【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻，特别涉及一种曝光系统及曝光方法。
技术介绍
1、光刻机是集成电路制造阶段必不可少的设备，随着集成电路元器件越来越小，功耗越来越低，对于成像像质的要求也越来越高，而光刻机中的曝光系统的杂散光会严重影响成像质量，导致曝光失败，因此，减少杂散光成为一个重要课题。
2、光刻机曝光时，利用光源、匀光单元及中继透镜照亮掩膜版上曝光视场，然后通过投影镜头将掩膜版图案复制到基底如硅片上，为保证掩膜版和硅片上的图案一一对应，掩膜版曝光视场外会有对准区域，利用对准区域上的标记和硅片上的标记对齐，保证套刻精度。匀光单元大小和掩膜版曝光视场相关，但由于匀光单元的光学件加工工艺问题及装配公差，匀光单元尺寸比掩膜版曝光视场大，且由于对准区域在曝光视场外，因此，匀光单元提供的视场尺寸需要能够覆盖对准区域。在曝光之前，需要先利用通过中继透镜的光线照亮掩膜版上对准区域(此时曝光区域需要遮挡)，将掩膜版与硅片标记重合，然后再进行曝光，曝光时需要仅掩膜版曝光视场区域被照亮，否则通过中继透镜在掩膜版上的形成的均匀视场大于所需曝光视场，会导致曝光视场外的掩膜版图案被曝掉。另外由于掩膜版自身存在一定的反射率，光线会经掩膜版、中继透镜机械件等来回反射，最终导致曝光场内及场外的杂散光增大，影响像质。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种曝光系统及曝光方法，以解决对准时曝光区域的掩膜版图案被曝掉或者曝光时曝光场外的掩膜版图案被曝掉，以及曝光时场内和场外杂散光超标影响成像像质中的至少一个问题
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种曝光系统，包括光源和遮光装置，所述遮光装置位于所述光源下方且设置有对准工位和曝光工位；
3、所述光源用于发射曝光光束；
4、在所述遮光装置位于曝光工位时，所述遮光装置的遮光区用于遮挡掩膜版的对准区域；在所述遮光装置位于对准工位时，所述曝光光束仅照射所述掩膜版的对准区域。
5、可选的，所述曝光系统还包括可动刀口模组；在对准工位时，移开所述遮光装置，所述刀口模组遮挡曝光视场，对所述对准区域通光；在曝光工位时，所述遮光装置移动到所述曝光工位，所述可动刀口模组控制曝光视场的大小以对所述曝光区域进行曝光。
6、可选的，所述可动刀口模组包括四个可动刀片，其中两个所述可动刀片沿第一方向移动，另外两个所述可动刀片沿第二方向移动，所述第一方向与所述第二方向相垂直。
7、可选的，所述曝光系统还包括中继镜组和支撑底板，所述中继镜组用于对所述曝光光束进行扩束和准直，所述支撑底板用于支撑所述中继镜组。
8、可选的，所述中继镜组的内表面和所述支撑底板的靠近所述遮光装置的一面均形成有涂层。
9、可选的，所述遮光装置的靠近所述掩膜版的一面和远离所述掩膜版的一面均形成有涂层。
10、可选的，所述涂层对350nm～450nm波长的曝光光束的吸收率为90％～99％。
11、可选的，在所述对准工位时，所述遮光装置的遮光区遮挡所述曝光区域并暴露所述对准区域。
12、基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种曝光方法，包括：
13、进行对准时，将遮光装置移开，暴露出掩膜版的对准区域，光源发射曝光光束以对所述对准区域通光；
14、完成对准后，将所述遮光装置移动到曝光工位，暴露出所述掩膜版上的曝光区域以进行曝光。
15、可选的，进行对准时，将所述遮光装置移开，并采用可动刀口模组遮挡曝光视场，暴露出所述掩膜版上的对准区域，并对所述对准区域通光；
16、进行曝光时，将所述遮光装置移动到曝光工位，并采用所述可动刀口模组控制所述曝光视场的大小，对所述曝光区域进行曝光。
17、可选的，进行对准时，所述遮光装置的遮光区遮挡所述掩膜版的曝光区域，对所述对准区域通光。
18、在本专利技术提供的一种曝光系统及曝光方法中，遮光装置设置有对准工位和曝光工位，在遮光装置位于曝光工位时，遮光装置的遮光区用于遮挡对准区域；在遮光装置位于对准工位时，曝光光束仅照射掩膜版的对准区域，从而能够解决对准时曝光区域的掩膜版图案被曝掉或者曝光时曝光场外的掩膜版图案被曝掉的问题。
