System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种温度计码到二进制码的转换装置制造方法及图纸_技高网

一种温度计码到二进制码的转换装置制造方法及图纸

技术编号:42937330 阅读:5 留言:0更新日期:2024-10-11 15:58
本发明专利技术涉及一种温度计码到二进制码的转换装置,应用于动态比较器输出,所述转换装置包括译码电路和与所述译码电路电连接的校正电路。所述译码电路包括PMOS管M1、PMOS管M2、反相器A2和译码逻辑,所述校正电路包括PMOS管M3、PMOS管M4和互补译码逻辑,所述PMOS管M1的漏极分别与所述PMOS管M2的漏极、PMOS管M3的栅极、反相器A2的输入端、译码逻辑的输出节点A相连接,所述PMOS管M3的漏极分别与PMOS管M4的漏极、PMOS管M1的栅极、互补译码逻辑的输出节点B相连接,所述动态比较器的输出分别与所述译码逻辑和互补译码逻辑相连。本发明专利技术能够有效降低由于动态比较器输出抖动可能出现的瞬时译码错误以及降低整体电路的工作功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数字电路,特别涉及一种温度计码到二进制码的转换装置


技术介绍

1、温度计码常用于模数转换器和时间-数字转换器。其中,在模数转换器中,用于将模拟输入信号如测量的电压转换为数字编码的输出信号。而在时间-数字转换器中,用于将相位误差转换为数字编码的信号,送入数字滤波器进行处理。二进制码(binary code)是数字电路中最常用的数字码,其以2为基数用于记数,且常用符号0和1来表示,每个符号占用1个比特(bit)位。

2、现有的温度计码至二进制码的转换方式主要有三种,其译码逻辑都是一致的。如图1所示,不同之处在于译码电路中的pmos管m1在工作和复位状态下位于不同的工作状态下。在其中一种情况下,pmos管m1的栅极电压clkc在译码逻辑不工作时为0,整个电路被复位,产生0输出;在译码逻辑工作时栅极电压clkc为vdd,m1断开,而后译码逻辑产生对应的输出。然而由于译码逻辑有导通和关断两种状态,即将节点a下拉至0或保持原电压浮空。而译码逻辑的前极,即动态比较器的输出会产生先上升后下降的0电压,使得译码逻辑本应关断的情况下存在瞬时的导通,从而使得本应为vdd的a节点电压下降至0,从而产生译码错误。另一种情况下,在译码逻辑工作一段时间之后pmos管m1的栅极电压clkc才从0上升至vdd,由于外部控制信号clkc是和动态比较器输出信号无关的时钟进行控制,依旧可能存在栅极电压clkc上升过早使得译码逻辑输出的错误不能被校正的问题,或者栅极电压clkc上升时间较晚,pmos管m1的栅极接地并处于常开状态,可将反相器a1输入端在工作区间ⅱ拉回,电源地之间存在长时间的导通,浪费功耗。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于解决两个技术问题:第一是降低由于动态比较器输出抖动可能出现的瞬时译码错误;第二是降低整体电路的工作功耗。为此,提供一种温度计码到二进制码的转换装置。

2、为了实现上述专利技术目的,本专利技术实施例提供了以下技术方案:

3、一种温度计码到二进制码的转换装置,应用于动态比较器输出,所述转换装置包括译码电路和与所述译码电路电连接的校正电路;

4、其中,所述译码电路包括pmos管m1、pmos管m2、反相器a2和译码逻辑,所述校正电路包括pmos管m3、pmos管m4和互补译码逻辑,所述pmos管m1的漏极分别与所述pmos管m2的漏极、pmos管m3的栅极、反相器a2的输入端、译码逻辑的输出节点a相连接,所述pmos管m3的漏极分别与pmos管m4的漏极、pmos管m1的栅极、互补译码逻辑的输出节点b相连接,所述动态比较器的输出分别与所述译码逻辑和互补译码逻辑相连。

