端接开关组中的奇
6.根据权利要求5所述的电压偏置电路，其特征在于，所述反相器包括：第五NMOS管和第三PMOS管；所述第三PMOS管的源极接地，第三PMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极连接并作为反相器的输入端，第三PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极连接并作为反相器的输出端，第三PMOS管的源极接地。
7.根据权利要求3所述的电压偏置电路，其特征在于，所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管为NMOS管。
...【技术特征摘要】
1.一种电压偏置电路，其特征在于，所述电压偏置电路包括：电流源、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第一pmos管、第二pmos管和电压偏置电路；
2.根据权利要求1所述的电压偏置电路，其特征在于，所述电压偏置电路包括：
3.权利要求2所述的电压偏置电路，其特征在于，所述多个开关单元包括第一开关单元、多个第二开关单元、第三开关单元；
4.根据权利要求3所述的电压偏置电路，其特征在于，所述电流调节模块包括多个开关组，每一个开关组包括多个第二开关单元中的一个或多个；第一个开关组包括所述多个第二开关单元，后一个开关组包括前一个开关组中偶数位第二开关单元中的第二开关管以及对多个第二开关管进行控制的多个第三控制开关；所述多个第三控制开关串联连接，且相邻两第三控制开关的公共连接端接第二开关管的栅极；不同的...
【专利技术属性】
技术研发人员：马梓铭，李婷，李登全，刘兴丽，付东兵，俞宙，王健安，张正平，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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