【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储领域，特别涉及一种存储芯片的测试方法及测试系统。
技术介绍
1、随着内嵌式存储器（embedded multi media card，emmc）在电视机、机顶盒、平板电脑和手机等终端产品上的广泛应用，对emmc的性能及可靠性要求越来越高，尤其是确保存储在emmc中的数据稳定可靠。emmc是由高级精简指令集机器（advanced risc machine，arm）作为控制器再加上非易失性存储介质（nand flash）构成，其中，arm运行控制器软件，nand flash作为一种高密度低成本的存储介质，在各种设备中被广泛使用。
2、在nand flash芯片的生产和使用过程中，均会产生坏块，从而破坏芯片整体的性能和可靠性。因此，必须对nand flash芯片进行测试并分类，以根据nand flash芯片的等级，将芯片适配于不同的应用场景。然而，目前nand flash芯片的测试方法中，存在测试指标单一、分类不准确、测试周期长、以及不利于大规模推广应用等问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种存储芯片的测试方法及测试系统，能够快速、全面且精准地对芯片进行测试并分类，将不同等级的芯片适配于不同的应用场景。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供了一种存储芯片的测试方法，至少包括以下步骤：
4、在测试板上安装待测芯片，并配置预设测试温度和预设测试电压，形成初始测试环境；
5、主控单元启动读写压力测试程序，对所述待测芯片进行压力测试；
6、统计所述待测芯片在所述初始测试环境下的坏块数和错误位数；
7、改变所述预设测试温度和所述预设测试电压，重复对所述待测芯片进行压力测试，直至所述待测芯片完成所有预设测试环境下的压力测试；
8、统计所述待测芯片在所有所述预设测试环境下的所述坏块数和所述错误位数，并根据每种所述预设测试环境各自所占的权重，计算加权坏块数和加权错误位数；以及
9、根据所述加权坏块数和所述加权错误位数，对所述待测芯片进行分级。
10、在本专利技术一实施例中，依据所述预设测试温度和所述预设测试电压，设置四种所述预设测试环境。
11、在本专利技术一实施例中，在测试板上安装待测芯片，并配置预设测试温度和预设测试电压，形成初始测试环境，包括以下步骤：
12、提供一全新的待测芯片；
13、将固件程序烧录至所述待测芯片中；
14、在测试板上安装所述待测芯片，并确认安装位置正确，且无接触问题；以及
15、给所述测试板配置预设测试温度和预设测试电压，形成初始测试环境，并对所述测试板进行供电测试。
16、在本专利技术一实施例中，统计所述待测芯片在所述初始测试环境下的坏块数和错误位数，包括以下步骤：
17、在所述初始测试环境下，统计所述待测芯片中每个闪存块的单块错误位数，得到多个所述单块错误位数，并将数值记录在所述待测芯片的预设位置中；
18、判断每个闪存块的所述单块错误位数是否超过纠错模块的处理能力；
19、当闪存块的所述单块错误位数超过纠错模块的处理能力时，判定该闪存块为坏块，将该闪存块加入坏块管理，并统计所述待测芯片的坏块数、以及所述待测芯片的全部闪存块的总错误位数；以及
20、当闪存块的所述单块错误位数未超过纠错模块的处理能力时，重复对所述待测芯片中的下一个闪存块进行压力测试，直至所述待测芯片中所有的闪存块都完成压力测试。
21、在本专利技术一实施例中，改变所述预设测试温度和所述预设测试电压之前，还包括以下步骤：
22、判断所述待测芯片是否完成所有所述预设测试环境下的压力测试；
23、当所述待测芯片完成所有所述预设测试环境下的压力测试时，统计所述待测芯片在所有所述预设测试环境下的所述坏块数和所述错误位数，并根据每种所述预设测试环境各自所占的权重，计算加权坏块数和加权错误位数；以及
24、当所述待测芯片未完成所有所述预设测试环境下的压力测试时，改变所述预设测试温度和所述预设测试电压，重复对所述待测芯片进行压力测试，直至所述待测芯片完成所有预设测试环境下的压力测试。
25、在本专利技术一实施例中，统计所述待测芯片在所有所述预设测试环境下的所述坏块数和所述错误位数，并根据每种所述预设测试环境各自所占的权重，计算加权坏块数和加权错误位数，包括以下步骤：
26、根据每种所述预设测试环境各自所占的权重，对在每种所述预设测试环境中统计得到的多个所述单块错误位数进行加权，得到加权单块错误位数；
27、根据每种所述预设测试环境各自所占的权重，对在每种所述预设测试环境中统计得到的多个所述总错误位数进行加权，得到加权总错误位数；以及
28、根据每种所述预设测试环境各自所占的权重，对在每种所述预设测试环境中统计得到的多个所述坏块数进行加权，得到加权坏块数。