5、进一步地,所述pmos管m2的栅极连接至外部复位电压clkr,所述pmos管m1的源极和pmos管m2的源极均与电源电压vdd相连。

6、进一步地,所述pmos管m4的栅极连接至外部复位电压clkr,pmos管m3的源极和pmos管m4的源极均与电源电压vdd相连。

7、进一步地,所述反相器a2的输出端与输出电压vout相连。

8、进一步地,所述动态比较器包括mos管mn1、mos管mn2、mos管mn3、mos管mn4、mos管mn5、mos管mn6、mos管mn7、mos管mp1、mos管mp2、mos管mp3、mos管mp4和mos管mp5,所述mos管mn1、mos管mp1、mos管mp2的栅极均连接至外部控制信号clkr,所述mos管mn2的栅极连接至外部控制信号vip,所述mos管mn3的栅极连接至外部控制信号vin,所述mos管mn1的漏极与所述mos管mn2、mos管mn3的源极相连接,所述mos管mn2的漏极分别与mos管mp1的漏极、mos管mn4的栅极相连接,所述mos管mn3的漏极与所述mos管mp2的漏极、mos管mn7的栅极相连接,作为输出节点voutp的mos管mn4的漏极分别与mos管mn5的漏极、mos管mp3的漏极、mos管mn6的栅极和mos管mp4的栅极相连接,作为输出节点voutn的mos管mn7的漏极分别与所述mos管mn6的漏极、mos管mp4的漏极、mos管mn5的栅极和mos管mp3的栅极相连接,所述mos管mp5的漏极分别与mos管mp3的源极、mos管mp4的源极相连接,所述mos管mp5的栅极连接至外部控制信号clkb,所述mos管mn1、mos管mn4、mos管mn5、mos管mn6、mos管mn7的源极均接地,所述mos管mp1、mos管mp2、mos管mp5的源极均连接至电源电压。

9、进一步地,当对7位温度计码转换至3位二进制码时,在第三位二进制码的译码逻辑中,所述译码逻辑还包括mos管m11,所述mos管m11的栅极连接至第四动态比较器输出voutp,所述mos管m11的漏极连接至译码电路中的节点a,所述mos管m11的源极接地;在第三位二进制码的互补译码逻辑中,所述互补译码逻辑还包括mos管m12,所述mos管m12的栅极连接至第四动态比较器输出voutn,所述mos管m12的漏极连接至校正电路中的节点b,所述mos管m12的源极接地。

10、进一步地,在第二位二进制码的译码逻辑中,所述译码逻辑还包括mos管m13、mos管m14和mos管m15,所述mos管m13的栅极连接至第二动态比较器输出voutp,mos管m14的栅极连接至第四动态比较器输出voutn,mos管m15的栅极连接至第六动态比较器的输出voutp,mos管m13的漏极和mos管m14的源极相连,mos管m13和mos管m15的源极与地电压相连,mos管m14和mos管m15的漏极连接至译码电路中的节点a;在第二位二进制码的互补译码逻辑中,所述互补译码逻辑还包括mos管m16、mos管m17和mos管m18,所述mos管m16的栅极连接至第二动态比较器输出voutn,mos管m17的栅极连接至第四动态比较器输出voutp,mos管m18的栅极连接至第六动态比较器的输出voutn,mos管m18的源极和mos管m16的漏极、mos管m17的漏极相连,mos管m16和mos管m17的源极与地电压相连,mos管m18的漏极连接至校正电路中的节点b。

