【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例属于照明，具体涉及一种adb矩阵大灯热沉基板及其制备方法、adb矩阵大灯。
技术介绍
1、相关技术中，adb矩阵大灯的基板有多种形式：
2、第一种是把矩阵芯片设置在adb驱动板上，led光源设置在灯板上，矩阵芯片的每个通道均通过线束连接到灯板上进而控制led光源发光，而灯板一般使用散热性能良好的单面金属基板或者陶瓷基板，并装配在散热器上进行散热。但是单面金属基板或陶瓷基板难以实现矩阵芯片的电气走线，需要大量跳线才能实现，走线时操作就会比较困难。
3、第二种是把矩阵芯片、led光源、can收发器、温度检测电阻、亮度分bin电阻等元器件都设置在灯板上，此处的灯板可以是一种混合多层板，由单面金属基板或者陶瓷基板再加上环氧板进行粘接组合成形，并装配在散热器上进行散热，但这种结构需要通过导电焊盘来实现单面金属基板或陶瓷基板与多层环氧板之间的电气连接，导电焊盘之间的连接采用跳线或者pin针连接。在实现电气连接时需要跳线排线或者增加连接器，这不仅增加了工艺难度，而且会占用大量灯板内的空间，同时使用导电焊盘也会增加焊点，进而可能带来虚焊、假焊等焊接不良的风险。此外，混合多层板结构的散热效果较差，不利于芯片的散热。
4、因此，相关技术中的adb矩阵大灯基板难以同时满足高效散热和减少电气走线的需求。
技术实现思路
1、本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种adb矩阵大灯热沉基板及其制备方法、adb矩阵大灯。
2、本
3、预备基板本体；
4、采用激光刻蚀的方式在所述基板本体的至少一侧开设至少一个凹槽；
5、采用激光刻蚀的方式在每一所述凹槽的底部开设至少一对间隔布置的通孔；
6、在所述凹槽内形成围绕每一所述通孔的光刻胶图案；
7、采用电镀工艺对所述通孔及所述光刻胶图案进行金属填充，以形成至少一对金属焊盘。
8、在本公开的一些实施例中，所述在所述凹槽内形成围绕每一所述通孔的光刻胶图案前，还包括：
9、采用氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、硫酸溶液、盐酸溶液、氟化氢溶液中的至少一种溶液清洗基板本体；
10、采用磁控溅射的方式在所述基板本体表面溅射种子层。
11、在本公开的一些实施例中，所述种子层的材质为钛或铜，所述种子层的厚度范围为0.5～3μm。
12、在本公开的一些实施例中，所述采用电镀工艺对所述通孔及所述光刻胶图案进行金属填充，以形成金属焊盘后，还包括：
13、清理所述金属焊盘的表面及周围；
14、在所述金属焊盘表面化镀最终精饰层。
15、在本公开的一些实施例中，所述最终精饰层的材质为银、镍金、镍钯金中的一种，所述最终精饰层的厚度范围为0.5～5μm。
16、在本公开的一些实施例中，在所述基板本体的相对两侧分别开设所述凹槽，两个所述凹槽对称布置在所述基板本体的两侧。
17、在本公开的一些实施例中，所述通孔的直径范围为50～100μm。
18、在本公开的一些实施例中，所述基板本体的材质为氮化铝陶瓷或金刚石。
19、本公开第二方面提出了一种adb矩阵大灯热沉基板，所述adb矩阵大灯热沉基板根据上述任一实施例所述的所述adb矩阵大灯热沉基板的制备方法制备得到，所述adb矩阵大灯热沉基板包括：
20、基板本体，所述基板本体的至少一侧形成有至少一个凹槽，每一所述凹槽的底部形成有至少一对间隔设置的通孔，每一所述通孔沿所述基板本体的厚度方向贯穿所述基板本体；
21、至少一对金属焊盘，每一对所述金属焊盘贯穿对应的一对所述通孔，部分所述金属焊盘位于所述凹槽内。
22、本公开第三方面提出了一种adb矩阵大灯，所述adb矩阵大灯包括上述任一实施例的adb矩阵大灯热沉基板。
23、根据本公开的adb矩阵大灯热沉基板的制备方法、adb矩阵大灯热沉基板和adb矩阵大灯，首先预备基板本体，然后采用激光刻蚀的方式在基板本体的至少一侧开设至少一个凹槽，继续采用激光刻蚀的方式在每一凹槽的底部开设至少一对间隔布置的通孔，在凹槽内布置光刻胶图案，光刻胶图案围绕每一个通孔布置，最后采用电镀工艺对光刻胶图案进行金属填充，以形成至少一对间隔布置的金属焊盘。本公开的adb矩阵大灯热沉基板的制备方法，制备得到的adb矩阵大灯热沉基板，其在基板本体的至少一侧形成用于安装芯片的凹槽，以使安装芯片的位置的基板本体的厚度减小，便于芯片的散热，同时，基板本体未开着凹槽的位置可以保证基板本体整体的结构强度；此外，金属焊盘通过通孔穿设于基板本体，金属焊盘的一端位于基板本体的第一侧的凹槽内且用于与芯片电连接，金属焊盘的另一端位于基板本体的第二侧，金属焊盘的另一侧用于电连接其他部件或电源，金属焊盘穿设于基板本体可以减少芯片与电源之间的电气走线在基板本体表面的布置，使基板本体的表面更加整洁，减少基板本体的跳线排线难度，并且减小基板整体的体积，有利于基板的小型化。
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1.一种ADB矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的ADB矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成围绕每一所述通孔的光刻胶图案前，还包括：
3.根据权利要求2所述的ADB矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述种子层的材质为钛或铜，所述种子层的厚度范围为0.5～3μm。
4.根据权利要求1所述的ADB矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述清理所述金属焊盘的表面及周围后，还包括：
5.根据权利要求4所述的ADB矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述最终精饰层的材质为银、镍金、镍钯金中的一种，所述最终精饰层的厚度范围为0.5～5μm。
6.根据权利要求1所述的ADB矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，在所述基板本体的相对两侧分别开设所述凹槽，两个所述凹槽对称布置在所述基板本体的两侧。
7.根据权利要求1所述的ADB矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述通孔的直径范围为50～100μm。
8.根据权利要求
9.一种ADB矩阵大灯热沉基板，其特征在于，所述ADB矩阵大灯热沉基板根据权利要求1至8中任一项所述的所述ADB矩阵大灯热沉基板的制备方法制备得到，所述ADB矩阵大灯热沉基板包括：
10.一种ADB矩阵大灯，其特征在于，所述ADB矩阵大灯包括根据9所述的ADB矩阵大灯热沉基板。
...【技术特征摘要】
1.一种adb矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的adb矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成围绕每一所述通孔的光刻胶图案前，还包括：
3.根据权利要求2所述的adb矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述种子层的材质为钛或铜，所述种子层的厚度范围为0.5～3μm。
4.根据权利要求1所述的adb矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述清理所述金属焊盘的表面及周围后，还包括：
5.根据权利要求4所述的adb矩阵大灯热沉基板的制备方法，其特征在于，所述最终精饰层的材质为银、镍金、镍钯金中的一种，所述最终精饰层的厚度范围为0.5～5μm。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：何锦华，王兢，梁月，梁超，
申请(专利权)人：江苏博睿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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