【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工领域，尤其是半导体器件加工设备。
技术介绍
1、减薄机是用于晶圆等半导体器件减薄的专用设备。如申请公布号为cn116387213a的专利技术专利申请揭示了一种双工位同时加工的减薄系统，其通常通过吸盘来进行工件的真空吸附及上下料，吸盘吸附的晶圆会放置于承片台上，承片台通过真空吸附将工件固定在其上，接着通过气浮主轴驱动磨轮自转并使磨轮下移对工件进行研磨。
2、而在承片台和吸盘吸附晶圆解除对工件的吸附时，都会有一定的吸力残余，申请公布号为cn114975208a的现有专利给出了使承片台在释放晶圆后反吹气的方法，但是对于用于上下料的吸盘的残余吸力没有有效的控制，这导致吸盘解除对工件的吸附并向上移动时，会带动工件一定程度的上移，由于工件本身很薄，常常只有几百微米且质地较脆，因此，存在被残余吸力带起后下落碰坏的风险。
技术实现思路
1、本技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种半导体器件加工设备。
2、本技术的目的通过以下技术方案来实现：
3、半导体器件加工设备，包括至少一第一吸盘、至少一承片台吸附盘、主气源及负压源，所述主气源通过多路并联的供气气路连接所述第一吸盘和承片台吸附盘，所述负压源通过多路并联的抽真空气路连接所述第一吸盘和承片台吸附盘，所述第一吸盘连接的供气气路和抽真空气路连接，所述承片台吸附盘连接的供气气路和抽真空气路连接且它们的连接点位于控制它们各自通断的阀的下游。
4、优选的，所述主气源还通过供
5、优选的，所述承片台吸附盘包括多个吸附区，每个吸附区连接一第一气路，多条第一气路并联连接在所述供气气路和抽真空气路的连接点的下游。
6、优选的，所述负压源是真空泵。
7、优选的，所述负压源包括供气气源，所述供气气源连接多个真空发生器的进气端，每个所述真空发生器的抽气端连接抽真空气路。
8、优选的，所述真空发生器的进气端还连接主气源。
9、优选的，所述主气源和真空发生器连接的管道上还设置有用于控制主气源向所述真空发生器供气通断的控制阀，每个抽真空气路设置有真空表。
10、优选的，所述供气气路包括第一阀体及设置于所述第一阀体下游的单向阀，所述单向阀使气体可由上游向下游输送，所述供气气路与抽真空气路的连接点位于所述单向阀的下游。
11、优选的，所述抽真空气路包括设置于抽真空管道上的真空阀。
12、气路系统，包括主气源及负压源，所述主气源连接多路并联的供气气路，所述负压源连接多路并联的抽真空气路，每条所述抽真空气路与一条供气气路连接，它们连接点的上游分别设置有控制它们各自通断的阀。
13、本技术技术方案的优点主要体现在：
14、本技术使用于上下料的第一吸盘和承片台吸附盘均连接主气源及负压源，从而使第一吸盘和承片台吸附盘都具有真空吸附和反吹气的能力，从而有效地避免了第一吸盘释放工件时由于残余吸力造成工件被带起后下落损坏的问题，提高了加工的安全性。同时，气路系统能够有效的满足多个第一吸盘和多个承片台吸附盘各自吸附或反吹气，简化了气路结构。
15、本技术采用真空发生器来产生多路负压，并且使真空发生器均连接供气气源和主气源，从而能够在检测到每个抽真空气路的真空不满足时，通过主气源来同时为真空发生器供气，从而保证每路真空吸附的稳定性。同时，可以在主气源存在异常时，通过供气气源来进行补偿，从而保证多个吹气点的稳定吹气。这种结构有效解决了常规的供气结构与抽真空结构相互独立，缺少联动的问题。
16、本技术的承片台吸附盘具有多个吸附区，并设计与每个吸附区连接且并联的第一气路与抽真空气路和供气气路，从而能够有效地满足不同区域的吸附和反吹气功能，有效满足了不同直径的工件的加工需要。
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1.半导体器件加工设备，包括至少一第一吸盘、至少一承片台吸附盘、主气源及负压源，其特征在于：所述主气源通过多路并联的供气气路连接所述第一吸盘和承片台吸附盘，所述负压源通过多路并联的抽真空气路连接所述第一吸盘和承片台吸附盘，所述第一吸盘连接的供气气路和抽真空气路连接，所述承片台吸附盘连接的供气气路和抽真空气路连接，且它们的连接点位于控制它们各自通断的阀的下游。
2.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述主气源还通过供气气路连接吹气喷嘴和/或气浮主轴和/或清洗桶吸盘，所述清洗桶吸盘还连接一抽真空气路。
3.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述承片台吸附盘包括多个吸附区，每个吸附区连接一第一气路，多条第一气路并联连接在所述供气气路和抽真空气路的连接点的下游。
4.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述负压源是真空泵。
5.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述负压源包括供气气源，所述供气气源连接多个真空发生器的进气端，每个所述真空发生器的抽气端连接抽真空气路。>
6.根据权利要求5所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述真空发生器的进气端还连接主气源。
7.根据权利要求5所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述主气源和真空发生器连接的管道上还设置有用于控制主气源向所述真空发生器供气通断的控制阀，每个抽真空气路设置有真空表。
8.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述供气气路包括第一阀体及设置于所述第一阀体下游的单向阀，所述单向阀使气体可由上游向下游输送，所述供气气路与抽真空气路的连接点位于所述单向阀的下游。
9.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述抽真空气路包括设置于抽真空管道上的真空阀。
...【技术特征摘要】
1.半导体器件加工设备，包括至少一第一吸盘、至少一承片台吸附盘、主气源及负压源，其特征在于：所述主气源通过多路并联的供气气路连接所述第一吸盘和承片台吸附盘，所述负压源通过多路并联的抽真空气路连接所述第一吸盘和承片台吸附盘，所述第一吸盘连接的供气气路和抽真空气路连接，所述承片台吸附盘连接的供气气路和抽真空气路连接，且它们的连接点位于控制它们各自通断的阀的下游。
2.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述主气源还通过供气气路连接吹气喷嘴和/或气浮主轴和/或清洗桶吸盘，所述清洗桶吸盘还连接一抽真空气路。
3.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述承片台吸附盘包括多个吸附区，每个吸附区连接一第一气路，多条第一气路并联连接在所述供气气路和抽真空气路的连接点的下游。
4.根据权利要求1所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述负压源是真空...
【专利技术属性】
技术研发人员：庭玉超，孙志超，赵锋，葛凡，王长龙，张照阳，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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