【技术实现步骤摘要】
本技术涉及大功率器件散热,特别是涉及一种大功率器件。
技术介绍
1、封装主要是在半导体制造的后道工程中完成的;即利用膜技术及微细连接技术,将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接,引出接线端子,并通过塑性绝缘介质灌封固定,构成整体主体结构的工艺;
2、目前大功率器件大都采用半包封方式进行封装,然而大功率的器件在工作时产生的热量多,此种封装方式仅单面散热从而导致大功率器件散热速度较慢,易出现高温老化,影响大功率器件的使用寿命。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种大功率器件,其优点是大大改善了大功率器件的散热效率,延长了大功率器件的使用寿命,提高大功率器件的可靠性。
2、为实现上述目的及其他相关目的,本技术提供如下技术方案:
3、一种大功率器件,包括封装体,
4、嵌设在所述封装体一面的散热载片;
5、嵌设在所述封装体另一面的散热片,所述散热片与散热载片相对设置;
6、设置在所述散热载片上的芯片结构,所述芯片结构位于散热载片和散热片之间。
7、通过上述技术方案,散热载片在承载芯片结构的同时起到散热作用,通过散热载片和散热片实现双面散热,大大的改善了散热的效率,从而提高了功率器件的使用寿命。
8、于本技术的一实施例中,所述散热载片上嵌设有若干个封装柱体,所述散热片粘贴在若干个封装柱体的顶部。
9、通过上述技术方案,封装柱体用于支撑散热片,使散热片与散热载片相对
10、于本技术的一实施例中,所述封装体包括填充在散热片与散热载片之间的填充部以及包裹封装柱体和包裹部分散热载片和散热片的包裹部。
11、通过上述技术方案,起到密封和保护芯片的作用。
12、于本技术的一实施例中,所述散热载片嵌设在封装体的底部,所述散热片嵌设在封装体的顶部;
13、所述散热载片底部与包裹部底部齐平;
14、所述散热片顶部与包裹部顶部齐平。
15、通过上述技术方案,整体性强并且加快芯片的散热效率。
16、于本技术的一实施例中,所述散热载片上部设置有与封装柱体连接的连接槽;
17、所述散热载片的侧部设置与包裹部连接的粘结槽。
18、通过上述技术方案,连接槽用于加强散热载片与封装柱体的连接强度;粘结槽用于加强散热载片与包裹部的连接强度。
19、于本技术的一实施例中,所述粘结槽为燕尾槽。
20、通过上述技术方案,燕尾槽用于增加封装体与散热载板的结合力,从而使封装体与散热载板连接更加牢固。
21、于本技术的一实施例中,所述芯片结构包括固定在散热载片上的芯片、一端与芯片连接的金属丝以及与金属丝另一端连接的引线框架;
22、所述芯片和金属丝均包裹在封装体内,所述引线框架部分嵌设在包裹部内。
23、通过上述技术方案,芯片连接金属丝,金属丝与引线框架连接,实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接从而形成电气回路。
24、于本技术的一实施例中,所述散热片为陶瓷片。
25、通过上述技术方案,陶瓷片的导热性能非常优异,能满足大功率器件的散热要求。
26、如上所述,本技术的一种大功率器件,具有以下有益效果:
27、通过二次封装,由原来的单面散热改为双面散热,大大的改善了散热的效率,从而提高了功率器件的使用寿命,提高功率器件的可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种大功率器件,其特征在于:包括封装体(1),
2.根据权利要求1所述的一种大功率器件,其特征在于:所述散热载片(4)上嵌设有若干个封装柱体(7),所述散热片(5)粘贴在若干个封装柱体(7)的顶部。
3.根据权利要求2所述的一种大功率器件,其特征在于:所述封装体(1)包括填充在散热片(5)与散热载片(4)之间的填充部(101)以及包裹封装柱体(7)和包裹部分散热载片(4)和散热片(5)的包裹部(102)。
4.根据权利要求3所述的一种大功率器件,其特征在于:所述散热载片(4)嵌设在封装体(1)的底部,所述散热片(5)嵌设在封装体(1)的顶部;
5.根据权利要求3所述的一种大功率器件,其特征在于:所述散热载片(4)上部设置有与封装柱体(7)连接的连接槽(8);
6.根据权利要求5所述的一种大功率器件,其特征在于:所述粘结槽(9)为燕尾槽。
7.根据权利要求3所述的一种大功率器件,其特征在于:所述芯片结构(6)包括固定在散热载片(4)上的芯片(61)、一端与芯片(61)连接的金属丝(62)以及与金属丝(62)
8.根据权利要求1所述的一种大功率器件,其特征在于:所述散热片(5)为陶瓷片。
...【技术特征摘要】
1.一种大功率器件,其特征在于:包括封装体(1),
2.根据权利要求1所述的一种大功率器件,其特征在于:所述散热载片(4)上嵌设有若干个封装柱体(7),所述散热片(5)粘贴在若干个封装柱体(7)的顶部。
3.根据权利要求2所述的一种大功率器件,其特征在于:所述封装体(1)包括填充在散热片(5)与散热载片(4)之间的填充部(101)以及包裹封装柱体(7)和包裹部分散热载片(4)和散热片(5)的包裹部(102)。
4.根据权利要求3所述的一种大功率器件,其特征在于:所述散热载片(4)嵌设在封装体(1)的底部,所述散热片(...
【专利技术属性】
技术研发人员:张海龙,孙家兴,
申请(专利权)人:池州昀钐半导体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。