11、进一步地,在第一位二进制码的译码逻辑中,所述译码逻辑还包括mos管m19、mos管m20、mos管m21、mos管m22、mos管m23、mos管m24和mos管m25,所述mos管m19的栅极连接至第一动态比较器输出voutp,mos管m20的栅极连接至第二动态比较器输出voutn,mos管m21的栅极连接至第三动态比较器输出voutp,mos管m22的栅极连接至第四动态比较器输出voutn,mos管m23的栅极连接至第五动态比较器输出voutp,mos管m24的栅极连接至第六动态比较器输出voutn,mos管m25的栅极连接至第七动态比较器的输出voutp,mos管m19的漏极和mos管m20的源极相连,mos管m21的漏极和mos管m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温度计码到二进制码的转换装置,应用于动态比较器输出,其特征在于,所述转换装置包括译码电路和与所述译码电路电连接的校正电路;

2.根据权利要求1所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,所述PMOS管M2的栅极连接至外部复位电压CLKR,所述PMOS管M1的源极和PMOS管M2的源极均与电源电压VDD相连。

3.根据权利要求1所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,所述PMOS管M4的栅极连接至外部复位电压CLKR,PMOS管M3的源极和PMOS管M4的源极均与电源电压VDD相连。

4.根据权利要求1所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,所述反相器A2的输出端与输出电压VOUT相连。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,所述动态比较器包括MOS管MN1、MOS管MN2、MOS管MN3、MOS管MN4、MOS管MN5、MOS管MN6、MOS管MN7、MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MP3、MOS管MP4和MOS管MP5,所述MOS管MN1、MOS管MP1、MOS管MP2的栅极均连接至外部控制信号CLKR,所述MOS管MN2的栅极连接至外部控制信号Vip,所述MOS管MN3的栅极连接至外部控制信号Vin,所述MOS管MN1的漏极与所述MOS管MN2、MOS管MN3的源极相连接,所述MOS管MN2的漏极分别与MOS管MP1的漏极、MOS管MN4的栅极相连接,所述MOS管MN3的漏极与所述MOS管MP2的漏极、MOS管MN7的栅极相连接,作为输出节点Voutp的MOS管MN4的漏极分别与MOS管MN5的漏极、MOS管MP3的漏极、MOS管MN6的栅极和MOS管MP4的栅极相连接,作为输出节点Voutn的MOS管MN7的漏极分别与所述MOS管MN6的漏极、MOS管MP4的漏极、MOS管MN5的栅极和MOS管MP3的栅极相连接,所述MOS管MP5的漏极分别与MOS管MP3的源极、MOS管MP4的源极相连接,所述MOS管MP5的栅极连接至外部控制信号CLKB,所述MOS管MN1、MOS管MN4、MOS管MN5、MOS管MN6、MOS管MN7的源极均接地,所述MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MP5的源极均连接至电源电压。

6.根据权利要求5所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,当对7位温度计码转换至3位二进制码时,在第三位二进制码的译码逻辑中,所述译码逻辑还包括MOS管M11,所述MOS管M11的栅极连接至第四动态比较器输出Voutp,所述MOS管M11的漏极连接至译码电路中的节点A,所述MOS管M11的源极接地;在第三位二进制码的互补译码逻辑中,所述互补译码逻辑还包括MOS管M12,所述MOS管M12的栅极连接至第四动态比较器输出Voutn,所述MOS管M12的漏极连接至校正电路中的节点B,所述MOS管M12的源极接地。

7.根据权利要求6所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,在第二位二进制码的译码逻辑中,所述译码逻辑还包括MOS管M13、MOS管M14和MOS管M15,所述MOS管M13的栅极连接至第二动态比较器输出Voutp,MOS管M14的栅极连接至第四动态比较器输出Voutn,MOS管M15的栅极连接至第六动态比较器的输出Voutp,MOS管M13的漏极和MOS管M14的源极相连,MOS管M13和MOS管M15的源极与地电压相连,MOS管M14和MOS管M15的漏极连接至译码电路中的节点A;在第二位二进制码的互补译码逻辑中,所述互补译码逻辑还包括MOS管M16、MOS管M17和MOS管M18,所述MOS管M16的栅极连接至第二动态比较器输出Voutn,MOS管M17的栅极连接至第四动态比较器输出Voutp,MOS管M18的栅极连接至第六动态比较器的输出Voutn,MOS管M18的源极和MOS管M16的漏极、MOS管M17的漏极相连,MOS管M16和MOS管M17的源极与地电压相连,MOS管M18的漏极连接至校正电路中的节点B。