19、进一步的，遮光装置的靠近掩膜版的一面和远离掩膜版的一面均形成有高吸收率涂层、中继镜组的内表面和所述支撑底板的靠近所述遮光装置的一面均形成有高吸收率涂层，将由掩膜版、中继镜组和支撑板的靠近所述遮光装置的一面反射的光线吸收，减少杂散光影响，以解决曝光时场内和场外杂散光超标影响成像像质的问题。
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1.一种曝光系统，其特征在于，包括光源和遮光装置，所述遮光装置位于所述光源下方且设置有对准工位和曝光工位；
2.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统还包括可动刀口模组；在对准工位时，移开所述遮光装置，所述刀口模组遮挡曝光视场，对所述对准区域通光；在曝光工位时，所述遮光装置移动到所述曝光工位，所述可动刀口模组控制曝光视场的大小以对所述曝光区域进行曝光。
3.根据权利要求2所述的曝光系统，其特征在于，所述可动刀口模组包括四个可动刀片，其中两个所述可动刀片沿第一方向移动，另外两个所述可动刀片沿第二方向移动，所述第一方向与所述第二方向相垂直。
4.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统还包括中继镜组和支撑底板，所述中继镜组用于对所述曝光光束进行扩束和准直，所述支撑底板用于支撑所述中继镜组。
5.根据权利要求4所述的曝光系统，其特征在于，所述中继镜组的内表面和所述支撑底板的靠近所述遮光装置的一面均形成有涂层。
6.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述遮光装置的靠近所述掩膜版的一面和远离所
7.根据权利要求5或6所述的曝光系统，其特征在于，所述涂层对350nm～450nm波长的曝光光束的吸收率为90％～99％。
8.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，在所述对准工位时，所述遮光装置的遮光区遮挡所述曝光区域并暴露所述对准区域。
9.一种曝光方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，进行对准时，将所述遮光装置移开，并采用可动刀口模组遮挡曝光视场，暴露出所述掩膜版上的对准区域，并对所述对准区域通光；
11.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，进行对准时，所述遮光装置的遮光区遮挡所述掩膜版的曝光区域，对所述对准区域通光。
...【技术特征摘要】
1.一种曝光系统，其特征在于，包括光源和遮光装置，所述遮光装置位于所述光源下方且设置有对准工位和曝光工位；
2.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统还包括可动刀口模组；在对准工位时，移开所述遮光装置，所述刀口模组遮挡曝光视场，对所述对准区域通光；在曝光工位时，所述遮光装置移动到所述曝光工位，所述可动刀口模组控制曝光视场的大小以对所述曝光区域进行曝光。
3.根据权利要求2所述的曝光系统，其特征在于，所述可动刀口模组包括四个可动刀片，其中两个所述可动刀片沿第一方向移动，另外两个所述可动刀片沿第二方向移动，所述第一方向与所述第二方向相垂直。
4.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统还包括中继镜组和支撑底板，所述中继镜组用于对所述曝光光束进行扩束和准直，所述支撑底板用于支撑所述中继镜组。
5.根据权利要求4所述的曝光系统，其特征在于，所述中继镜...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙俊阳，张飞扬，王彦飞，韩晓艳，李运锋，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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