【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板单元的制造方法和基板单元。
技术介绍
1、已经提出一种与半导体装置的制造方法有关的技术，能够再利用用于使作为半导体功能层的半导体薄膜晶体生长的基板(例如，参照专利文献1)。
2、专利文献1：日本特开2005-019590号公报(例如参照第0030、0040段)
3、但是，如上述现有技术那样仅进行基板的晶体生长面的保护，不能充分防止蚀刻处理对基板的损伤。因此，为了接下来的半导体功能层的晶体生长，大多不能再利用包含基板和形成在其上的半导体层叠体的层叠基板。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基板单元的制造方法和基板单元，能够减轻用于使半导体功能层生长的基板的损伤。
2、在本专利技术的基板单元的制造方法中，其特征在于，在该基板单元的制造方法中，在基板上形成半导体层叠体，在所述半导体层叠体上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成半导体功能层，形成至少覆盖所述基板的与形成所述半导体层叠体的形成面不同的背面、所述基板的侧面以及所述半导体层叠体的侧面的保护膜。
3、本专利技术的基板单元，其特征在于，该基板单元具有：基板；半导体层叠体，其形成在所述基板上；以及保护膜，其至少覆盖所述基板的与形成所述半导体层叠体的形成面不同的背面、所述基板的侧面以及所述半导体层叠体的侧面。
4、根据本专利技术，能够减轻用于使半导体功能层生长的基板的损伤，能够增加基板和半导体层叠体的再利用次数。
【技术保护点】
1.一种基板单元的制造方法，其特征在于，在该基板单元的制造方法中，
2.根据权利要求1所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
8.一种基板单元的制造方法，其特征在于，在该基板单元的制造方法中，
9.一种基板单元，其特征在于，该基板单元具有：
10.根据权利要求9所述的基板单元，其特征在于，
11.根据权利要求9所述的基板单元，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的基板单元，其特征在于，
13.根据权利要求9所述的基板单元，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基板单元的制造方法，其特征在于，在该基板单元的制造方法中，
2.根据权利要求1所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板单元的制造方法，其特征在于，
7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：古田裕典，小酒达，伊田孝宽，石川琢磨，谷川兼一，铃木贵人，北岛由隆，
申请(专利权)人：冲电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。