8.根据权利要求7所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,在第一位二进制码的译码逻辑中,所述译码逻辑还包括MOS管M19、MOS管M20、MOS管M21、MOS管M22、MOS管M23、MOS管M24和MOS管M25,所述MOS管M19的栅极连接至第一动态比较器输出Voutp,MOS管M20的栅极连接至第二动态比较器输出Voutn,MOS管M21的栅极连接至第三动态比较器输出Voutp,MOS管M22的栅极连接至第四动态比较器输出Voutn,MOS管M23的栅极连接至第五动态比较器...

【技术特征摘要】

1.一种温度计码到二进制码的转换装置,应用于动态比较器输出,其特征在于,所述转换装置包括译码电路和与所述译码电路电连接的校正电路;

2.根据权利要求1所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,所述pmos管m2的栅极连接至外部复位电压clkr,所述pmos管m1的源极和pmos管m2的源极均与电源电压vdd相连。

3.根据权利要求1所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,所述pmos管m4的栅极连接至外部复位电压clkr,pmos管m3的源极和pmos管m4的源极均与电源电压vdd相连。

4.根据权利要求1所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,所述反相器a2的输出端与输出电压vout相连。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,所述动态比较器包括mos管mn1、mos管mn2、mos管mn3、mos管mn4、mos管mn5、mos管mn6、mos管mn7、mos管mp1、mos管mp2、mos管mp3、mos管mp4和mos管mp5,所述mos管mn1、mos管mp1、mos管mp2的栅极均连接至外部控制信号clkr,所述mos管mn2的栅极连接至外部控制信号vip,所述mos管mn3的栅极连接至外部控制信号vin,所述mos管mn1的漏极与所述mos管mn2、mos管mn3的源极相连接,所述mos管mn2的漏极分别与mos管mp1的漏极、mos管mn4的栅极相连接,所述mos管mn3的漏极与所述mos管mp2的漏极、mos管mn7的栅极相连接,作为输出节点voutp的mos管mn4的漏极分别与mos管mn5的漏极、mos管mp3的漏极、mos管mn6的栅极和mos管mp4的栅极相连接,作为输出节点voutn的mos管mn7的漏极分别与所述mos管mn6的漏极、mos管mp4的漏极、mos管mn5的栅极和mos管mp3的栅极相连接,所述mos管mp5的漏极分别与mos管mp3的源极、mos管mp4的源极相连接,所述mos管mp5的栅极连接至外部控制信号clkb,所述mos管mn1、mos管mn4、mos管mn5、mos管mn6、mos管mn7的源极均接地,所述mos管mp1、mos管mp2、mos管mp5的源极均连接至电源电压。

6.根据权利要求5所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,当对7位温度计码转换至3位二进制码时,在第三位二进制码的译码逻辑中,所述译码逻辑还包括mos管m11,所述mos管m11的栅极连接至第四动态比较器输出voutp,所述mos管m11的漏极连接至译码电路中的节点a,所述mos管m11的源极接地;在第三位二进制码的互补译码逻辑中,所述互补译码逻辑还包括mos管m12,所述mos管m12的栅极连接至第四动态比较器输出voutn,所述mos管m12的漏极连接至校正电路中的节点b,所述mos管m12的源极接地。

7.根据权利要求6所述的一种温度计码到二进制码的转换装置,其特征在于,在第二位二进制码的译码逻辑中,所述译码逻辑还包括mos管m13、mos管m14和mos管m...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘自栋
申请(专利权)人:芯聚威科技成都有限公司
类型:发明
国别省市:

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