29、在本专利技术一实施例中，根据所述坏块数和所述错误位数，对所述待测芯片进行分级之前，还包括以下步骤：
30、判断所述待测芯片的寿命试验是否完成；以及
31、当所述寿命试验未完成时，磨损所述待测芯片，重复对所述待测芯片进行烧录和压力测试。
32、在本专利技术一实施例中，根据所述坏块数和所述错误位数，对所述待测芯片进行分级，包括以下步骤：
33、当所述寿命试验完成时，根据所述加权单块错误位数、所述加权总错误位数和所述加权坏块数，对所述待测芯片进行分级。
34、本专利技术还提供一种存储芯片的测试系统，至少包括：
35、至少一个测试板，其上通信连接有待测芯片，且被配置多种预设测试环境，在多种所述预设测试环境中，预设测试电压和预设测试温度各不相同；
36、主控模块，通信连接于所述待测芯片，且被配置读写压力测试程序，对待测芯片进行压力测试；
37、坏块监控模块，统计所述待测芯片在所有所述预设测试环境下的坏块数和错误位数，并根据所有所述预设测试环境各自所占的权重，对所述待测芯片进行分级；以及
38、电源模块，对所述测试板、所述主控模块和所述坏块监控模块供电。
39、在本专利技术一实施例中，所述测试系统还包括温度传感模块和电压监控模块，所述温度传感模块和所述电压监控模块，各自与所述主控模块连接。
40、如上所述，本专利技术提供一种存储芯片的测试方法及测试系统，能够全面、快速且精准地对芯片进行测试并分类，将芯片适配于不同的应用场景。而且，本专利技术提供的测试方法和测试系统，能够实时监测芯片的测试结果，全面监控芯片的坏块数和错误位数，提高芯片整体的性能和可靠性。
41、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种存储芯片的测试方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，依据所述预设测试温度和所述预设测试电压，设置四种所述预设测试环境。
3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在测试板上安装待测芯片，并配置预设测试温度和预设测试电压，形成初始测试环境，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，统计所述待测芯片在所述初始测试环境下的坏块数和错误位数，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，改变所述预设测试温度和所述预设测试电压之前，还包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，统计所述待测芯片在所有所述预设测试环境下的所述坏块数和所述错误位数，并根据每种所述预设测试环境各自所占的权重，计算加权坏块数和加权错误位数，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的测试方法，其特征在于，根据所述坏块数和所述错误位数，对所述待测芯片进行分级之前，还包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，根
9.一种存储芯片的测试系统，其特征在于，至少包括：
10.根据权利要求9所述的测试系统，其特征在于，所述测试系统还包括温度传感模块和电压监控模块，所述温度传感模块和所述电压监控模块，各自与所述主控模块连接。
...【技术特征摘要】
1.一种存储芯片的测试方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，依据所述预设测试温度和所述预设测试电压，设置四种所述预设测试环境。
3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在测试板上安装待测芯片，并配置预设测试温度和预设测试电压，形成初始测试环境，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，统计所述待测芯片在所述初始测试环境下的坏块数和错误位数，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，改变所述预设测试温度和所述预设测试电压之前，还包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，统...
【专利技术属性】
技术研发人员：余玉，许展榕，
申请(专利权)人：合肥康芯威存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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